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声子晶体禁带特性及局域共振现象的试验研究 被引量:8
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作者 朱兴一 钟盛 +3 位作者 叶安珂 邓富文 吴睿 俞悟周 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第11期2852-2859,2864,共9页
以弹性(亚克力柱/空气型)及粘弹性(硅橡胶/空气型)声子晶体为研究对象,研究了散射体填充率、形状、排列方式、材料性质、缺陷形式等对声子晶体禁带特性及局域共振现象的影响。结果表明:随着层数的增加,带隙频率逐渐靠近理论值,但达到一... 以弹性(亚克力柱/空气型)及粘弹性(硅橡胶/空气型)声子晶体为研究对象,研究了散射体填充率、形状、排列方式、材料性质、缺陷形式等对声子晶体禁带特性及局域共振现象的影响。结果表明:随着层数的增加,带隙频率逐渐靠近理论值,但达到一定层数后,其影响会减弱;与正方柱形比较,圆柱形声子晶体得到的带隙更宽,而与弹性声子晶体相比,粘弹性声子晶体更易得到低频宽带隙的效果;声子晶体晶体阵列个数对共振频率的影响并不大,而散射体形状、填充率、及材料性质对共振频率有一定影响,尤其是粘弹性材料对提高局域共振的品质因子有非常大的作用;多点缺陷的引入对缺陷局域模态的分离有一定贡献,但多点缺陷间隔较近时会降低局域模态的分离效果。 展开更多
关键词 声子晶体 禁带特性 局域共振 缺陷
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二维介质柱型graphite格子光子晶体禁带特性 被引量:1
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作者 杨毅彪 王云才 +2 位作者 王拴锋 王伟军 梁伟 《深圳大学学报(理工版)》 EI CAS 北大核心 2010年第2期157-161,共5页
采用平面波展开法模拟由GaAs、Si和Ge介质柱构造的graphite格子二维光子晶体的禁带结构.数值计算发现,无论由圆形、正六边形或正方形介质柱构造的graphite格子,出现完全光子禁带时对应的填充比f可变化范围都非常大.Graphite格子光... 采用平面波展开法模拟由GaAs、Si和Ge介质柱构造的graphite格子二维光子晶体的禁带结构.数值计算发现,无论由圆形、正六边形或正方形介质柱构造的graphite格子,出现完全光子禁带时对应的填充比f可变化范围都非常大.Graphite格子光子晶体在介质折射率最低为2.2时出现完全光子禁带.当介质材料折射率n在3.4~3.9范围变化时,最大禁带宽度△可保持在0.050[ωα/(2πc)]以上,最大完全禁带宽度与中心频率的比值稳定在15%. 展开更多
关键词 光子晶体 光学 禁带特性 平面波展开法 graphite格子
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一维微等离子体光子晶体的太赫兹带隙特征调控 被引量:1
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作者 杨璐 陈玉秀 +3 位作者 吴淑群 刘旭晖 欧阳帆 张潮海 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第3期865-875,共11页
调控太赫兹波传播是太赫兹技术应用的基础。从麦克斯韦方程组和电子动量守恒方程出发,推导了等离子体的相对介电系数和电导率。在此基础上,从理论和仿真两个层面,论证了一维微等离子体光子晶体(MPPC)用于太赫兹带隙特征调控的可行性,结... 调控太赫兹波传播是太赫兹技术应用的基础。从麦克斯韦方程组和电子动量守恒方程出发,推导了等离子体的相对介电系数和电导率。在此基础上,从理论和仿真两个层面,论证了一维微等离子体光子晶体(MPPC)用于太赫兹带隙特征调控的可行性,结果表明:在无缺陷的一维MPPC中,当电子数密度低于1015 cm-3时,电子数密度的改变对第一太赫兹禁带影响较微弱;当电子数密度从1015 cm-3继续升高到1016 cm-3时,第一禁带的中心频率向高频偏移110 GHz,第一禁带的宽度增加约200 GHz。气压从50.5 kPa增大到202 kPa,第一禁带的中心频率从0.871THz下降到0.79THz。在含单个缺陷的一维MPPC中,当电子数密度从1014 cm-3增加至1015 cm-3时,窄通带的中心频率偏移约24 GHz。由此可见,在光子晶体中引入微等离子体后,其能够对太赫兹波传播进行调制。 展开更多
关键词 太赫兹波 微等离子体光子晶体 禁带特性 窄通 微等离子体
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快速退火对直流磁控溅射法制备的AZO薄膜性能的影响 被引量:6
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作者 姜丽莉 辛艳青 +3 位作者 宋淑梅 杨田林 李延辉 韩圣浩 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期302-305,共4页
在室温下,采用直流磁控溅射方法制备了不同厚度的氧化锌掺铝薄膜,并对样品进行了快速退火处理,退火温度为600℃,时间为60 s。研究了退火前后薄膜的结构、光电特性的变化情况。退火后,薄膜的最小电阻率为4.2×10-4Ω.cm,其透过率为90... 在室温下,采用直流磁控溅射方法制备了不同厚度的氧化锌掺铝薄膜,并对样品进行了快速退火处理,退火温度为600℃,时间为60 s。研究了退火前后薄膜的结构、光电特性的变化情况。退火后,薄膜的最小电阻率为4.2×10-4Ω.cm,其透过率为90.1%。禁带宽度由退火前的3.68 eV变为3.75 eV。 展开更多
关键词 快速退火 直流磁控溅射 AZO薄膜 光电特性宽度
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