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神经形态器件的特性与发展被引量：2: 1; 作者曹震张浴轩 +5 位作者李灵蕾郭璋孙琦曹荣荣侯彪焦李成《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第12期3619-3642,共24页; 随着大数据时代的到来和人类对人脑系统研究的日渐深入,类脑计算领域的研究取得突破性进展,有希望在根源上打破传统计算机的性能瓶颈.神经突触是对人体脑部进行记忆能力训练和处理数据的重要基础单元,因此开发新材料、新结构,研究基于... 展开更多; 关键词类脑计算神经形态器件忆阻器磁性隧道结人造突触; 在线阅读下载PDF 职称材料

类脑神经网络与神经形态器件及其电路综述被引量：4: 2; 作者邓亚彬王志伟 +5 位作者赵晨晖李琳贺珊李秋红帅建伟郭东辉《计算机应用研究》 CSCD 北大核心 2021年第8期2241-2250,共10页; 为了系统地了解类脑神经网络电路,在对类脑神经网络进行简要介绍的基础之上,重点阐述两种类别的神经形态器件及功能,包括不同类型的浮栅管和不同工艺材料的忆阻器来模拟单个神经元和突触可塑性功能;然后,以神经形态器件为基础,分别介绍... 展开更多; 关键词类脑计算类脑神经网络神经形态器件神经网络电路; 在线阅读下载PDF 职称材料

柔性神经形态晶体管研究进展被引量：1: 3; 作者杨洋崔航源 +2 位作者祝影万昌锦万青《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第4期367-377,共11页; 近年来,受人脑独特工作模式的启发,利用人工神经形态器件模拟突触和神经元的感知与计算功能吸引了广泛关注。到目前为止,已经有很多关于神经形态晶体管的报道,但绝大多数器件是在刚性衬底上加工的。柔性神经形态晶体管不仅可以同时实现... 展开更多; 关键词神经形态器件柔性电子学神经形态晶体管类脑感知与计算综述; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于Al_(2)O_(3)/Chitosan叠层栅介质的双栅IGZO神经形态晶体管: 4; 作者王靖瑜万昌锦万青《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第4期445-451,共7页; 基于铟镓锌氧(IGZO)的双电层(EDL)晶体管以低加工温度、良好的一致性以及丰富的离子动力学等优势,在神经形态感知和计算系统中具有极大的潜在应用前景。然而,双电层IGZO晶体管的高漏电(>10 nA)导致的高能耗以及异常电流尖峰/毛刺一... 展开更多; 关键词神经形态器件 IGZO晶体管人造突触叠层栅介质高K栅介质突触可塑性; 在线阅读下载PDF 职称材料

质子调控型电化学离子突触研究进展: 5; 作者范晓波祖梅 +5 位作者杨向飞宋策陈晨王子罗文华程海峰《无机材料学报》北大核心 2025年第3期256-270,共15页; 作为神经网络中数量最庞大的组成部分,新型人工突触器件的研发成为硬件实现神经形态计算的关键挑战。基于电化学晶体管的三端突触器件能够有效利用电解质层中的离子来调节通道电导,也被称为电化学离子突触,该器件通过离子在具有氧化还... 展开更多; 关键词神经形态器件人工突触电化学晶体管质子综述; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名神经形态器件的特性与发展被引量：2: 1; 作者曹震张浴轩李灵蕾郭璋孙琦曹荣荣侯彪焦李成; 机构西安电子科技大学人工智能学院西安电子科技大学杭州研究院国防科技大学电子科学学院; 出处《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第12期3619-3642,共24页; 基金国家自然科学基金(No.62104176,No.62171347,No.62004220,No.62301395) 中国博士后科学基金(No.2019M663637,No.2020M673696) +2 种基金中央高校基本科研业务费专项资金项目(No.XJSJ23083,No.XJS222215)。; 文摘随着大数据时代的到来和人类对人脑系统研究的日渐深入,类脑计算领域的研究取得突破性进展,有希望在根源上打破传统计算机的性能瓶颈.神经突触是对人体脑部进行记忆能力训练和处理数据的重要基础单元,因此开发新材料、新结构,研究基于新型人造材料与光电子器件的神经突触可塑性,对神经形态器件研究和类脑硬件设计的实现都有着重要意义.