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高压SiC基DSRD器件结构设计及脉冲电路优化
被引量：
2
1
作者
李金磊
刘静楠
+3 位作者
张景文
刘鑫
马烁尘
侯洵
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第10期405-412,共8页
针对SiC漂移阶跃恢复二极管难以满足超快脉冲开关高频、大功率的要求,研究了一种高压SiC漂移阶跃恢复二极管(DSRD)器件,建立了相应物理模型。该高压SiC DSRD基区掺杂浓度为5×10^(15) cm^(-3)、厚度为18μm,单片耐压超1800 V、开关...
针对SiC漂移阶跃恢复二极管难以满足超快脉冲开关高频、大功率的要求,研究了一种高压SiC漂移阶跃恢复二极管(DSRD)器件,建立了相应物理模型。该高压SiC DSRD基区掺杂浓度为5×10^(15) cm^(-3)、厚度为18μm,单片耐压超1800 V、开关时间约500 ps。同时,基于高压SiC DSRD器件等效模型,优化电路参数,在负载端分别实现了8.8 kW、开关时间约500 ps的高压(2.2 kV)脉冲。
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关键词
碳
化
硅
漂移阶跃恢复二极管
仿真设计
脉冲发生电路
离化波理论
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职称材料
题名
高压SiC基DSRD器件结构设计及脉冲电路优化
被引量：
2
1
作者
李金磊
刘静楠
张景文
刘鑫
马烁尘
侯洵
机构
西安交通大学电信学部电子科学与工程学院
西安交通大学宽禁带半导体研究中心
出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第10期405-412,共8页
文摘
针对SiC漂移阶跃恢复二极管难以满足超快脉冲开关高频、大功率的要求,研究了一种高压SiC漂移阶跃恢复二极管(DSRD)器件,建立了相应物理模型。该高压SiC DSRD基区掺杂浓度为5×10^(15) cm^(-3)、厚度为18μm,单片耐压超1800 V、开关时间约500 ps。同时,基于高压SiC DSRD器件等效模型,优化电路参数,在负载端分别实现了8.8 kW、开关时间约500 ps的高压(2.2 kV)脉冲。
关键词
碳
化
硅
漂移阶跃恢复二极管
仿真设计
脉冲发生电路
离化波理论
Keywords
Cathodesilicon carbide
Drift step recovery diode
Simulation design
Pulse generating circuit
Ionization wave theory
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
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被引量
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1
高压SiC基DSRD器件结构设计及脉冲电路优化
李金磊
刘静楠
张景文
刘鑫
马烁尘
侯洵
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022
2
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