过滤管道作为第二阳极的磁过滤阴极真空弧沉积系统

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作者 王广甫 张荟星 张孝吉 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2000年第6期775-778,共4页

建立了一台磁过滤脉冲阴极真空弧沉积装置 .通过在 90°磁过滤管道和阴极之间加一30～ 60V的正偏压使系统沉积速率得到了大幅度提高 .研究和观察表明 ,此时在过滤管道和阴极之间产生了阴极真空弧放电 ,并因此使阴极消耗率大幅度增... 建立了一台磁过滤脉冲阴极真空弧沉积装置 .通过在 90°磁过滤管道和阴极之间加一30～ 60V的正偏压使系统沉积速率得到了大幅度提高 .研究和观察表明 ,此时在过滤管道和阴极之间产生了阴极真空弧放电 ,并因此使阴极消耗率大幅度增大 .对此放电回路及其和MEVVA阳极 展开更多

关键词 阴极真空弧 等离子体沉积 磁过滤管道 第二阳极

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过滤管道磁场在改进真空弧沉积系统中的作用

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作者 王广甫 张荟星 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 2001年第3期229-233,共5页

在 90°磁过滤管道和MEVVA源阴极之间加 30～ 60V的正偏压可使磁过滤管道起到阴极弧放电第二阳极的作用。在此情况下 ,就磁过滤管道磁场对MEVVA源阳极 阴极和磁过滤管道 阴极两个回路弧放电和磁过滤管道等离子体传输效率的影响进... 在 90°磁过滤管道和MEVVA源阴极之间加 30～ 60V的正偏压可使磁过滤管道起到阴极弧放电第二阳极的作用。在此情况下 ,就磁过滤管道磁场对MEVVA源阳极 阴极和磁过滤管道 阴极两个回路弧放电和磁过滤管道等离子体传输效率的影响进行了实验研究。研究结果表明 :随磁过滤磁场升高 ,磁过滤管道和阴极之间的弧放电规模降低 ,系统的等离子体传输效率升高 。 展开更多

关键词 阴极真空弧放电 磁过滤管道 第二阳极作用 薄膜 磁过滤管道磁场 制备 真空弧沉积系统

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磁过滤阴极真空弧沉积装置研究中的等效电路方法

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作者 王广甫 张荟星 《真空科学与技术》 EI CSCD 北大核心 2003年第1期16-18,共3页

提出了模拟磁过滤阴极真空弧放电等离子体沉积装置阴极弧放电过程的等效电路 ,并用此电路定性研究了各参数对弧放电的影响 。

关键词 磁过滤阴极 真空弧放电等离子体沉积装置 阴极弧放电过程 等效电路 薄膜 制备

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双弯管磁过滤阴极真空弧技术沉积超厚多层钛掺杂类金刚石膜 被引量：4

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作者 姜其立 王浩琦 +3 位作者 周晗 庞盼 刘建武 廖斌 《中国表面工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第3期53-60,共8页

极端工况对关键部件涂层的性能要求较高,作为常用涂层,薄类金刚石(Diamond-like carbon,DLC)膜因其厚度的局限性已不能满足日益增长的性能需求,因此超厚DLC膜的制备工艺具有较大的现实意义。采用双弯管磁过滤阴极真空弧沉积技术制备多... 极端工况对关键部件涂层的性能要求较高,作为常用涂层,薄类金刚石(Diamond-like carbon,DLC)膜因其厚度的局限性已不能满足日益增长的性能需求,因此超厚DLC膜的制备工艺具有较大的现实意义。采用双弯管磁过滤阴极真空弧沉积技术制备多层Ti掺杂DLC膜,并通过显微维氏硬度计、摩擦磨损试验仪、场发射扫描电子显微镜(FESEM)、能谱仪(EDS)、透射电子显微镜(TEM)、X光电子能谱仪(XPS)、X射线衍射仪(XRD)、拉曼光谱仪(Raman)等对膜的结构和性能进行表征。结果表明:薄膜的沉积速率最高可达0.40μm/min;随着沉积过程中C2H2流量的增加,Ti掺杂DLC膜中超硬Ti C相的相对含量降低,因此导致膜硬度降低,同时热稳定性变差;通过金属掺杂以及多层复合结构的方法能够有效制备低内应力的DLC膜,同时实现超厚DLC膜(最高可达42.3μm)的制备。 展开更多