本文首先指出目前“冯·诺依曼架构”的主要性能瓶颈,引出类脑计算的概念,提出神经形态器件的主要性能优势,并梳理神经形态器件发展历史;然后在忆阻器领域,阐述与分析忆阻类型、忆阻结构与忆阻机理,比较出几种忆阻器的特性,举例说明忆阻器在不同领域的应用;接着以神经形态器件为基础,选取磁性隧道结、新型浮栅管和铁电晶体管,介绍其结构、工作原理与应用;最后总结目前神经形态器件发展的成果和方向,并对行业发展前景进行预测.; 关键词类脑计算神经形态器件忆阻器磁性隧道结人造突触; Keywords brain-like computing neuromorphic device memristor magnetic tunnel junction artificial synapse; 分类号 TP183 [自动化与计算机技术—控制理论与控制工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名类脑神经网络与神经形态器件及其电路综述被引量：4: 2; 作者邓亚彬王志伟赵晨晖李琳贺珊李秋红帅建伟郭东辉; 机构厦门大学电子科学与技术学院国家示范性微电子学院厦门大学萨本栋微纳米研究院厦门大学物理科学与技术学院; 出处《计算机应用研究》 CSCD 北大核心 2021年第8期2241-2250,共10页; 基金国家自然科学基金重点项目(61836010) 厦门大学创新团队培育计划项目(20720190116)。; 文摘为了系统地了解类脑神经网络电路,在对类脑神经网络进行简要介绍的基础之上,重点阐述两种类别的神经形态器件及功能,包括不同类型的浮栅管和不同工艺材料的忆阻器来模拟单个神经元和突触可塑性功能;然后,以神经形态器件为基础,分别介绍了基于浮栅管和忆阻器实现神经网络电路;最后总结当前神经形态器件及类脑神经网络芯片存在的问题,并对有关类脑计算研究方向进行了展望。; 关键词类脑计算类脑神经网络神经形态器件神经网络电路; Keywords brain-like computing brain-like neural network neuromorphic devices neural network circuit; 分类号 TP [自动化与计算机技术]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名柔性神经形态晶体管研究进展被引量：1: 3; 作者杨洋崔航源祝影万昌锦万青; 机构南京大学电子科学与工程学院; 出处《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第4期367-377,共11页; 基金国家重点研发计划(2019YFB2205400) 国家自然科学基金(62074075,61921005)。; 文摘近年来,受人脑独特工作模式的启发,利用人工神经形态器件模拟突触和神经元的感知与计算功能吸引了广泛关注。到目前为止,已经有很多关于神经形态晶体管的报道,但绝大多数器件是在刚性衬底上加工的。柔性神经形态晶体管不仅可以同时实现信号传输和训练学习,对多路信号进行非线性的时空整合与协同调控,而且能密切贴合柔软的人体皮肤,承受器官和组织的高生理应变。更重要的是,柔性神经形态晶体管具有可设计的灵活性和优异的生物兼容性,在检测生物环境中生理相关时间尺度的低幅信号方面具备独特的优势和应用潜力。柔性神经形态晶体管已经广泛应用于电子皮肤、人工视觉系统、智能可穿戴系统等领域。目前,研制低功耗、高密度集成的柔性神经形态晶体管是研究的首要任务之一。本文综述了基于不同柔性衬底的神经形态晶体管的研究进展,并展望了柔性神经形态晶体管的未来应用前景,这将为未来柔性神经晶体管的研制以及智能计算和感知应用提供比较详实的参考。; 关键词神经形态器件柔性电子学神经形态晶体管类脑感知与计算综述; Keywords neuromorphic device flexible electronics neuromorphic transistor brain-like perception and computing review; 分类号 TQ174 [化学工程—陶瓷工业]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于Al_(2)O_(3)/Chitosan叠层栅介质的双栅IGZO神经形态晶体管: 4; 作者王靖瑜万昌锦万青; 机构南京大学电子科学与工程学院浙江大学微纳电子学院; 出处《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第4期445-451,共7页; 基金国家重点研发计划(2019YFB2205400) 国家自然科学基金(62074075,61834001)。