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磁过滤阴极真空弧法制备类金刚石膜的场致发射特性研究 被引量:3
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作者 李建 童洪辉 +2 位作者 王坤 但敏 金凡亚 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第8期8204-8209,共6页
采用磁过滤阴极真空弧沉积法,在Cu基底表面上制备了以钛(Ti)和碳化碳(TiC)作为过滤层的类金刚石膜层。利用自制的场致发射特性测试设备,研究了类金刚石膜层的场致发射特性。利用拉曼光谱仪(Raman)和扫描电子显微镜(SEM)等分析方法对类... 采用磁过滤阴极真空弧沉积法,在Cu基底表面上制备了以钛(Ti)和碳化碳(TiC)作为过滤层的类金刚石膜层。利用自制的场致发射特性测试设备,研究了类金刚石膜层的场致发射特性。利用拉曼光谱仪(Raman)和扫描电子显微镜(SEM)等分析方法对类金刚石膜的键合结构和微观形貌进行了表征。研究发现,利用磁过滤阴极真空弧沉积法可以在沉积温度100℃下制备膜基结合力较好的类金刚石膜。沉积速率为15 nm/min。类金刚石膜具有较好的场致发射特性,开启电压约为40 V/μm。Raman分析得到不同基底偏压下的类金刚石膜的ID/IG为1.19~1.57;SEM分析显示薄膜的微观结构上具有微米级突起结构。实验表明,应用磁过滤阴极真空弧方法可以制备出高sp3含量、表面具有微米级突起的类金刚石膜,这种类金刚石膜具有有利于场致发射的特性。 展开更多
关键词 类金刚石膜 场致发射 过滤阴极真空沉积 脉冲偏压 过渡层
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磁过滤真空阴极电弧技术弧电流对四面体非晶碳薄膜性能的影响 被引量:2
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作者 于振华 姜康 《真空科学与技术学报》 CSCD 北大核心 2017年第12期1206-1211,共6页
研究了磁过滤阴极真空电弧技术中不同弧电流(20~100 A),制备的四面体非晶碳薄膜性能的影响。通过对薄膜厚度、薄膜硬度、表面形貌以及sp3键含量随弧电流的变化结果进行了测试。结果表明,当弧电流从20增大至100 A,表征薄膜sp杂化碳含量的... 研究了磁过滤阴极真空电弧技术中不同弧电流(20~100 A),制备的四面体非晶碳薄膜性能的影响。通过对薄膜厚度、薄膜硬度、表面形貌以及sp3键含量随弧电流的变化结果进行了测试。结果表明,当弧电流从20增大至100 A,表征薄膜sp杂化碳含量的ID/IG从0.212增加到1.18,显示制备薄膜的sp3键含量逐渐减少,同时sp2键在逐渐增加。随着弧电流值上升,薄膜硬度增加,表明其值与弧电流值呈正相关性,高的弧电流使通过磁过滤器的大颗粒等离子体数增加,从而薄膜表面形貌易于沉积大颗粒,导致薄膜表面质量下降。因此,选择合适的弧电流值可优化Ta-C薄膜制备工艺,本文研究内容为工业应用中通过弧电流调整优化膜层综合性能提供参考。 展开更多
关键词 电流 Ta-C薄膜 过滤真空阴极技术 表面质量
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过滤管道作为第二阳极的磁过滤阴极真空弧沉积系统
3
作者 王广甫 张荟星 张孝吉 《北京师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2000年第6期775-778,共4页
建立了一台磁过滤脉冲阴极真空弧沉积装置 .通过在 90°磁过滤管道和阴极之间加一30~ 60V的正偏压使系统沉积速率得到了大幅度提高 .研究和观察表明 ,此时在过滤管道和阴极之间产生了阴极真空弧放电 ,并因此使阴极消耗率大幅度增... 建立了一台磁过滤脉冲阴极真空弧沉积装置 .通过在 90°磁过滤管道和阴极之间加一30~ 60V的正偏压使系统沉积速率得到了大幅度提高 .研究和观察表明 ,此时在过滤管道和阴极之间产生了阴极真空弧放电 ,并因此使阴极消耗率大幅度增大 .对此放电回路及其和MEVVA阳极 展开更多