关键词 超厚DLC膜 Ti掺杂 双弯管 磁过滤阴极真空弧沉积 C2H2

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基于磁过滤阴极真空弧沉积技术制备AlCrTiZrMo非晶高熵合金薄膜及其性能研究

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作者 陈淑年 廖斌 欧阳晓平 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2022年第5期674-680,共7页

基于磁过滤阴极真空弧沉积技术研究了负偏压对AlCrTiZrMo非晶高熵合金薄膜的形貌、元素以及微观结构的影响,进而讨论了AlCrTiZrMo非晶高熵合金薄膜的成膜及结晶机制.通过SEM、EDS、XRD和TEM对薄膜的形貌与结构等性能进行测试分析,实验... 基于磁过滤阴极真空弧沉积技术研究了负偏压对AlCrTiZrMo非晶高熵合金薄膜的形貌、元素以及微观结构的影响,进而讨论了AlCrTiZrMo非晶高熵合金薄膜的成膜及结晶机制.通过SEM、EDS、XRD和TEM对薄膜的形貌与结构等性能进行测试分析,实验结果表明:不同沉积离子能量条件下,薄膜具有优异的表面品质;随着沉积离子能量的不断增加,薄膜厚度随之减小;同时,沉积离子能量对高熵晶相的调控有明显效果,沉积离子能量的增加使AlCrTiZrMo高熵合金薄膜微结构从非晶相(am)转变为相稳定的am+FCC纳米复合结构. 展开更多

关键词 磁过滤阴极真空弧 非晶高熵合金薄膜 沉积离子能量

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磁过滤阴极真空弧法制备类金刚石膜的场致发射特性研究 被引量：3

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作者 李建 童洪辉 +2 位作者 王坤 但敏 金凡亚 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第8期8204-8209,共6页

采用磁过滤阴极真空弧沉积法,在Cu基底表面上制备了以钛(Ti)和碳化碳(TiC)作为过滤层的类金刚石膜层。利用自制的场致发射特性测试设备,研究了类金刚石膜层的场致发射特性。利用拉曼光谱仪(Raman)和扫描电子显微镜(SEM)等分析方法对类... 采用磁过滤阴极真空弧沉积法,在Cu基底表面上制备了以钛(Ti)和碳化碳(TiC)作为过滤层的类金刚石膜层。利用自制的场致发射特性测试设备,研究了类金刚石膜层的场致发射特性。利用拉曼光谱仪(Raman)和扫描电子显微镜(SEM)等分析方法对类金刚石膜的键合结构和微观形貌进行了表征。研究发现,利用磁过滤阴极真空弧沉积法可以在沉积温度100℃下制备膜基结合力较好的类金刚石膜。沉积速率为15 nm/min。类金刚石膜具有较好的场致发射特性,开启电压约为40 V/μm。Raman分析得到不同基底偏压下的类金刚石膜的ID/IG为1.19~1.57;SEM分析显示薄膜的微观结构上具有微米级突起结构。实验表明,应用磁过滤阴极真空弧方法可以制备出高sp3含量、表面具有微米级突起的类金刚石膜,这种类金刚石膜具有有利于场致发射的特性。 展开更多

关键词 类金刚石膜 场致发射 磁过滤阴极真空弧沉积 脉冲偏压 过渡层

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磁过滤阴极真空弧法制备纳米nc-ZrCN/a-C:H(N)复合膜

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作者 周奎 张旭 +2 位作者 覃礼钊 廖斌 吴先映 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2008年第5期487-490,共4页

采用磁过滤阴极真空弧法,以C2H2和N2混合气体为反应气体在单晶硅上沉积纳米nc-ZrCN/a-C:H(N)复合膜,用X射线衍射(XRD)、扫描电镜的能谱仪(SEM-EDS)和X射线电子能谱(XPS)研究了薄膜的成分和结构.实验结果表明薄膜结构是由ZrCN晶粒镶嵌在... 采用磁过滤阴极真空弧法,以C2H2和N2混合气体为反应气体在单晶硅上沉积纳米nc-ZrCN/a-C:H(N)复合膜,用X射线衍射(XRD)、扫描电镜的能谱仪(SEM-EDS)和X射线电子能谱(XPS)研究了薄膜的成分和结构.实验结果表明薄膜结构是由ZrCN晶粒镶嵌在无定形碳和碳氮化合物基体中;膜中的化合键主要以Zr—C,C C(sp2)和C—C(sp3)形式存在;随着混合气体流量的增加,薄膜的锆原子分数减小,而N和C的原子分数逐渐增大. 展开更多

