期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
3
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
磷硅镉多晶合成的防爆工艺研究
被引量：
4
1
作者
刘光耀
朱世富
+5 位作者
赵北君
陈宝军
何知宇
樊龙
杨辉
王小元
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第6期1483-1487,共5页
分析了磷硅镉(CdSiP2)多晶合成过程中产生爆炸的原因。采用双层石英安瓿作为反应容器和低温区域在炉管中部的合成炉。在合成低温阶段采用气相输运技术使原料分步反应,防止P蒸气压过高引起爆炸,在合成高温阶段采用机械振荡与熔体温度振...
分析了磷硅镉(CdSiP2)多晶合成过程中产生爆炸的原因。采用双层石英安瓿作为反应容器和低温区域在炉管中部的合成炉。在合成低温阶段采用气相输运技术使原料分步反应,防止P蒸气压过高引起爆炸,在合成高温阶段采用机械振荡与熔体温度振荡相结合的方法使元素化合反应充分、完全,避免了合成中间产物聚集引起容器爆炸,成功合成出了完整、光滑、致密的CdSiP2多晶锭。采用X射线衍射(XRD)对多晶锭进行分析,结果表明:合成材料为高纯单相的CdSiP2多晶体,为CdSiP2单晶体的生长奠定了可靠基础。
展开更多
关键词
磷硅镉
双层石英安瓿
低温气相输运
在线阅读
下载PDF
职称材料
CdSiP2晶体中光散射颗粒的研究
被引量：
3
2
作者
张国栋
李春龙
+3 位作者
王善朋
张翔
张西霞
陶绪堂
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第8期855-858,共4页
采用单温区法合成了CdSiP2（CSP）多晶原料,然后采用垂直布里奇曼法生长了大尺寸的CSP单晶。采用扫描电子显微镜、EDS对晶体中光散射颗粒的尺寸、形貌和成分进行了观察和检测。测试结果表明,所生长的CSP晶体中的光散射颗粒呈近椭圆形,...
采用单温区法合成了CdSiP2（CSP）多晶原料,然后采用垂直布里奇曼法生长了大尺寸的CSP单晶。采用扫描电子显微镜、EDS对晶体中光散射颗粒的尺寸、形貌和成分进行了观察和检测。测试结果表明,所生长的CSP晶体中的光散射颗粒呈近椭圆形,尺寸为2~8μm,主要成分为Si,含量占88%以上。对CSP多晶合成的反应机理研究表明,此第二相颗粒是由于合成时多晶料中残留有少量未反应的Si单质所致。通过合成工艺的改进,有效地减少了晶体中Si散射颗粒的残留,制备出了高透明性的CSP单晶体。
展开更多
关键词
磷硅镉
非线性光学晶体
晶体缺陷
垂直布里奇曼法
在线阅读
下载PDF
职称材料
中红外非线性光学晶体CdSiP2的合成与生长
被引量：
2
3
作者
张国栋
程奎
+1 位作者
张龙振
陶绪堂
《人工晶体学报》
EI
CAS
北大核心
2020年第8期1494-1498,1504,共6页
本文以P,Si,Cd为原料采用双温区法合成出140 g的高纯CdSiP2多晶料锭,分别采用自发形核和施加籽晶的垂直Bridgman法生长出∅12 mm×40 mm和∅15 mm×50 mm优质CdSiP2单晶体。所生长的晶体中无宏观散射颗粒,(004)面的单晶摇摆曲线...
