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相变存储器及其用于神经形态计算的研究综述
被引量：
4
1
作者
杜玲玲
周细应
李晓
《人工晶体学报》
EI
CAS
北大核心
2020年第12期2398-2405,共8页
目前随着人工智能领域的兴起以及人们对数据存储和计算的强烈需求,迫切需要存储器的改进和类似于人脑的高效存储运算效率。所以,相变存储器及其用于神经形态计算的研究是极具价值的。相变存储材料(PCMs)受到激发时所产生的电阻值变化可...
目前随着人工智能领域的兴起以及人们对数据存储和计算的强烈需求,迫切需要存储器的改进和类似于人脑的高效存储运算效率。所以,相变存储器及其用于神经形态计算的研究是极具价值的。相变存储材料(PCMs)受到激发时所产生的电阻值变化可以用来建立尖峰神经网络从而实现模拟神经形态计算系统。本文介绍了相变存储器物理机制,其中包括相变材料的相变原理及主要性能特征,重点叙述了相变存储器在优化存储与计算方向的研究进展和应用,进而为该领域未来的发展方向提供参考。
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关键词
相变存储器
相变材料
神经形态计算系统
相变突触/
神经
元
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职称材料
题名
相变存储器及其用于神经形态计算的研究综述
被引量：
4
1
作者
杜玲玲
周细应
李晓
机构
上海工程技术大学材料工程学院
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
北大核心
2020年第12期2398-2405,共8页
文摘
目前随着人工智能领域的兴起以及人们对数据存储和计算的强烈需求,迫切需要存储器的改进和类似于人脑的高效存储运算效率。所以,相变存储器及其用于神经形态计算的研究是极具价值的。相变存储材料(PCMs)受到激发时所产生的电阻值变化可以用来建立尖峰神经网络从而实现模拟神经形态计算系统。本文介绍了相变存储器物理机制,其中包括相变材料的相变原理及主要性能特征,重点叙述了相变存储器在优化存储与计算方向的研究进展和应用,进而为该领域未来的发展方向提供参考。
关键词
相变存储器
相变材料
神经形态计算系统
相变突触/
神经
元
Keywords
phase change memory
phase change material
neuromorphic computing system
phase change synapse/neuron
分类号
TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
相变存储器及其用于神经形态计算的研究综述
杜玲玲
周细应
李晓
《人工晶体学报》
EI
CAS
北大核心
2020
4
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