关键词 阴极真空 等离子体沉积 过滤管道 第二阳极
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磁过滤阴极真空弧沉积装置研究中的等效电路方法
4
作者 王广甫 张荟星 《真空科学与技术》 EI CSCD 北大核心 2003年第1期16-18,共3页
提出了模拟磁过滤阴极真空弧放电等离子体沉积装置阴极弧放电过程的等效电路 ,并用此电路定性研究了各参数对弧放电的影响 。
关键词 过滤阴极 真空放电等离子体沉积装置 阴极放电过程 等效电路 薄膜 制备
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双弯管磁过滤阴极真空弧技术沉积超厚多层钛掺杂类金刚石膜 被引量:4
5
作者 姜其立 王浩琦 +3 位作者 周晗 庞盼 刘建武 廖斌 《中国表面工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第3期53-60,共8页
极端工况对关键部件涂层的性能要求较高,作为常用涂层,薄类金刚石(Diamond-like carbon,DLC)膜因其厚度的局限性已不能满足日益增长的性能需求,因此超厚DLC膜的制备工艺具有较大的现实意义。采用双弯管磁过滤阴极真空弧沉积技术制备多... 极端工况对关键部件涂层的性能要求较高,作为常用涂层,薄类金刚石(Diamond-like carbon,DLC)膜因其厚度的局限性已不能满足日益增长的性能需求,因此超厚DLC膜的制备工艺具有较大的现实意义。采用双弯管磁过滤阴极真空弧沉积技术制备多层Ti掺杂DLC膜,并通过显微维氏硬度计、摩擦磨损试验仪、场发射扫描电子显微镜(FESEM)、能谱仪(EDS)、透射电子显微镜(TEM)、X光电子能谱仪(XPS)、X射线衍射仪(XRD)、拉曼光谱仪(Raman)等对膜的结构和性能进行表征。结果表明:薄膜的沉积速率最高可达0.40μm/min;随着沉积过程中C2H2流量的增加,Ti掺杂DLC膜中超硬Ti C相的相对含量降低,因此导致膜硬度降低,同时热稳定性变差;通过金属掺杂以及多层复合结构的方法能够有效制备低内应力的DLC膜,同时实现超厚DLC膜(最高可达42.3μm)的制备。 展开更多
关键词 超厚DLC膜 Ti掺杂 双弯管 过滤阴极真空沉积 C2H2
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磁过滤直流真空阴极弧制备类金刚石膜的结构及其性能 被引量:2
6
作者 祝土富 沈丽如 +1 位作者 徐桂东 金凡亚 《中国表面工程》 EI CAS CSCD 2008年第4期27-35,共9页
采用磁过滤直流真空阴极弧沉积技术在单晶硅片、载玻片、不锈钢片基体上制备了类金刚石(DLC)膜。用光学显微镜、椭偏仪、Raman光谱、X射线光电子能谱(XPS)、X射线衍射能谱(XRD)、纳米硬度计、摩擦磨损仪、洛氏硬度计检测了薄膜的组分、... 采用磁过滤直流真空阴极弧沉积技术在单晶硅片、载玻片、不锈钢片基体上制备了类金刚石(DLC)膜。用光学显微镜、椭偏仪、Raman光谱、X射线光电子能谱(XPS)、X射线衍射能谱(XRD)、纳米硬度计、摩擦磨损仪、洛氏硬度计检测了薄膜的组分、结构、光学、力学等相关特性。结果表明,膜中均存在着微米级的大颗粒分布。硅片上的薄膜厚度均为37nm左右,75V、100V偏压下制得的薄膜具有最高的sp3键含量,薄膜具有典型的DLC膜Raman光谱特征。玻片上的DLC膜具有良好的红外透射性能。不锈钢片上的薄膜为非晶碳结构,硬度受膜厚的影响显著,在空气中的摩擦因数均约为0.1左右,耐磨性能优良,随着膜厚的增加,膜与基体的结合性能变差。采用Cr/Cr–DLC膜(含铬DLC膜)作为不锈钢的梯度过渡层时可以极大地提高膜基间的结合性能。 展开更多
关键词 过滤真空阴极 DLC膜
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磁过滤直流真空阴极弧制备含铬类金刚石膜的结构及其性能研究 被引量:1
