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磷化铟基异质结双极晶体管研究的新进展
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作者 张汉三 《半导体情报》 1995年第1期1-11,共11页
从纵向结构设计的角度,评述了磷化铟基HBT研究的新进展,介绍了几个重要的研究成果。
关键词 磷化铟 异质材料系统 双极晶体管
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SiGe异质结双极晶体管频率特性分析 被引量:3
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作者 张鹤鸣 戴显英 +3 位作者 吕懿 林大松 胡辉勇 王伟 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期293-297,共5页
在分析载流子输运和分布的基础上,建立了物理意义清晰的各时间常数模型.模型体现了时间常数与SiGe异质结双极晶体管结构参数及电流密度之间的关系,并且包含了基区扩展效应.同时对特征频率与上述参数之间的关系进行了模拟分析和讨论.
关键词 SIGE异质双极晶体管 时间常数 特征频率 构参数 电流密度 基区扩展效应
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MOCVD制备GaAs/AlGaAs异质结和异质结双极晶体管(HBT)的研究 被引量:2
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作者 黄柏标 刘士文 +3 位作者 任红文 刘立强 蒋民华 徐现刚 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1991年第3期230-234,共5页
本文应用MOCVD技术制备出高质量的GaAs,AlGaAs外延材料以及GaAs/AlGaAs异质结和多量子阱结构.首次成功地用该技术生长了微波HBT全结构材料,并获得了较高性能的器件结果:300K时直流增益(β)为15~40,77K时为60,截止频率大于10GHz,最高振... 本文应用MOCVD技术制备出高质量的GaAs,AlGaAs外延材料以及GaAs/AlGaAs异质结和多量子阱结构.首次成功地用该技术生长了微波HBT全结构材料,并获得了较高性能的器件结果:300K时直流增益(β)为15~40,77K时为60,截止频率大于10GHz,最高振荡频率为5.5GHz. 展开更多
关键词 双极晶体管 异质 工艺 MOCVD
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基于Darlington Cascode结构的SiGe异质结双极晶体管UWB低噪声放大器的设计 被引量:4
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作者 丁春宝 张万荣 +7 位作者 金冬月 谢红云 陈亮 沈佩 张东晖 刘波宇 周永强 郭振杰 《高技术通讯》 CAS CSCD 北大核心 2012年第10期1070-1076,共7页
详细地分析了Cascode结构的线性度和3dB带宽,利用Cascode结构的高线性度和Darlington结构的高增益的优点构成了Darlington—Cascode结构,在此基础上,基于台积电TSMC0.35μm SiGe工艺,设计了一款芯片面积小的满足超宽带(UWB)标准... 详细地分析了Cascode结构的线性度和3dB带宽,利用Cascode结构的高线性度和Darlington结构的高增益的优点构成了Darlington—Cascode结构,在此基础上,基于台积电TSMC0.35μm SiGe工艺,设计了一款芯片面积小的满足超宽带(UWB)标准的无电感SiGe异质结双晶体管(HBT)低噪声放大器(LNA)。该放大器利用电阻反馈结构替代了电感-电容(LC)匹配网络结构,实现了输入、输出阻抗匹配,未采用无源电感,节省了芯片面积,芯片面积仅为0.046mm2,并将Darlington—Cascode结构作为LNA的输出级,既提高了增益,又提高了线性度。LNA版图仿真结果表明,在UWB频带范围内,LNA的增益为19.5~20dB,增益平坦度为4-0.25dB;输入、输出匹配良好;线性度为-5- -2dBm;在整个频段内,无条件稳定。 展开更多
关键词 低噪声放大器(LNA) SiGe异质双极晶体管(HBT) 电阻反馈 线性度 共射-共基放大器
