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磷酸二氢钾(KDP)晶体纳米压痕过程的有限元分析 被引量：10
1
作者 王洪祥 马恩财 +3 位作者 高石 黄志群 许乔 侯晶 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期40-42,46,共4页
为了求得KDP晶体的应力-应变曲线以及材料的屈服应力,基于圣维南定理和实验得到的材料性能参数建立了KDP晶体的压痕过程仿真模型,利用ABAQUS有限元分析软件对KDP晶体压痕过程进行了有限元仿真,得到了KDP晶体的载荷-位移曲线和加/卸载过... 为了求得KDP晶体的应力-应变曲线以及材料的屈服应力,基于圣维南定理和实验得到的材料性能参数建立了KDP晶体的压痕过程仿真模型,利用ABAQUS有限元分析软件对KDP晶体压痕过程进行了有限元仿真,得到了KDP晶体的载荷-位移曲线和加/卸载过程中的等效应力变化规律.仿真结果表明:加载过程中最大应力集中在压头尖角处,卸载后最大应力分布在压头棱边所留下的压痕处,KDP晶体材料的屈服应力为120MPa. 展开更多
关键词 kdp晶体 力学性能 压痕试验 有限元分析
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不同界面接触下KDP晶体表面损伤缺陷研究
2
作者 孙殿富 查正月 +2 位作者 李芃谕 孙付仲 王康 《南京工业大学学报(自然科学版)》 北大核心 2025年第1期66-72,81,共8页
磷酸二氢钾(KH_(2)PO_(4),简称KDP)晶体作为激光倍频转换的重要材料,在激光器等设备中被广泛应用。但由于KDP晶体质软、易碎,在夹持过程中易产生表面损伤和缺陷,这对加工和夹持提出了更高的要求。为揭示不同接触状态下晶体的表面损伤和... 磷酸二氢钾(KH_(2)PO_(4),简称KDP)晶体作为激光倍频转换的重要材料,在激光器等设备中被广泛应用。但由于KDP晶体质软、易碎,在夹持过程中易产生表面损伤和缺陷,这对加工和夹持提出了更高的要求。为揭示不同接触状态下晶体的表面损伤和缺陷,笔者对不同界面接触方式下的晶体和铝合金(5A06)表面形貌开展研究。一方面,针对KDP晶体和铝合金(5A06)直接接触下的形貌损伤和缺陷开展研究;另一方面,在晶体和金属表面填充不同的纳米级热界面接触材料,分析不同纳米材料和体积分数的纳米级热界面接触材料对晶体表面的损伤。结果表明:石墨烯复合材料产生的损伤最小,为0.045μm,但当体积分数超过30%时,由于团聚效应,易造成复合材料的力学性能缺陷。 展开更多
关键词 kdp晶体 表面损伤 导热填料 界面损伤 铝合金 纳米材料
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磷酸二氢钾晶体飞切过程中温度场的分布及其对切屑形貌的影响 被引量：4
3
作者 汪圣飞 安晨辉 +2 位作者 张飞虎 游雾 雷向阳 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第8期1948-1955,共8页
研究了磷酸二氢钾(KDP)晶体飞切加工过程中温度场的分布,探索了切削温度对KDP晶体切削过程的影响。首先,采用热力耦合有限元分析对KDP晶体切削过程进行了仿真,获得了不同切削深度下材料内部温度场的分布。分别使用飞切机床和纳米压痕仪... 研究了磷酸二氢钾(KDP)晶体飞切加工过程中温度场的分布,探索了切削温度对KDP晶体切削过程的影响。首先,采用热力耦合有限元分析对KDP晶体切削过程进行了仿真,获得了不同切削深度下材料内部温度场的分布。分别使用飞切机床和纳米压痕仪在不同速度下切削KDP晶体,发现不同切削速度下形成的切屑的微观形貌存在显著差异,分析指出这可能是由于在不同切削速度下切削区域温度差异导致的。最后,对低速加工过程中获得的切屑进行加热试验,并观测了不同温升条件下切屑微观形貌的变化。飞切加工仿真实验显示:当切深为200nm时,切削区域的温度达到110℃;而实际实验结果表明:当温度超过100℃时,切屑的微观形貌会发生明显变化。综合仿真及实验结果可知:在KDP晶体飞切加工过程中切削区域的温度将超过100℃,因此在对KDP晶体切削机理进行研究时,必须考虑温度对材料力学性能及其去除过程的影响。 展开更多