7
作者 祝土富 沈丽如 +1 位作者 徐桂东 金凡亚 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第11期74-79,共6页
采用磁过滤直流真空阴极弧沉积技术在单晶硅片、载玻片、不锈钢片基体上制备了含铬类金刚石(Cr-DLC)膜。用光学显微镜、椭偏仪、分光光度计、X射线光电子能谱(XPS)、X射线衍射能谱(XRD)、Raman光谱、纳米硬度计、摩擦磨损仪、洛氏硬度... 采用磁过滤直流真空阴极弧沉积技术在单晶硅片、载玻片、不锈钢片基体上制备了含铬类金刚石(Cr-DLC)膜。用光学显微镜、椭偏仪、分光光度计、X射线光电子能谱(XPS)、X射线衍射能谱(XRD)、Raman光谱、纳米硬度计、摩擦磨损仪、洛氏硬度计检测了薄膜的组分结构、光学、力学等相关特性。结果表明,硅片上的薄膜厚度为47.6nm,碳含量为89%,sp3键占碳含量的55.15%。不锈钢片上的薄膜具有典型的DLC膜Raman光谱特征,在空气中的摩擦系数约为0.1,耐磨性能优良,膜与基体的结合性能良好。 展开更多
关键词 过滤真空阴极 含铬DLC膜
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磁过滤阴极真空弧法制备纳米nc-ZrCN/a-C:H(N)复合膜
8
作者 周奎 张旭 +2 位作者 覃礼钊 廖斌 吴先映 《北京师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2008年第5期487-490,共4页
采用磁过滤阴极真空弧法,以C2H2和N2混合气体为反应气体在单晶硅上沉积纳米nc-ZrCN/a-C:H(N)复合膜,用X射线衍射(XRD)、扫描电镜的能谱仪(SEM-EDS)和X射线电子能谱(XPS)研究了薄膜的成分和结构.实验结果表明薄膜结构是由ZrCN晶粒镶嵌在... 采用磁过滤阴极真空弧法,以C2H2和N2混合气体为反应气体在单晶硅上沉积纳米nc-ZrCN/a-C:H(N)复合膜,用X射线衍射(XRD)、扫描电镜的能谱仪(SEM-EDS)和X射线电子能谱(XPS)研究了薄膜的成分和结构.实验结果表明薄膜结构是由ZrCN晶粒镶嵌在无定形碳和碳氮化合物基体中;膜中的化合键主要以Zr—C,C C(sp2)和C—C(sp3)形式存在;随着混合气体流量的增加,薄膜的锆原子分数减小,而N和C的原子分数逐渐增大. 展开更多
关键词 过滤阴极真空法(fcva) 纳米nc ZrCN/a—C:H(N)复合膜 气体流量
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氧气流量对于磁过滤阴极真空弧法制备ZrO_(2)薄膜特性的影响 被引量:1
9
作者 郭春刚 张梦迪 英敏菊 《北京师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2022年第1期47-51,共5页
ZrO_(2)薄膜具有高硬度、高耐磨性等优良特性,在诸多领域具有广泛的应用前景.高品质ZrO_(2)薄膜的制备一直是科学家们研究的一个重点和热点问题.本文利用磁过滤阴极真空弧(FCVA)技术,以金属Zr为阴极,在单晶硅(100)衬底上制备高品质ZrO_... ZrO_(2)薄膜具有高硬度、高耐磨性等优良特性,在诸多领域具有广泛的应用前景.高品质ZrO_(2)薄膜的制备一直是科学家们研究的一个重点和热点问题.本文利用磁过滤阴极真空弧(FCVA)技术,以金属Zr为阴极,在单晶硅(100)衬底上制备高品质ZrO_(2)薄膜,利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、X射线电子能谱(XPS)和纳米力学探针对薄膜的结构、形貌、成分及其性能进行表征,研究了O_(2)流量对于ZrO_(2)薄膜的晶体结构、形貌、成分以及力学性能的影响规律,获得了结晶品质良好、表面平滑且硬度较高的ZrO_(2)薄膜. 展开更多
关键词 ZrO_(2)薄膜 过滤阴极真空 O_(2)流量