; 文摘基于铟镓锌氧(IGZO)的双电层(EDL)晶体管以低加工温度、良好的一致性以及丰富的离子动力学等优势,在神经形态感知和计算系统中具有极大的潜在应用前景。然而,双电层IGZO晶体管的高漏电(>10 nA)导致的高能耗以及异常电流尖峰/毛刺一直是相关神经形态计算发展的主要障碍之一。本研究提出了一种具有Al_(2)O_(3)/壳聚糖(Chitosan)叠层栅介质的新型IGZO神经形态晶体管。与单层壳聚糖栅介质晶体管相比,引入Al_(2)O_(3)叠层的器件具有78.3 mV/decade的低亚阈值摆幅,在1.8 V电压下1.3 nA的低漏电流(降低约98%),3.73 V的大滞回窗口(提升3.4倍)以及0.86 nA的低兴奋性突触后电流(降低约97%),单脉冲(0.5 V,20 ms)功耗仅为1.7 pJ(降低约96%)。此外,研究还基于双栅EDL协同调控实现了尖峰突触功能的模拟和沟道电流的有效调制,并有效规避突触塑性模拟中高漏电导致的非正常电流尖峰/毛刺。上述结果表明,堆叠高k栅介质可以有效改善神经形态器件的漏电、功耗和性能,为进一步开发超低功耗神经形态感知和计算系统提供了新的思路。; 关键词神经形态器件 IGZO晶体管人造突触叠层栅介质高K栅介质突触可塑性; Keywords neuromorphic device IGZO-based transistor artificial synapse stacked gate dielectric high-k dielectric synaptic plasticity; 分类号 TN321 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名质子调控型电化学离子突触研究进展: 5; 作者范晓波祖梅杨向飞宋策陈晨王子罗文华程海峰; 机构国防科技大学空天科学学院中国工程物理研究院表面物理与化学重点实验室中南大学粉末冶金研究院; 出处《无机材料学报》北大核心 2025年第3期256-270,共15页; 基金国家自然科学基金(52473117,52203022) 湖南省自然科学基金(2024JJ2059,2022JJ40547)。; 文摘作为神经网络中数量最庞大的组成部分,新型人工突触器件的研发成为硬件实现神经形态计算的关键挑战。基于电化学晶体管的三端突触器件能够有效利用电解质层中的离子来调节通道电导,也被称为电化学离子突触,该器件通过离子在具有氧化还原活性的沟道材料中的电化学掺杂和恢复过程来模拟生物突触特性。在调制沟道材料电导的离子中,采用质子(H+)作为掺杂粒子的电化学离子突触具有能耗更低、运行速度更快和循环寿命更长等优势。本文综述了近年来质子调控型电化学离子突触的研究进展,归纳了用于质子调控型电化学离子突触沟道层和电解质层的材料体系,分析了质子调控型电化学离子突触面临的挑战,并展望了其未来的发展。; 关键词神经形态器件人工突触电化学晶体管质子综述; Keywords neuromorphic device artificial synapse electrochemical transistor proton review; 分类号 TQ174 [化学工程—陶瓷工业]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	神经形态器件的特性与发展	曹震张浴轩李灵蕾郭璋孙琦曹荣荣侯彪焦李成	《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2023	2	在线阅读下载PDF 职称材料
2	类脑神经网络与神经形态器件及其电路综述	邓亚彬王志伟赵晨晖李琳贺珊李秋红帅建伟郭东辉	《计算机应用研究》 CSCD 北大核心	2021	4	在线阅读下载PDF 职称材料
3	柔性神经形态晶体管研究进展	杨洋崔航源祝影万昌锦万青	《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2023	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	基于Al_(2)O_(3)/Chitosan叠层栅介质的双栅IGZO神经形态晶体管	王靖瑜万昌锦万青	《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2023	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	质子调控型电化学离子突触研究进展	范晓波祖梅杨向飞宋策陈晨王子罗文华程海峰	《无机材料学报》北大核心	2025	0	在线阅读下载PDF 职称材料