关键词 磁过滤阴极真空弧法(fcva) 纳米nc ZrCN/a—C:H(N)复合膜 气体流量

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磁过滤阴极弧法制备CrCN薄膜结构与组分研究 被引量：2

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作者 王浩琦 覃礼钊 +5 位作者 官家建 李彬 林华 李元 梁宏 廖斌 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第1期9-14,共6页

目的通过磁过滤阴极弧沉积技术制备质量优异的CrCN涂层。研究乙炔/氮气混合气体流量以及基底偏压对薄膜结构和成分的影响。方法采用磁过滤真空阴极弧沉积技术,在20~100 m L/min变化的乙炔/氮气混合气体流量参数下沉积CrCN复合薄膜。通过... 目的通过磁过滤阴极弧沉积技术制备质量优异的CrCN涂层。研究乙炔/氮气混合气体流量以及基底偏压对薄膜结构和成分的影响。方法采用磁过滤真空阴极弧沉积技术,在20~100 m L/min变化的乙炔/氮气混合气体流量参数下沉积CrCN复合薄膜。通过X射线衍射、场发射电子显微镜、扫描探针显微镜、X射线光电子能谱仪、透射电镜,对薄膜的物相结构和形貌进行分析。结果随着气体流量的增加,CrCN复合薄膜的晶粒逐渐减小最终向非晶化转变。TEM结果表明,在CrCN复合薄膜中有大量几纳米到十几纳米的纳米晶浸没在非晶成分中。SPM表明,随着基底偏压由–200 V增大到–150 V,CrCN薄膜的表面粗糙度Sa由0.345 nm上升至4.38 nm。XPS、TEM和XRD数据表明,薄膜中Cr元素主要以单质Cr、Cr N以及Cr3C2的形式存在。结论采用磁过滤真空阴极弧沉积技术制备的CrCN复合薄膜具有纳米晶-非晶镶嵌结构。该方法沉积的CrCN薄膜的表面粗糙度与基底负偏压有关。混合气体的流量变化对薄膜组分的变化几乎无影响。 展开更多

关键词 CrCN 结构分析 磁过滤真空阴极弧沉积 X射线光电子能谱

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磁过滤沉积TiAlSiN纳米薄膜的摩擦磨损与腐蚀磨损行为 被引量：1

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作者 蒋琴 孙丽 张旭 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第8期214-224,共11页

目的研究磁过滤沉积方法制备的TiAlSiN纳米薄膜的结构及力学性能对摩擦学性能及腐蚀磨损行为的影响。方法采用磁过滤阴极真空弧沉积技术,在6×10^(-2)~15×10^(-2)Pa的N_(2)气压条件下,将316L不锈钢作为基底,制备出TiAlSiN薄膜... 目的研究磁过滤沉积方法制备的TiAlSiN纳米薄膜的结构及力学性能对摩擦学性能及腐蚀磨损行为的影响。方法采用磁过滤阴极真空弧沉积技术,在6×10^(-2)~15×10^(-2)Pa的N_(2)气压条件下,将316L不锈钢作为基底,制备出TiAlSiN薄膜。利用SEM、XRD、XPS对薄膜的结构成分形貌进行表征分析,使用摩擦磨损仪分析测试薄膜的摩擦磨损行为,并且使用电化学工作站分析测试薄膜在3.5%(质量分数)人工海水环境下的摩擦磨损及开路电位变化曲线,通过台阶仪测得磨损后磨痕轮廓曲线,并计算磨损率。结果TiAlSiN薄膜具有典型的非晶包覆纳米晶的复合结构,薄膜表面细致光滑,截面无明显柱状晶结构。随着气压的增大,薄膜晶粒尺寸从26 nm降至12 nm。在0.08 Pa气压下制备的TiAlSiN薄膜的力学性能最佳,纳米硬度为22 GPa,基膜结合力达到28 N,干摩擦系数为0.412,磨损率为0.5×10^(-6)mm^(3)/(N·m)。在3.5%人工海水介质中,TiAlSiN薄膜的摩擦系数为0.36,磨损率为2.5×10^(-6)mm^(3)/(N·m),腐蚀和磨损的交互作用使磨损率增大。结论磁过滤阴极真空弧沉积技术制备的TiAlSiN纳米薄膜表现出良好的力学性能,兼具耐摩擦和耐磨蚀性能,具有宽广的应用前景。 展开更多