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基于磁过滤阴极真空弧沉积技术制备AlCrTiZrMo非晶高熵合金薄膜及其性能研究
10
作者 陈淑年 廖斌 欧阳晓平 《北京师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2022年第5期674-680,共7页
基于磁过滤阴极真空弧沉积技术研究了负偏压对AlCrTiZrMo非晶高熵合金薄膜的形貌、元素以及微观结构的影响,进而讨论了AlCrTiZrMo非晶高熵合金薄膜的成膜及结晶机制.通过SEM、EDS、XRD和TEM对薄膜的形貌与结构等性能进行测试分析,实验... 基于磁过滤阴极真空弧沉积技术研究了负偏压对AlCrTiZrMo非晶高熵合金薄膜的形貌、元素以及微观结构的影响,进而讨论了AlCrTiZrMo非晶高熵合金薄膜的成膜及结晶机制.通过SEM、EDS、XRD和TEM对薄膜的形貌与结构等性能进行测试分析,实验结果表明:不同沉积离子能量条件下,薄膜具有优异的表面品质;随着沉积离子能量的不断增加,薄膜厚度随之减小;同时,沉积离子能量对高熵晶相的调控有明显效果,沉积离子能量的增加使AlCrTiZrMo高熵合金薄膜微结构从非晶相(am)转变为相稳定的am+FCC纳米复合结构. 展开更多
关键词 过滤阴极真空 非晶高熵合金薄膜 沉积离子能量
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磁过滤真空弧源沉积技术制备C/C多层类金刚石膜及其摩擦磨损性能研究 被引量:20
11
作者 沟引宁 孙鸿 +2 位作者 黄楠 张文英 冷永祥 《摩擦学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期121-124,共4页
采用磁过滤直流阴极真空弧源沉积技术在S i基体和GCr15基体表面制备了C/C多层DLC膜,通过X射线光电子能谱仪分析薄膜结构特征;用原子力显微镜观察C/C多层DLC膜的表面形貌;采用台阶仪测试薄膜厚度;利用纳米硬度仪测试薄膜纳米硬度;在销盘... 采用磁过滤直流阴极真空弧源沉积技术在S i基体和GCr15基体表面制备了C/C多层DLC膜,通过X射线光电子能谱仪分析薄膜结构特征;用原子力显微镜观察C/C多层DLC膜的表面形貌;采用台阶仪测试薄膜厚度;利用纳米硬度仪测试薄膜纳米硬度;在销盘式摩擦磨损试验机上进行C/C多层DLC膜在大气下的摩擦性能评价,同时比较了单层DLC膜、TiN膜和C/C多层DLC膜的耐磨性能.结果表明:C/C多层DLC膜表面光滑、致密,厚度达0.7μm,硬度高达68 GPa,与S iC球对摩时的摩擦系数为0.10左右,耐磨性明显优于单层DLC膜和TiN膜. 展开更多
关键词 过滤阴极真空 C/C多层DLC膜 摩擦磨损性能
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磁过滤真空弧源沉积C/C多层复合膜的结构和力学性能研究 被引量:6
12
作者 沟引宁 黄楠 +2 位作者 孙鸿 张文英 冷永祥 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期66-69,73,共5页
采用磁过滤直流阴极真空弧源沉积技术在不锈钢基体表面制备了C/C多层复合膜,通过X射线光电子能谱、Ra-man光谱对薄膜的结构进行表征;C/C多层膜大气下的摩擦损性能在销盘式摩擦磨损试验机上进行;用洛氏压痕法研究了薄膜与基体的结合强度... 采用磁过滤直流阴极真空弧源沉积技术在不锈钢基体表面制备了C/C多层复合膜,通过X射线光电子能谱、Ra-man光谱对薄膜的结构进行表征;C/C多层膜大气下的摩擦损性能在销盘式摩擦磨损试验机上进行;用洛氏压痕法研究了薄膜与基体的结合强度。结果表明:C/C多层复合膜为类金刚石结构。它与SiC球大气下的摩擦系数为0.10左右,其摩损性能由于多层膜的引入而显著提高。Ti过渡层的引入显著提高了膜基结合力。 展开更多
关键词 过滤直流阴极真空 C/C多层复合膜 X射线光电子能谱 RAMAN光谱 磨损性能
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过滤真空弧等离子体沉积成膜系统的磁过滤管道传输特性的实验 被引量:6