关键词 磷酸二氢钾(kdp)晶体 晶体飞切 温度场 切屑 微观形貌
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不同pH值下磷酸二氢钾晶体的生长实验 被引量：11
4
作者 程旻 李明伟 +2 位作者 付东 石航 喻江涛 《重庆大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第7期809-814,共6页
用称重法测定了不同pH值下磷酸二氢钾(KDP)的溶解度曲线,进行了不同pH值时KDP溶液的稳定性实验,通过对雪崩点的观测得到了不同pH值下KDP溶液的过饱和度曲线,给出了相应的亚稳区宽度,并开展了不同pH值下KDP晶体的生长实验。结果表明:随着... 用称重法测定了不同pH值下磷酸二氢钾(KDP)的溶解度曲线,进行了不同pH值时KDP溶液的稳定性实验,通过对雪崩点的观测得到了不同pH值下KDP溶液的过饱和度曲线,给出了相应的亚稳区宽度,并开展了不同pH值下KDP晶体的生长实验。结果表明:随着KDP生长溶液pH值的升高或降低,KDP溶解度都会明显增大,同时溶液的亚稳区宽度变大、溶液稳定性提高,并且发现略高于正常pH值的KDP饱和溶液对晶体的生长更为有利。 展开更多
关键词 亚稳区 溶液稳定性 kdp晶体 PH值
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焦磷酸盐对KDP晶体透过光谱的影响 被引量：2
5
作者 孙洵 高樟寿 +4 位作者 许心光 傅有君 王圣来 李毅平 曾红 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2001年第3期221-222,226,共3页
研究了焦磷酸盐对 KDP晶体光谱性质的影响。焦磷酸盐对 KDP晶体锥面透过光谱有明显影响 ,其原因在于焦磷酸根在锥面上吸附 ,进入晶格 ,形成一个质子空位 ,导致紫外光谱的额外吸收。
关键词 kdp晶体 透过率 焦磷酸盐 晶体生长 光谱
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掺杂焦磷酸对KDP晶体光散射的影响 被引量：2
6
作者 孙洵 许心光 +4 位作者 傅有君 王圣来 李毅平 曾红 高樟寿 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2000年第6期382-385,共4页
掺杂焦磷酸的情况下降温生长了 KDP晶体 ,采用激光层析法对晶体的光散射现象进行了观察 ,掺杂后晶体的光散射现象明显加剧 ,晶体的锥面、柱面和椎柱交界面处的散射点密度并不相同 ,其原因在于焦磷酸对KDP晶体的锥面和锥面的影响不同。
关键词 焦磷酸 kdp晶体 光散射 激光层析方法
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点籽晶降温法快速生长大尺寸磷酸二氢钾晶体 被引量：1
7
作者 庄欣欣 叶李旺 +6 位作者 汪剑成 苏根博 郑国宗 贺友平 林秀钦 胡国行 赵元安 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第12期2857-2859,共3页
大尺寸磷酸二氢钾(KDP)晶体在惯性约束聚变系统中主要用于制作变频及开关光学元件。在传统生长技术基础上,开展了点籽晶降温法大尺寸KDP晶体的快速生长技术研究,设计制作大型培养槽及载晶架,采用过热注种方式试验点籽晶生长,培育出尺寸5... 大尺寸磷酸二氢钾(KDP)晶体在惯性约束聚变系统中主要用于制作变频及开关光学元件。在传统生长技术基础上,开展了点籽晶降温法大尺寸KDP晶体的快速生长技术研究,设计制作大型培养槽及载晶架,采用过热注种方式试验点籽晶生长,培育出尺寸50 cm×50 cm×41 cm的KDP大单晶,其(100)面生长速度稳定为15 mm/d。晶体在300～1 100 nm波段的透过光谱与常规生长的等同,影响晶体生长及光学品质的主要的金属杂质离子Fe3+,Cr3+,Al3+等含量少于10-6,晶体激光损伤基频阈值30 J/cm2,三倍频阈值达到8.6 J/cm2。 展开更多