关键词 TiAlSiN薄膜 磁过滤阴极真空弧沉积技术 耐磨性 磨损腐蚀

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物理气相沉积法制备的CrN涂层的摩擦学性能 被引量：5

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作者 莫继良 朱旻昊 《西南交通大学学报》 EI CSCD 北大核心 2008年第2期280-284,共5页

用CETR UMT-2摩擦磨损试验机对比磁过滤阴极真空弧源和多弧离子镀方法制备的CrN涂层在往复滑动条件下的摩擦磨损行为.用X射线衍射、显微硬度计、纳米压痕仪表征涂层的基本特性;用台阶仪、扫描电子显微镜和电子能谱对磨痕进行微观分析,... 用CETR UMT-2摩擦磨损试验机对比磁过滤阴极真空弧源和多弧离子镀方法制备的CrN涂层在往复滑动条件下的摩擦磨损行为.用X射线衍射、显微硬度计、纳米压痕仪表征涂层的基本特性;用台阶仪、扫描电子显微镜和电子能谱对磨痕进行微观分析,探讨不同结构CrN涂层的磨损失效机理.与多弧离子镀技术制备的CrN涂层相比,磁过滤阴极真空弧源技术制备的CrN涂层更光滑、致密和连续,有较高的硬度和较优越的耐磨性能.涂层微结构的差异是造成摩擦磨损性能差异的主要原因.2种CrN涂层的滑动磨损为磨粒磨损和氧化磨损共同作用的结果. 展开更多

关键词 CRN涂层 物理气相沉积 磁过滤阴极真空弧源 多弧离子镀 摩擦磨损

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FCVAD合成Ta-C(N)薄膜及其Raman和XPS分析 被引量：3

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作者 王广甫 张荟星 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期535-539,共5页

掺N非晶金刚石Ta-C(N)薄膜是合成β-C3N4研究中出现的一种新型固体薄膜材料,近年来由于其优异的电化学性能受到越来越多的关注。我们用磁过滤阴极真空弧等离子体沉积(FCVAD)方法在不同N2分压下,在Si衬底上合成了Ta-C(N)薄膜。Raman和XP... 掺N非晶金刚石Ta-C(N)薄膜是合成β-C3N4研究中出现的一种新型固体薄膜材料,近年来由于其优异的电化学性能受到越来越多的关注。我们用磁过滤阴极真空弧等离子体沉积(FCVAD)方法在不同N2分压下,在Si衬底上合成了Ta-C(N)薄膜。Raman和XPS分析表明Ta-C:N薄膜中的N主要以C—N的方式与C结合。N2分压越大,N/C原子比越高,最高可达31.1%。但同时sp3键含量越低,并且合成Ta-C:N薄膜的速度越慢。 展开更多

关键词 磁过滤阴极真空弧沉积 掺杂 固体薄膜材料 钽-碳薄膜 氮原子 X射线分析 RAMAN光谱分析

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气体流速对FCVA技术制备nc-ZrC/a-C:H复合膜的影响

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作者 李作文 黄鑫 +5 位作者 廖斌 曹望 周福增 伏开虎 周晗 张旭 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2014年第6期609-613,共5页

采用磁过滤阴极真空弧(FCVA)技术,室温下通入C2H2在Si(100)与304不锈钢片上制备nc-ZrC/a-C:H复合薄膜.采用XRD、Raman、XPS、SEM-EDS研究了薄膜的成分及微观结构,利用纳米力学探针和摩擦磨损仪测试薄膜的硬度及摩擦磨损性能.主要讨论了... 采用磁过滤阴极真空弧(FCVA)技术,室温下通入C2H2在Si(100)与304不锈钢片上制备nc-ZrC/a-C:H复合薄膜.采用XRD、Raman、XPS、SEM-EDS研究了薄膜的成分及微观结构,利用纳米力学探针和摩擦磨损仪测试薄膜的硬度及摩擦磨损性能.主要讨论了不同C2H2气体流速对复合膜成分、结构及其性能的影响,研究结果表明:C2H2气体流速由20mL·min-1增加到70mL·min-1时,薄膜中的C原子分数逐渐升高;气体流速超过70mL·min-1后,C原子分数趋于平稳(约为75%).随着气体流速的增加,薄膜硬度呈现先增后减的趋势,当气体流速为40mL·min-1时(C原子分数约为65%),制备的薄膜综合机械性能达到最佳(硬度41.49GP,摩擦因数0.25). 展开更多