13
作者 王广甫 张荟星 张孝吉 《北京师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 1997年第3期361-365,共5页
介绍了采用90°螺旋管的过滤真空弧等离子体沉积成膜系统,对磁过滤管道的传输特性进行了实验研究.实验观察到,弧源聚焦磁场和过滤管道正偏压越高,过滤管道的传输效率越高.但聚焦磁场高过一定阈值时,会出现起弧不稳现象,此阈... 介绍了采用90°螺旋管的过滤真空弧等离子体沉积成膜系统,对磁过滤管道的传输特性进行了实验研究.实验观察到,弧源聚焦磁场和过滤管道正偏压越高,过滤管道的传输效率越高.但聚焦磁场高过一定阈值时,会出现起弧不稳现象,此阈值的大小同过滤管道磁场及偏压的大小有关.过滤管道正偏压在40~60V范围内,管道磁场在7~11mT时传输效率较高,偏压越高达到最佳传输效率所需的过滤管道磁场越高. 展开更多
关键词 真空 等离子体沉积 过滤管道 传输特性 薄膜
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脉冲磁过滤阴极弧沉积中基片台悬浮电位研究 被引量:4
14
作者 邹学平 李国卿 +3 位作者 丁振峰 张家良 牟宗信 关秉羽 《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心 2002年第4期243-248,共6页
通过测量脉冲磁过滤阴极弧等离子体沉积系统中的基片台悬浮电位,发现了弧源接地方式对基片台悬浮电位与等离子体电位影响很大。当阳极接地时基片台悬浮电位可达-60V,而弧源悬浮时却只有-5V。因此,要获得相似沉积条件的沉积薄膜,弧源接... 通过测量脉冲磁过滤阴极弧等离子体沉积系统中的基片台悬浮电位,发现了弧源接地方式对基片台悬浮电位与等离子体电位影响很大。当阳极接地时基片台悬浮电位可达-60V,而弧源悬浮时却只有-5V。因此,要获得相似沉积条件的沉积薄膜,弧源接地方式不同,给基片施加偏压也应有所不同。 展开更多
关键词 脉冲过滤 阴极 沉积 基片台悬浮电位 等离子体电位 复合探针 基片偏压
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磁过滤阴极弧制备四面体非晶碳膜热稳定性研究 被引量:2
15
作者 覃礼钊 张旭 +2 位作者 吴正龙 刘安东 廖斌 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期789-793,共5页
为研究磁过滤阴极弧制备的四面体非晶碳(tetrahedral amorphous carbon,ta-C)膜在自然环境中使用的热稳定性,将ta-C膜在空气中退火3h,退火温度分别为200、400和500℃.用XPS和Raman谱对膜的微观结构进行表征.结果表明,在400及400℃以下退... 为研究磁过滤阴极弧制备的四面体非晶碳(tetrahedral amorphous carbon,ta-C)膜在自然环境中使用的热稳定性,将ta-C膜在空气中退火3h,退火温度分别为200、400和500℃.用XPS和Raman谱对膜的微观结构进行表征.结果表明,在400及400℃以下退火,XPS谱Cls峰和Raman谱都没有明显变化.当退火温度为500℃时,Cls峰峰形仍然没有变化;Raman峰ID/IG增大,G峰峰位未变,峰的对称性变好.分析显示膜中石墨颗粒长大,但没有发生石墨化.说明磁过滤阴极弧制备的ta-C膜因不含氢和结构致密而表现出良好的热稳定性.另外,在退火温度为500℃时,样品边缘已经氧化挥发. 展开更多
关键词 热稳定性 过滤阴极沉积 ta-C膜 微观结构
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磁过滤阴极弧法制备CrCN薄膜结构与组分研究 被引量:2
16
作者 王浩琦 覃礼钊 +5 位作者 官家建 李彬 林华 李元 梁宏 廖斌 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第1期9-14,共6页