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最高振荡频率为46 GHz的GaInP/GaAs异质结双极晶体管 被引量:2
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作者 钱峰 陈新宇 +6 位作者 肖秀红 姚晓峨 周天舒 潘菁 陈效建 齐鸣 李爱珍 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1995年第3期309-310,共2页
最高振荡频率为46 GHz的GaInP/GaAs异质结双极晶体管钱峰,陈新宇,肖秀红,姚晓峨,周天舒,潘菁,陈效建(南京电子器件研究所,210016)齐鸣,李爱珍(中科院上海冶金所,200050)Af_(max)=4... 最高振荡频率为46 GHz的GaInP/GaAs异质结双极晶体管钱峰,陈新宇,肖秀红,姚晓峨,周天舒,潘菁,陈效建(南京电子器件研究所,210016)齐鸣,李爱珍(中科院上海冶金所,200050)Af_(max)=46GHzGaInP/GaAsHBT... 展开更多
关键词 异质 双极晶体管 半导体器件
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一种f_t为176GHz、大电流多指结构的InGaAs/InP异质结双极晶体管(英文) 被引量:1
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作者 金智 程伟 +2 位作者 刘新宇 徐安怀 齐鸣 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期81-84,共4页
针对毫米波电路对大电流、高截止频率器件的要求,利用平坦化技术,设计并制作成功了结构紧凑的四指合成InGaAs/InP异质结双极晶体管.实验结果表明发射极的宽度可减小到1μm.Kirk电流可达到110mA,电流增益截止频率达到176GHz.这种器件有... 针对毫米波电路对大电流、高截止频率器件的要求,利用平坦化技术,设计并制作成功了结构紧凑的四指合成InGaAs/InP异质结双极晶体管.实验结果表明发射极的宽度可减小到1μm.Kirk电流可达到110mA,电流增益截止频率达到176GHz.这种器件有望在中等功率的毫米波电路中有所应用. 展开更多
关键词 INP 异质双极晶体管 高电流 高频
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X波段功率异质结双极晶体管 被引量:4
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作者 钱峰 陈效建 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第1期45-50,共6页
讨论了 X波段功率异质结双极晶体管 (HBT)的设计 ,介绍了器件研制的工艺过程及测试结果。研制的器件在 X波段功率输出大于 5 W,功率密度达到 2 .5 W/mm。采用 76mm圆片工艺制作 ,芯片的 DC成品率高于 80 %。
关键词 X波段 异质双极晶体管 微波 HBT
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InP双异质结双极晶体管的相位噪声特性 被引量:2
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作者 吴永辉 魏洪涛 +3 位作者 刘军 崔雍 樊渝 吴洪江 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第7期537-541,547,共6页
InP双异质结双极晶体管(DHBT)由于优异的频率和相位噪声特性被广泛应用于高品质压控振荡器(VCO)芯片的研制。研究了影响InP DHBT相位噪声特性的因素,并从器件结构和SiN钝化层两方面对器件进行了优化设计。详细介绍了附加相位噪声的测试... InP双异质结双极晶体管(DHBT)由于优异的频率和相位噪声特性被广泛应用于高品质压控振荡器(VCO)芯片的研制。研究了影响InP DHBT相位噪声特性的因素,并从器件结构和SiN钝化层两方面对器件进行了优化设计。详细介绍了附加相位噪声的测试原理和方法,并提出了一种改进的'正交鉴相'在片测量系统,测得所制作的InP DHBT的附加相位噪声在100 kHz偏移频率时达到-144 dBc/Hz。基于此InP DHBT工艺设计并实现了一款47 GHz差分VCO单片微波集成电路(MMIC),测试结果显示1.2 GHz调谐带宽内该VCO的典型单端输出功率为-3.8 dBm,单电源-5 V工作时的电流为23 mA,在100 kHz偏移频率时的相位噪声达到-87 dBc/Hz,验证了文中所研制的InP DHBT优异的相位噪声特性。 展开更多