关键词 籽晶生长 降温法 快速生长 大尺寸 磷酸二氢钾晶体 reduction method kdp晶体 生长技术 设计制作 杂质离子 阈值 透过光谱 速度稳定 晶体生长 技术基础 激光损伤 光学元件 惯性约束 三倍频 大单晶
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六偏磷酸盐对KDP晶体快速生长及光学性能的影响研究 被引量：1
8
作者 朱胜军 王圣来 +5 位作者 丁建旭 刘光霞 刘文洁 刘琳 顾庆天 许心光 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第1期67-71,共5页
在掺杂不同浓度的六偏磷酸盐溶液中,利用"点籽晶"快速生长法生长了KDP晶体,生长速度约20 mm/d。研究了六偏磷酸盐对快速生长的KDP晶体的生长及光学性能的影响,并与传统慢速生长的晶体进行了对比。实验表明,溶液中掺杂少量六... 在掺杂不同浓度的六偏磷酸盐溶液中,利用"点籽晶"快速生长法生长了KDP晶体,生长速度约20 mm/d。研究了六偏磷酸盐对快速生长的KDP晶体的生长及光学性能的影响,并与传统慢速生长的晶体进行了对比。实验表明,溶液中掺杂少量六偏磷酸盐就会显著降低生长溶液的稳定性,抑制晶体的生长,生长的晶体容易出现包藏、添晶、粉碎性裂纹等缺陷;生长的晶体光学质量也明显下降,例如晶体内部的光散射加重,激光损伤阈值降低;相比传统生长法生长的晶体,同等浓度的六偏磷酸盐对"点籽晶"快速生长法生长的晶体影响更为严重。结合KDP的晶体结构和六偏磷酸盐的分子特点,对其影响机理进行了讨论。 展开更多
关键词 kdp晶体 六偏磷酸盐 快速生长 晶体缺陷 光学性能
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磷酸二氢钾晶体薄表面层生长动力学实时显微研究
9
作者 胡志涛 李明伟 +1 位作者 尹华伟 刘杭 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第18期3116-3122,共7页
利用光学显微镜实时观测磷酸二氢钾(KDP)晶体柱面及锥面薄表面层的生长过程,测得不同过饱和度下薄表面层前端不同倾角的非正常棱边推移速度。结果表明:倾角越小,非正常棱边推移速度越慢,薄表面生长终止于其前端的正常棱边处;随着过饱和... 利用光学显微镜实时观测磷酸二氢钾(KDP)晶体柱面及锥面薄表面层的生长过程,测得不同过饱和度下薄表面层前端不同倾角的非正常棱边推移速度。结果表明:倾角越小,非正常棱边推移速度越慢,薄表面生长终止于其前端的正常棱边处;随着过饱和度的增大,非正常棱边推移速度线性增加。计算得到柱面及锥面薄表面层前端非正常棱边推移动力学系数,由于Eslice(010)> Eslice(101),因而柱面薄表面层的生长动力学系数大于锥面。建立了基于非奇异面上台阶生长机制下的薄表面层生长体扩散模型。应用该模型解释了薄表面层生长速度随其厚度及前端非正常棱边倾角的变化关系,并讨论了溶液流动对薄表面层生长的影响。结果发现薄表面层生长存在一个使其以恒定厚度向前推移的临界厚度。 展开更多
关键词 薄表面层 生长动力学 光学显微镜 磷酸二氢钾晶体 体扩散
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KDP晶体微塑性域增强金刚石切削方法研究
10
作者 李兆中 岳晓斌 阳红 《机械设计与制造》 北大核心 2024年第2期116-118,124,共4页
针对KDP在SPDT切削过程中容易产生凹坑、划痕、裂纹等表面缺陷问题,提出利用热激励的方式增大KDP晶体塑性切削域深度,降低各向异性、机床运动误差、环境振动等因素对加工过程的影响,进而提高SPDT切削加工过程稳定性的方法。通过纳米压... 针对KDP在SPDT切削过程中容易产生凹坑、划痕、裂纹等表面缺陷问题,提出利用热激励的方式增大KDP晶体塑性切削域深度,降低各向异性、机床运动误差、环境振动等因素对加工过程的影响,进而提高SPDT切削加工过程稳定性的方法。通过纳米压痕试验获得了KDP晶体表面在不同温度状态下的硬度和脆塑性转变深度变化规律,并在SPDT机床上采用金刚石刀具开展了KDP晶体飞切划痕实验,进一步验证了适当提高KDP晶体温度可以增大KDP晶体脆塑性转变临界切削深度。在此基础上,对KDP晶体开展了不同温度状态下的切削实验,实验结果表明在相同工艺参数下,随着温度的升高,表面粗糙度Sa值从3.2nm降低至1.6nm。 展开更多
