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题名外延生长用磷化铟单晶片清洗技术
被引量:3
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作者
武永超
林健
刘春香
王云彪
赵权
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机构
中国电子科技集团公司第四十六研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第8期620-624,共5页
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文摘
根据磷化铟晶片的清洗机理,进行了三组磷化铟晶片清洗实验,并使用原子力显微镜(AFM)、表面分析仪和X射线光电子能谱(XPS)对晶片的化学成分、表面粗糙度及均匀性进行了表征,最终确定了氧化-酸剥离的磷化铟清洗工艺,并对清洗过程中晶片表面雾值变化进行研究。结果表明,清洗后的磷化铟晶片表面粗糙度达到0.12 nm,优于国外磷化铟晶片(0.15~0.17 nm)。XPS测试结果显示晶片表面形成了富铟层,富铟层降低了磷化铟晶片表面化学活性,起到了表面稳定作用,提高了外延生长质量。
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关键词
磷化铟单晶衬底
表面雾值
表面粗糙度
原子力显微镜(AFM)
X射线光电子能谱(XPS)
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Keywords
In P single crystal substrate
surface haze value
surface roughness
atomic force microscopy(AFM)
X-ray photoelectron spectroscopy(XPS)
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分类号
TN305.97
[电子电信—物理电子学]
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