关键词 InP异质双极晶体管(DHBT) 附加相位噪声 正交鉴相 压控振荡器(VCO) 单片微波集成电路(MMIC)
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锗硅基区异质结双极型晶体管(GeSi-HBT)的研制 被引量:1
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作者 韩平 胡立群 +9 位作者 王荣华 江若琏 顾书林 朱顺明 张荣 郑有炓 茅保华 傅义珠 汪建元 熊承堃 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1992年第4期382-382,共1页
GeSi/Si异质结构材料因其物理特性及其与硅平面工艺的相容性,是制备一系列高频、高速、低温器件的新型半导体材料,可用于通讯、雷达、遥感、计算机、低温电子学等领域。 南京大学与南京电子器件研究所合作,在国内首次研制出GeSi-HBT器... GeSi/Si异质结构材料因其物理特性及其与硅平面工艺的相容性,是制备一系列高频、高速、低温器件的新型半导体材料,可用于通讯、雷达、遥感、计算机、低温电子学等领域。 南京大学与南京电子器件研究所合作,在国内首次研制出GeSi-HBT器件。该器件结构如图1所示。在N^+-Si(100)衬底上外延n-Si层作为集电区,采用快速辐射加热/超低压化学气相淀积(RRH/VLP-CVD)外延方法制备掺硼的GeSi基区,用PECVD方法生长掺磷的p-Si:H发射区。工艺上采取了一系列措施,完成了GeSi-HBT器件的制备。 展开更多
关键词 双极晶体管 异质 研制 锗硅区
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锗硅异质结双极晶体管空间辐射效应研究进展 被引量:5
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作者 李培 贺朝会 +3 位作者 郭红霞 张晋新 魏佳男 刘默寒 《太赫兹科学与电子信息学报》 2022年第6期523-534,共12页
异质结带隙渐变使锗硅异质结双极晶体管(SiGeHBT)具有良好的温度特性,可承受-180~+200℃的极端温度,在空间极端环境领域具有诱人的应用前景。然而,SiGeHBT器件由于材料和工艺结构的新特征,其空间辐射效应表现出不同于体硅器件的复杂特... 异质结带隙渐变使锗硅异质结双极晶体管(SiGeHBT)具有良好的温度特性,可承受-180~+200℃的极端温度,在空间极端环境领域具有诱人的应用前景。然而,SiGeHBT器件由于材料和工艺结构的新特征,其空间辐射效应表现出不同于体硅器件的复杂特征。本文详述了SiGeHBT的空间辐射效应研究现状,重点介绍了国产工艺SiGeHBT的单粒子效应、总剂量效应、低剂量率辐射损伤增强效应以及辐射协同效应的研究进展。研究表明,SiGeHBT作为双极晶体管的重要类型,普遍具有较好的抗总剂量和位移损伤效应的能力,但单粒子效应是制约其空间应用的瓶颈问题。由于工艺的不同,国产SiGeHBT还表现出显著的低剂量率辐射损伤增强效应响应和辐射协同效应。 展开更多
关键词 锗硅异质双极晶体管 单粒子效应 总剂量效应 低剂量率辐射损伤增强效应 电离总剂量/单粒子效应协同效应 电离总剂量/位移损伤协同效应
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InP/InGaAsP异质结双极晶体管发射极条长及基区宽度的选择 被引量:1
11
作者 陈维友 刘式墉 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1994年第1期33-39,共7页
本文以Ebers-Moll模型为基础,对InP/InGaAsP异质结双极晶体管的高频小信号调制性能进行计算机辅助分析,研究了影响器件高频性能的几个主要模型参数,讨论了在一定的工作电流下,发射极条长及基区宽度对器件高频... 本文以Ebers-Moll模型为基础,对InP/InGaAsP异质结双极晶体管的高频小信号调制性能进行计算机辅助分析,研究了影响器件高频性能的几个主要模型参数,讨论了在一定的工作电流下,发射极条长及基区宽度对器件高频小信号调制性能的影响,给出了优化选择发射极条长及基区宽度的近似方法。 展开更多
关键词 异质 双极晶体管 优化设计 CAA
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异质结双极晶体管基区复合电流的解析模型 被引量:1
12