关键词 kdp晶体 热激励 金刚石切削 微塑性域
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磷酸二氢钾晶体精密磨削的试验研究 被引量：1
11
作者 张全中 高航 +1 位作者 王强国 王碧玲 《兵工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第12期1528-1532,共5页
磷酸二氢钾(KDP)晶体具有质软、脆性高,各向异性等不利于材料加工的特点,被认为是最难加工的光学材料。本文采用普通刚玉砂轮和金刚石树脂砂轮对KDP进行磨削试验研究,初步揭示了不同磨削工艺参数对磨削力和表面形貌的影响规律;通过理论... 磷酸二氢钾(KDP)晶体具有质软、脆性高,各向异性等不利于材料加工的特点,被认为是最难加工的光学材料。本文采用普通刚玉砂轮和金刚石树脂砂轮对KDP进行磨削试验研究,初步揭示了不同磨削工艺参数对磨削力和表面形貌的影响规律;通过理论计算得到了KDP晶体(001)晶面临界磨削深度,进而探讨了超精密磨削KDP晶体获得较好表面形貌的途径。 展开更多
关键词 机械制造工艺与设备 kdp晶体 精密磨削 磨削力 表面形貌
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KDP晶体潮解抛光中相对速度的研究 被引量：1
12
作者 郭少龙 潘丽莉 +2 位作者 刘佳航 张庆怀 白浩辰 《工具技术》 北大核心 2024年第2期125-128,共4页
基于KDP晶体潮解抛光原理对KDP晶体抛光过程进行运动学分析,得到KDP晶体表面上一点相对于抛光垫的速度表达式。在抛光垫转数、载样盘圆心与抛光垫圆心之间的水平距离、载样盘圆心与其摆动圆心之间的水平距离、KDP晶体表面上一点到载样... 基于KDP晶体潮解抛光原理对KDP晶体抛光过程进行运动学分析,得到KDP晶体表面上一点相对于抛光垫的速度表达式。在抛光垫转数、载样盘圆心与抛光垫圆心之间的水平距离、载样盘圆心与其摆动圆心之间的水平距离、KDP晶体表面上一点到载样盘圆心的水平距离取不同值时,分别绘制KDP晶体表面某点相对于抛光垫的速度曲线,得到这几个参数对相对速度的影响规律,并据此确定这些参数的优化方向。 展开更多
关键词 kdp晶体 抛光 潮解 相对速度 抛光效率
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磷酸二氢钾晶体的立轴端面可磨性研究 被引量：1
13
作者 曲美娜 金滩 +1 位作者 郭宗福 卢安舸 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 2017年第6期19-23,33,共6页
磷酸二氢钾(potassium dihydrogen phosphate,KDP)晶体是公认的性能优良的光学晶体,尤其是大口径(≥400mm)的KDP晶体,是激光核聚变中不可缺少的光学元件之一。KDP晶体从生长到制造成为光学元件,需要经过切割、精密加工、超精密加工及镀... 磷酸二氢钾(potassium dihydrogen phosphate,KDP)晶体是公认的性能优良的光学晶体,尤其是大口径(≥400mm)的KDP晶体,是激光核聚变中不可缺少的光学元件之一。KDP晶体从生长到制造成为光学元件,需要经过切割、精密加工、超精密加工及镀膜等多道工序,加工周期长。本研究通过立轴端面磨床对KDP晶体进行磨削加工试验,对比不同粒度的树脂结合剂金刚石砂轮(D7、D36、D91、D151),在不同的加工参数下(主轴转速、工件进给速度、磨削切深),对表面粗糙度Ra、表面微观形貌的影响,研究KDP晶体磨削的可行性,为实现以磨代车(抛),缩短KDP光学晶体元件制造周期奠定基础。 展开更多
关键词 kdp晶体 磨削 表面粗糙度 表面微观形貌
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数据驱动的KDP晶体加工表面质量分类研究
14
作者 张川东 汪承毅 王伟 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第6期844-851,共8页