本文以P,Si,Cd为原料采用双温区法合成出140 g的高纯CdSiP2多晶料锭,分别采用自发形核和施加籽晶的垂直Bridgman法生长出∅12 mm×40 mm和∅15 mm×50 mm优质CdSiP2单晶体。所生长的晶体中无宏观散射颗粒,(004)面的单晶摇摆曲线的半峰宽为40″。透过光谱表明CdSiP2晶体在2~6.5μm的透过率达到57%,接近其理论最大值。辉光放电质谱检测到晶体中含有少量的Fe、Cr、Mn、Ti等过渡金属。电子顺磁共振波谱检测到Fe+和Mn^2+的存在,这些杂质可能会引起晶体在近红外波段的光学吸收。
展开更多
关键词
非线性光学晶体
红外激光
磷硅镉
晶体生长
透过率
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
磷硅镉多晶合成的防爆工艺研究
被引量：
4
1
作者
刘光耀
朱世富
赵北君
陈宝军
何知宇
樊龙
杨辉
王小元
机构
四川大学材料科学系
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第6期1483-1487,共5页
基金
国家自然科学基金(51172149)
文摘
分析了磷硅镉(CdSiP2)多晶合成过程中产生爆炸的原因。采用双层石英安瓿作为反应容器和低温区域在炉管中部的合成炉。在合成低温阶段采用气相输运技术使原料分步反应,防止P蒸气压过高引起爆炸,在合成高温阶段采用机械振荡与熔体温度振荡相结合的方法使元素化合反应充分、完全,避免了合成中间产物聚集引起容器爆炸,成功合成出了完整、光滑、致密的CdSiP2多晶锭。采用X射线衍射(XRD)对多晶锭进行分析,结果表明:合成材料为高纯单相的CdSiP2多晶体,为CdSiP2单晶体的生长奠定了可靠基础。
关键词
磷硅镉
双层石英安瓿
低温气相输运
Keywords
CdSiP2
double-wall quartz ampoule
low temperature vapor transport
分类号
TN213 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
CdSiP2晶体中光散射颗粒的研究
被引量：
3
2
作者
张国栋
李春龙
王善朋
张翔
张西霞
陶绪堂
机构
山东大学晶体材料国家重点实验室
山东大学晶体材料研究所
出处
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第8期855-858,共4页
基金
国家自然科学基金(51272129
50721002
+2 种基金
50990061
50802054)
国家重点基础研究发展计划项目(“973”)(2010CB 630702)~~
文摘
采用单温区法合成了CdSiP2（CSP）多晶原料,然后采用垂直布里奇曼法生长了大尺寸的CSP单晶。采用扫描电子显微镜、EDS对晶体中光散射颗粒的尺寸、形貌和成分进行了观察和检测。测试结果表明,所生长的CSP晶体中的光散射颗粒呈近椭圆形,尺寸为2~8μm,主要成分为Si,含量占88%以上。对CSP多晶合成的反应机理研究表明,此第二相颗粒是由于合成时多晶料中残留有少量未反应的Si单质所致。通过合成工艺的改进,有效地减少了晶体中Si散射颗粒的残留,制备出了高透明性的CSP单晶体。
关键词
磷硅镉
非线性光学晶体
晶体缺陷
垂直布里奇曼法
Keywords
CdSiP2
nonlinear optical crystal
crystal defect
vertical Bridgman growth
分类号
O782 [理学—晶体学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
中红外非线性光学晶体CdSiP2的合成与生长
被引量：
2
3
作者
张国栋
程奎
张龙振
陶绪堂
机构
山东大学晶体材料国家重点实验室
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
北大核心
2020年第8期1494-1498,1504,共6页
基金
国家自然科学基金(51972194,51602178,51932004,61975098)
山东省重点研发计划(2018GGX102003)。
文摘
本文以P,Si,Cd为原料采用双温区法合成出140 g的高纯CdSiP2多晶料锭,分别采用自发形核和施加籽晶的垂直Bridgman法生长出∅12 mm×40 mm和∅15 mm×50 mm优质CdSiP2单晶体。所生长的晶体中无宏观散射颗粒,(004)面的单晶摇摆曲线的半峰宽为40″。透过光谱表明CdSiP2晶体在2~6.5μm的透过率达到57%,接近其理论最大值。辉光放电质谱检测到晶体中含有少量的Fe、Cr、Mn、Ti等过渡金属。电子顺磁共振波谱检测到Fe+和Mn^2+的存在,这些杂质可能会引起晶体在近红外波段的光学吸收。
关键词
非线性光学晶体
红外激光
磷硅镉
晶体生长
透过率
Keywords
nonlinear optical crystal
infrared laser
CdSiP2
crystal growth
transmittance
分类号
O782 [理学—晶体学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
磷硅镉多晶合成的防爆工艺研究
刘光耀
朱世富
赵北君
陈宝军
何知宇
樊龙
杨辉
王小元
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
4
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
CdSiP2晶体中光散射颗粒的研究
张国栋
李春龙
王善朋
张翔
张西霞
陶绪堂
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014
3
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
中红外非线性光学晶体CdSiP2的合成与生长
张国栋
程奎
张龙振
陶绪堂
《人工晶体学报》
EI
CAS
北大核心
2020
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