关键词 磁过滤阴极真空弧(fcva) nc-ZrC/a-C:H 气体流速

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纳米弹性复合DLC薄膜的制备及其摩擦性能研究 被引量：3

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作者 程广贵 丁建宁 +3 位作者 凌智勇 坎标 范真 石超燕 《摩擦学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期207-212,共6页

利用磁过滤阴极真空弧沉积系统在硅片及以硅片为基底的2种弹性体材料表面沉积厚度为2．7nm的DLC膜，采用原子力显微镜和拉曼光谱仪对薄膜的形貌及成分进行分析，用纳米力学测试系统测量薄膜的弹性模量和硬度，用UMT-2型多功能微摩擦磨... 利用磁过滤阴极真空弧沉积系统在硅片及以硅片为基底的2种弹性体材料表面沉积厚度为2．7nm的DLC膜，采用原子力显微镜和拉曼光谱仪对薄膜的形貌及成分进行分析，用纳米力学测试系统测量薄膜的弹性模量和硬度，用UMT-2型多功能微摩擦磨损试验机考察其摩擦性能．结果表明，以γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷（187）为偶联剂的薄膜试样表面比以γ-氨丙基三乙氧基硅烷（APS）为偶联剂的薄膜试样表面更致密且粗糙度更低，薄膜的最上层为DLC膜．在硅表面沉积DLC薄膜可以显著降低其表面的摩擦系数（0．117～0．137），在低载荷条件下，含偶联剂及弹性体的DLC薄膜的摩擦系数低于硅表面沉积DLC的薄膜，且以187为偶联剂的薄膜试样的摩擦性能更佳；在高载荷条件下，硅表面沉积DLC的薄膜具有更优异的摩擦性能． 展开更多

关键词 磁过滤阴极真空弧沉积系统(fcva) 弹性复合薄膜 DLC膜 偶联剂 摩擦性能

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Cu掺杂提高类金刚石膜场致发射特性研究 被引量：1

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作者 李建 童洪辉 +1 位作者 但敏 金凡亚 《真空科学与技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2020年第12期1131-1136,共6页

采用双磁过滤阴极真空弧和磁控溅射沉积法,在Cu基体表面上制备了以钛(Ti)和钛化碳(TiC)过渡层材料的Cu掺杂非晶类金刚石(DLC)薄膜。自行设计制作了薄膜材料场致发射特性测试装置,探讨了Cu掺杂影响DLC薄膜场致发射特性的机理。运用扫描... 采用双磁过滤阴极真空弧和磁控溅射沉积法,在Cu基体表面上制备了以钛(Ti)和钛化碳(TiC)过渡层材料的Cu掺杂非晶类金刚石(DLC)薄膜。自行设计制作了薄膜材料场致发射特性测试装置,探讨了Cu掺杂影响DLC薄膜场致发射特性的机理。运用扫描电子显微镜(SEM)和拉曼光谱分析了铜掺杂DLC薄膜的微观结构组成和表面形貌的变化。研究发现,相对于未掺杂的DLC膜,掺Cu DLC膜具有更好的场致发射特性,开启电压从45降为40 V/μm。SEM分析显示适当的Cu掺杂可使薄膜表面具有更加精细的亚微米级突起结构,突起之间连接更加紧密。Raman分析结果显示:适当的Cu掺杂可以使薄膜中的sp^(2)杂化键含量和薄膜的导电性提高,场致发射特性更好;过度掺杂Cu则会使薄膜表面含有过多Cu而致场致发射特性下降。 展开更多

关键词 类金刚石膜 场致发射 磁过滤阴极真空弧沉积 磁控溅射 CU掺杂

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用质子激发X射线能谱分析技术测量FVAPD装置合成薄膜均匀性

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作者 王广甫 张荟星 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2004年第6期765-768,共4页

采用质子激发的X射线能谱分析 (PIXE)方法对磁过滤阴极真空弧沉积 (FVAPD)装置在Al板上合成Ti膜相对厚度进行了测量 ,给出了沉积靶室中不同位置大面积合成薄膜的均匀性 .通过同背散射分析 (RBS)测量结果的比较表明 :利用在轻衬底上合成... 采用质子激发的X射线能谱分析 (PIXE)方法对磁过滤阴极真空弧沉积 (FVAPD)装置在Al板上合成Ti膜相对厚度进行了测量 ,给出了沉积靶室中不同位置大面积合成薄膜的均匀性 .通过同背散射分析 (RBS)测量结果的比较表明 :利用在轻衬底上合成重元素薄膜的PIXE分析可以快速、无损和精确地测量FVAPD装置合成薄膜的均匀性 . 展开更多

