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Siδ掺杂GaAs多量子阱的磁量子输运
1
作者
韦亚一
郑国珍
+3 位作者
郭少令
汤定元
彭正夫
张允强
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1994年第1期37-43,共7页
使用ＭＢＥ技术低温生长了含有３个Ｓｉδ掺杂层的ＧａＡｓ外延片，形成三量子阶结构．在４．２～３００Ｋ温区０．１Ｔ的电磁铁上测量了样品载流子浓度和迁移率随温度的变化．在０．３～４．２Ｋ（３Ｈｅ温区）和０～７Ｔ强磁场下测量...
使用ＭＢＥ技术低温生长了含有３个Ｓｉδ掺杂层的ＧａＡｓ外延片，形成三量子阶结构．在４．２～３００Ｋ温区０．１Ｔ的电磁铁上测量了样品载流子浓度和迁移率随温度的变化．在０．３～４．２Ｋ（３Ｈｅ温区）和０～７Ｔ强磁场下测量了样品的横向磁阻、纵向磁阻和霍尔电阻．观察到了横向磁阻的ＳｄＨ振荡和纵向磁阻的抗磁ＳｄＨ振荡．根据实验结果着重讨论了纵向磁阻振荡的起源以及霍尔振荡的含义，简单分析了δ掺杂二维电子气中磁致金属一绝缘体转变的实验条件．
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关键词
多
量子
阱
磁量子输运
砷化镓
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职称材料
题名
Siδ掺杂GaAs多量子阱的磁量子输运
1
作者
韦亚一
郑国珍
郭少令
汤定元
彭正夫
张允强
机构
中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1994年第1期37-43,共7页
文摘
使用ＭＢＥ技术低温生长了含有３个Ｓｉδ掺杂层的ＧａＡｓ外延片，形成三量子阶结构．在４．２～３００Ｋ温区０．１Ｔ的电磁铁上测量了样品载流子浓度和迁移率随温度的变化．在０．３～４．２Ｋ（３Ｈｅ温区）和０～７Ｔ强磁场下测量了样品的横向磁阻、纵向磁阻和霍尔电阻．观察到了横向磁阻的ＳｄＨ振荡和纵向磁阻的抗磁ＳｄＨ振荡．根据实验结果着重讨论了纵向磁阻振荡的起源以及霍尔振荡的含义，简单分析了δ掺杂二维电子气中磁致金属一绝缘体转变的实验条件．
关键词
多
量子
阱
磁量子输运
砷化镓
Keywords
doping GaAs MQW
quantum magnetotransport
diamagnetic SdH oscillation
分类号
TN304.01 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
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1
Siδ掺杂GaAs多量子阱的磁量子输运
韦亚一
郑国珍
郭少令
汤定元
彭正夫
张允强
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1994
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