作者 严北平 孙晓玮 罗晋生 《半导体情报》 1998年第5期55-59,共5页
从求解异质结双极晶体管基区的二维电流连续性方程出发,推导出了基区少数载流子浓度的解析解,由此获得了基区各种复合电流的解析表达式。基于该模型完成了算法研究和软件编制,计算出了器件所能达到的理论电流增益。
关键词 异质 双极晶体管 基区复合电流 电流增益
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Si-SiGe-Si异质结双极晶体管的数字模拟 被引量:1
13
作者 郭宝增 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1992年第4期300-305,共6页
报道了Si-SiGe-Si异质结双极晶体管的数字模拟结果。采用有限差分法解半导体器件的载流子输运方程,求出各点上的载流子浓度及其电位,由此可确定器件的直流特性。器件的发射区掺杂浓度为1.4×10^(17)cm^(-3),基区掺杂浓度为7×10... 报道了Si-SiGe-Si异质结双极晶体管的数字模拟结果。采用有限差分法解半导体器件的载流子输运方程,求出各点上的载流子浓度及其电位,由此可确定器件的直流特性。器件的发射区掺杂浓度为1.4×10^(17)cm^(-3),基区掺杂浓度为7×10^(18)cm^(-3),SiGe基区中Ge摩尔含量为0.31,模拟得到的最高电流增益为390。数字模拟得到的晶体管特性曲线与实验结果符合良好。 展开更多
关键词 异质 数字模拟 双极晶体管
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SiGe/Si异质结双极晶体管工艺技术研究
14
作者 贾素梅 杨瑞霞 +2 位作者 刘英坤 邓建国 高渊 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期276-279,304,共5页
介绍了多晶硅发射极双台面SiGe/Si异质结双极晶体管制作工艺流程。通过对LPCVD在n型Si衬底上外延生长SiGe合金层作为异质结双极晶体管基区、自中止腐蚀工艺制作发射区台面、多晶硅n型杂质掺杂工艺制作发射极、PtSi金属硅化物制作器件欧... 介绍了多晶硅发射极双台面SiGe/Si异质结双极晶体管制作工艺流程。通过对LPCVD在n型Si衬底上外延生长SiGe合金层作为异质结双极晶体管基区、自中止腐蚀工艺制作发射区台面、多晶硅n型杂质掺杂工艺制作发射极、PtSi金属硅化物制作器件欧姆接触等工艺技术进行研究,探索出关键工艺的控制方法,并对采用以上工艺技术制作的多晶硅发射极双台面SiGe/Si异质结双极晶体管进行了I-V特性及频率特性测试。结果显示该器件饱和压降小,欧姆接触良好,直流电流放大倍数β随Ic变化不大,截止频率最高达到11.2 GHz。 展开更多
关键词 SIGE/SI异质双极晶体管 能带工程 掺杂工程 台面 关键工艺
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重掺碳基区GaInP/GaAs异质结双极晶体管初探
15
作者 严北平 潘静 +2 位作者 蔡克理 章其麟 罗晋生 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1995年第3期307-308,共2页
重掺碳基区GaInP/GaAs异质结双极晶体管初探严北平,潘静,蔡克理,章其麟,罗晋生(西安交通大学电子工程系,710049)(河北半导体研究所,石家庄,050051)AStudyofGaInP/GaAs-HBTwi... 重掺碳基区GaInP/GaAs异质结双极晶体管初探严北平,潘静,蔡克理,章其麟,罗晋生(西安交通大学电子工程系,710049)(河北半导体研究所,石家庄,050051)AStudyofGaInP/GaAs-HBTwithaHeavilyC-doped... 展开更多
关键词 双极晶体管 半导体 GaInP/GaAu 异质 掺碳
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微空气桥隔离的自对准AlGaAs/GaAs异质结双极晶体管
16
作者 严北平 张鹤鸣 戴显英 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第11期132-133,136,共3页