为辅助监控超精密飞切机床对磷酸二氢钾(KDP)精加工过程中偶发的加工误差,结合机床加工过程中的振动数据和温度数据关键特征提取,建立晶体加工表面的预测模型。基于ResNet-18分析振动数据与KDP晶体表面是否合格之间的联系进行二分类预测... 为辅助监控超精密飞切机床对磷酸二氢钾(KDP)精加工过程中偶发的加工误差,结合机床加工过程中的振动数据和温度数据关键特征提取,建立晶体加工表面的预测模型。基于ResNet-18分析振动数据与KDP晶体表面是否合格之间的联系进行二分类预测,最终在测试集上模型准确率达到88.5%。同时,基于XGBoost模型分析温度数据与KDP晶体表面质量低频指标P-V的联系并进行预测,实验结果表明预测模型能较快预测加工元件表面质量,且整体误差在可接受范围内。对加工误差进行溯源分析,构建机床的整机模型,利用有限元分析计算长时间的加工状态下机床的瞬态温度场,仿真结果表明在机床运行8580 s后机床最高温度达26.9℃,并开展实验证明了仿真结果的准确性,证实了“KDP晶体加工后期质量变差”与“机床主轴系统随加工过程持续升温”有关的推论。 展开更多
关键词 有限元分析 kdp晶体 ResNet 超精密飞切机床 XGBoost
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KDP晶体加工表面的亚表面损伤检测与分析 被引量：31
15
作者 吴东江 曹先锁 +3 位作者 王强国 王奔 高航 康仁科 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第11期1721-1726,共6页
采用截面显微法和择优蚀刻法分别对磷酸二氢钾(KDP)晶体从线切割样品制备到磨削、抛光亚表面损伤进行检测,利用OLYMPUS MX40光学显微镜对表面腐蚀现象与亚表面裂纹形状进行观测,并对裂纹深度进行测量。结果表明,由线切割产生的亚表面损... 采用截面显微法和择优蚀刻法分别对磷酸二氢钾(KDP)晶体从线切割样品制备到磨削、抛光亚表面损伤进行检测,利用OLYMPUS MX40光学显微镜对表面腐蚀现象与亚表面裂纹形状进行观测,并对裂纹深度进行测量。结果表明,由线切割产生的亚表面损伤裂纹形状以"斜线状"为主,裂纹深度最大值为85.59μm;由#600砂轮磨削产生的亚表面损伤深度最大值为8.55μm。在(001)晶面出现了四方形的分布密度较高的位错腐蚀坑;而在三倍频晶面上出现的是密度较低、形状类似梯形的位错腐蚀坑。该研究为KDP晶体亚表面损伤提供了一种检测与分析手段。 展开更多
关键词 kdp晶体 损伤检测 裂纹形状 裂纹深度
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KDP晶体柱面生长速率实时测量研究 被引量：18
16
作者 刘冰 王圣来 +3 位作者 房昌水 顾庆天 孙洵 李毅平 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期22-28,共7页
KDP晶体生长速率高精度地实时测量有助于研究各种因素对晶体生长的影响．本文用激光偏振干涉法实现了对KDP晶体柱面生长速率和死区的实时测量,精度达到0．01μm／min．籽晶尺寸等实验条件影响测量的结果,小尺寸(约2mm×2mm)的晶体... KDP晶体生长速率高精度地实时测量有助于研究各种因素对晶体生长的影响．本文用激光偏振干涉法实现了对KDP晶体柱面生长速率和死区的实时测量,精度达到0．01μm／min．籽晶尺寸等实验条件影响测量的结果,小尺寸(约2mm×2mm)的晶体更有利于死区的表征, 溶解阶段造成的晶体表面位错坑是出现干扰测量的“异常”现象的根源． 展开更多
关键词 kdp晶体 死区 生长速率 实时测量
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KDP晶体增透膜和保护膜性能研究 被引量：20
17
作者 张伟清 唐永兴 +3 位作者 乐月琴 蒋敏华 刘小林 孙今人 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第2期220-224,共5页