关键词 磁过滤阴极真空弧沉积(FVAPD) 均匀性 质子激发的X射线能谱分析(PIXE)

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太阳能高反射薄膜制备技术对薄膜性能的影响 被引量：4

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作者 李海兵 徐勇军 +2 位作者 蔡其文 涂伟萍 廖俊旭 《中国表面工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第3期34-40,共7页

采用磁过滤阴极真空弧沉积（FCVAD）与磁控溅射（MS）两种技术在玻璃上制备厚度分别为75 nm和165 nm的Glass/Al高反射薄膜,利用Lambda 950分光光度计、扫描电子显微镜、原子力显微镜、附着力测试仪、摩擦试验机和加速老化试验箱分别表... 采用磁过滤阴极真空弧沉积（FCVAD）与磁控溅射（MS）两种技术在玻璃上制备厚度分别为75 nm和165 nm的Glass/Al高反射薄膜,利用Lambda 950分光光度计、扫描电子显微镜、原子力显微镜、附着力测试仪、摩擦试验机和加速老化试验箱分别表征薄膜的反射率、表面形貌、粗糙度、附着力、耐摩擦和耐老化性能,通过薄膜性能评估分析两种技术制备高反射膜性能的差异。结果表明：在双方优化工艺下,FCVAD制备的薄膜表面形貌和附着力优于MS薄膜;FCVAD制备的75 nm和165 nm薄膜反射率比同厚度MS薄膜高出3.3%-4.2%;75 nm厚的薄膜方均根粗糙度明显小于同厚度的MS薄膜;FCVAD制备的75 nm薄膜老化后反射率仅下降1.2%,而MS同厚度薄膜反射率下降了3.3%-4%。说明FCVAD在制备高反射膜方面比磁控溅射更有优势。 展开更多

关键词 光学薄膜 物理气相沉积 磁过滤阴极真空弧沉积 磁控溅射 高反射膜

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类金刚石薄膜在不锈钢表面结合强度及耐腐蚀性研究 被引量：3

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作者 邓兴瑞 冷永祥 +1 位作者 孙鸿 黄楠 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期1009-1012,共4页

类金刚石(DLC)薄膜与不锈钢的结合强度是DLC薄膜应用于血管支架表面改性的关键技术问题。利用磁过滤阴极真空弧源沉积方法在316L不锈钢表面沉积DLC薄膜,研究沉积时基体偏压、薄膜厚度以及钛过渡层对DLC薄膜与基体结合强度的影响。研究... 类金刚石(DLC)薄膜与不锈钢的结合强度是DLC薄膜应用于血管支架表面改性的关键技术问题。利用磁过滤阴极真空弧源沉积方法在316L不锈钢表面沉积DLC薄膜,研究沉积时基体偏压、薄膜厚度以及钛过渡层对DLC薄膜与基体结合强度的影响。研究结果表明,316L表面制备相同厚度的DLC薄膜,采用-1000V脉冲偏压制备的薄膜结合强度明显优于-80V直流偏压下制备的DLC薄膜;随着DLC薄膜厚度的增大,DLC薄膜与316L基体的结合力下降;316L不锈钢表面制备一层100nm的钛过渡层之后可以改善DLC薄膜的结合状况,并且经过20%的拉伸变形后,DLC薄膜完整,耐蚀性优于未表面处理的316L不锈钢。以上研究结果表明,磁过滤阴极真空弧源方法制备DLC薄膜与316L结合强度高,可以有效的提高316L的耐腐蚀性,是一种具有应用前景的血管支架表面改性方法。 展开更多

关键词 类金刚石薄膜 磁过滤阴极真空弧源沉积 结合强度 耐腐蚀性

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制膜技术与装置

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《中国光学》 EI CAS 2001年第6期52-53,共2页

O484.1 2001064085金刚石近红外增透滤光保护窗口的制备及应用=A diamond near infrared antireflective filter window and its application[刊,中]/应萱同,沈元华,徐新民(复旦大学物理系三束材料改性国家重点实验室.

关键词 金刚石 红外增透 材料改性 制备 磁过滤阴极真空弧沉积 国家重点实验室 复旦大学 膜技术 滤光 铁电薄膜

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