利用微空气桥隔离和自对准技术成功地研制出了自对准结构的AlGaAs/GaAs异质结双极晶体管 .器件展现出良好的直流和高频特性 .对于发射极面积为 2 μm× 15 μm的器件 ,直流电流增益大于 10 ,失调电压 (Offsetvoltage)2 0 0mV ;电流... 利用微空气桥隔离和自对准技术成功地研制出了自对准结构的AlGaAs/GaAs异质结双极晶体管 .器件展现出良好的直流和高频特性 .对于发射极面积为 2 μm× 15 μm的器件 ,直流电流增益大于 10 ,失调电压 (Offsetvoltage)2 0 0mV ;电流增益截止频率fT 大于 30GHz,最高振荡频率fmax约为 5 0GHz. 展开更多
关键词 ALGAAS/GAAS 异质 双极晶体管 微空气桥隔离
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硅锗基区异质结双极晶体管的研究进展 被引量:4
17
作者 谢自力 《半导体情报》 1997年第4期18-22,共5页
叙述了硅锗基区异质结双极晶体管的研究发展现状,分析了该晶体管的结构机理、特点及制造技术,并且阐述了该器件的发展前景。
关键词 应变层 异质 硅销基区 双极晶体管
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硅赝异质结双极晶体管的电学参数性能分析
18
作者 黄流兴 魏同立 《东南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 1994年第2期8-14,共7页
具有重掺杂基区和中等掺杂发射区的硅赝异质结双极晶体管(PHBT),其能带结构类似于真实异质结双极晶体管(HBT)的能带结构,本文研究了硅赝异质结双极晶体管的电流增益,截止频率和基区电阻等电学参数性能及其与温度的关系,... 具有重掺杂基区和中等掺杂发射区的硅赝异质结双极晶体管(PHBT),其能带结构类似于真实异质结双极晶体管(HBT)的能带结构,本文研究了硅赝异质结双极晶体管的电流增益,截止频率和基区电阻等电学参数性能及其与温度的关系,并指出了硅赝异质结双极晶体管在低温下应用的潜力。 展开更多
关键词 双极晶体管 异质 电子参数
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InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管技术发展现状(Ⅰ)
19
作者 齐志华 李献杰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第8期721-725,共5页
InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管(DHBT)以其独特的交错Ⅱ型能带结构,在频率特性、击穿特性和热特性等方面较传统的InP/InGaAsSHBT与InP/InGaAs/InPDHBT等显示出极大的优越性。对InP/GaAsSb/InPⅡ型DHBT技术的提出、外延层结构设计与... InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管(DHBT)以其独特的交错Ⅱ型能带结构,在频率特性、击穿特性和热特性等方面较传统的InP/InGaAsSHBT与InP/InGaAs/InPDHBT等显示出极大的优越性。对InP/GaAsSb/InPⅡ型DHBT技术的提出、外延层结构设计与生长、器件结构设计、器件制造工艺与优化以及国内外发展情况研究水平、发展趋势和商业化情况进行了系统的回顾和展望。指出结合垂直方向材料结构优化缩小器件尺寸和采用微空气桥隔离基极电极结构是InP/GaAsSb/InPDHBT向THz截止频率发展的最重要的技术路线。 展开更多
关键词 GaAsSb/InP 异质双极晶体管 异质双极晶体管 Ⅱ型异质双极晶体管 微空气桥
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PNP和NPN型异质结双极晶体管的不同设计考虑
20
作者 严北平 罗晋生 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1997年第3期212-217,共6页
PNP和NPN高频异质结双极晶体管的设计有明显不同,这主要归因于砷化镓中电子与空穴的迁移率存在显著差别。这种差别在基区和子集电区外延层的设计中体现得尤为明显。文中详细讨论了PNP和NPN两种类型的异质结双极晶体管各自外延层的设计... PNP和NPN高频异质结双极晶体管的设计有明显不同,这主要归因于砷化镓中电子与空穴的迁移率存在显著差别。这种差别在基区和子集电区外延层的设计中体现得尤为明显。文中详细讨论了PNP和NPN两种类型的异质结双极晶体管各自外延层的设计考虑。 展开更多
关键词 异质 双极晶体管 PNP型 HBT NPN型
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