报道了溶胶－凝胶工艺制备的ＫＤＰ晶体保护膜、增透膜和它们的性能。多孔二氧化硅增透膜峰值透射率大于９９％，膜层折射率约１．２３。对１．０６μｍ，脉宽约１ｎｓ的激光，单层膜的激光破坏阈值约１０Ｊ／ｃｍ２左右，有保护膜和增... 报道了溶胶－凝胶工艺制备的ＫＤＰ晶体保护膜、增透膜和它们的性能。多孔二氧化硅增透膜峰值透射率大于９９％，膜层折射率约１．２３。对１．０６μｍ，脉宽约１ｎｓ的激光，单层膜的激光破坏阈值约１０Ｊ／ｃｍ２左右，有保护膜和增透膜的膜层激光破坏阈值约５～８Ｊ／ｃｍ２。 展开更多
关键词 kdp晶体 增透膜 保护膜 薄膜性能
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Fe^(3+)对KDP晶体生长影响的研究 被引量：19
18
作者 王波 王圣来 +5 位作者 房昌水 孙洵 顾庆天 李义平 王坤鹏 李云南 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期205-208,共4页
金属离子对KDP晶体的影响是多方面的。本文采用不同的过饱和度,在不同的Fe3+掺杂浓度的生长溶液中生长KDP晶体,定量地研究了Fe3+对KDP晶体生长的影响。实验发现,无论是在高过饱和度还是在低过饱和度下生长KDP晶体,在一定的浓度范围内,F... 金属离子对KDP晶体的影响是多方面的。本文采用不同的过饱和度,在不同的Fe3+掺杂浓度的生长溶液中生长KDP晶体,定量地研究了Fe3+对KDP晶体生长的影响。实验发现,无论是在高过饱和度还是在低过饱和度下生长KDP晶体,在一定的浓度范围内,Fe3+的掺入既可以增加生长溶液的稳定性,又可以有效抑制晶体柱面的扩展,而且晶体基本不楔化,同时,对晶体光学性能的影响也不大。 展开更多
关键词 kdp晶体 晶体生长 铁离子 过饱和度 生长习性
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硫酸盐掺杂对KDP晶体生长的影响 被引量：12
19
作者 张建芹 王圣来 +7 位作者 房昌水 孙洵 顾庆天 李毅平 王坤鹏 王波 李云南 刘冰 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第10期1505-1508,共4页
SO42-是KDP原料中一种常见的杂质离子,通过传统降温法和“点籽晶”快速生长法研究了掺杂K2SO4的KDP晶体的生长。实验表明,硫酸根低浓度掺杂时可提高溶液的稳定性,促进晶体的生长,造成柱面扩展;高浓度时溶液稳定性遭到破坏,出现杂晶,晶... SO42-是KDP原料中一种常见的杂质离子,通过传统降温法和“点籽晶”快速生长法研究了掺杂K2SO4的KDP晶体的生长。实验表明,硫酸根低浓度掺杂时可提高溶液的稳定性,促进晶体的生长,造成柱面扩展;高浓度时溶液稳定性遭到破坏,出现杂晶,晶体生长速度变慢,晶体出现开裂,柱面发生“楔化”。 展开更多
关键词 硫酸根 kdp晶体 晶体生长 快速生长
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KDP晶体各向异性力学特性分析 被引量：24
20
作者 曹先锁 吴东江 +2 位作者 王奔 高航 康仁科 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期704-709,共6页
利用压痕实验研究了KDP晶体在(001)晶面不同晶向上的硬度和断裂韧性力学特性,在此基础上利用划痕实验对(001)晶面不同晶向上的脆塑性转变点位置进行了研究。结果表明:在KDP晶体(001)晶面的[110]晶向上硬度值最小,断裂韧性值最大,最易产... 利用压痕实验研究了KDP晶体在(001)晶面不同晶向上的硬度和断裂韧性力学特性,在此基础上利用划痕实验对(001)晶面不同晶向上的脆塑性转变点位置进行了研究。结果表明:在KDP晶体(001)晶面的[110]晶向上硬度值最小,断裂韧性值最大,最易产生塑性变形,最不易产生脆性断裂,在该方向上可以得到较大的临界切削深度,而在[100]晶向上硬度最大,最易产生脆性断裂,不易产生塑性变形,临界切削深度最小。此研究结果为磨削实验提供指导意义,即在(001)晶面上沿[110]晶向能加工出表面质量较好的KDP晶体。 展开更多
关键词 kdp晶体 硬度 断裂韧性 塑性变形 脆性断裂
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