目的通过磁过滤阴极弧沉积技术制备质量优异的CrCN涂层。研究乙炔/氮气混合气体流量以及基底偏压对薄膜结构和成分的影响。方法采用磁过滤真空阴极弧沉积技术,在20~100 m L/min变化的乙炔/氮气混合气体流量参数下沉积CrCN复合薄膜。通过... 目的通过磁过滤阴极弧沉积技术制备质量优异的CrCN涂层。研究乙炔/氮气混合气体流量以及基底偏压对薄膜结构和成分的影响。方法采用磁过滤真空阴极弧沉积技术,在20~100 m L/min变化的乙炔/氮气混合气体流量参数下沉积CrCN复合薄膜。通过X射线衍射、场发射电子显微镜、扫描探针显微镜、X射线光电子能谱仪、透射电镜,对薄膜的物相结构和形貌进行分析。结果随着气体流量的增加,CrCN复合薄膜的晶粒逐渐减小最终向非晶化转变。TEM结果表明,在CrCN复合薄膜中有大量几纳米到十几纳米的纳米晶浸没在非晶成分中。SPM表明,随着基底偏压由–200 V增大到–150 V,CrCN薄膜的表面粗糙度Sa由0.345 nm上升至4.38 nm。XPS、TEM和XRD数据表明,薄膜中Cr元素主要以单质Cr、Cr N以及Cr3C2的形式存在。结论采用磁过滤真空阴极弧沉积技术制备的CrCN复合薄膜具有纳米晶-非晶镶嵌结构。该方法沉积的CrCN薄膜的表面粗糙度与基底负偏压有关。混合气体的流量变化对薄膜组分的变化几乎无影响。 展开更多
关键词 CrCN 结构分析 过滤真空阴极沉积 X射线光电子能谱
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磁过滤真空弧等离子体钛沉积膜的XPS研究 被引量:2
17
作者 李永良 王广甫 +4 位作者 马辉 李唯超 陈栾 马芙蓉 张通和 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2001年第2期158-161,共4页
通过磁过滤真空弧等离子体沉积技术 ,在单晶Si和H13钢衬底上生长一层Ti沉积膜。利用扫描电镜、X射线衍射仪和X射线光电子能谱仪对膜层进行了测量和分析。结果表明 ,加上磁过滤器的沉积膜表面平整光洁 ,无“液滴”出现。在靶室真空度不... 通过磁过滤真空弧等离子体沉积技术 ,在单晶Si和H13钢衬底上生长一层Ti沉积膜。利用扫描电镜、X射线衍射仪和X射线光电子能谱仪对膜层进行了测量和分析。结果表明 ,加上磁过滤器的沉积膜表面平整光洁 ,无“液滴”出现。在靶室真空度不高的情况下 ,膜层中的Ti以TiO的形式存在 ,并且TiO晶粒沿 <110 >方向择优取向。膜层表面的TiO进一步与大气中氧发生反应形成TiO2 。 展开更多
关键词 过滤 钛沉积膜 结构 真空等离子体沉积 制备 X射线 电子能谱 表面形貌
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磁过滤的阴极弧等离子体源及其薄膜制备 被引量:1
18
作者 张涛 侯君达 +1 位作者 刘志国 张一聪 《中国表面工程》 EI CAS CSCD 2002年第2期11-15,20,共6页
采用磁过滤弯管滤除阴极弧等离子体中的大颗粒,研究了偏压和导向磁场对磁过滤弯管传输效率的影响。建立了磁过滤弯管中正交电场和磁场下的等离子体扩散模型,分析各个参数对等离子体传输的作用规律。采用磁过滤的阴极弧等离子体源制备了... 采用磁过滤弯管滤除阴极弧等离子体中的大颗粒,研究了偏压和导向磁场对磁过滤弯管传输效率的影响。建立了磁过滤弯管中正交电场和磁场下的等离子体扩散模型,分析各个参数对等离子体传输的作用规律。采用磁过滤的阴极弧等离子体源制备了NbN膜,研究了沉积温度对膜层特性的影响。 展开更多
关键词 阴极等离子体 扩散 薄膜 过滤
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过滤管道磁场在改进真空弧沉积系统中的作用
19
作者 王广甫 张荟星 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 2001年第3期229-233,共5页
在 90°磁过滤管道和MEVVA源阴极之间加 30~ 60V的正偏压可使磁过滤管道起到阴极弧放电第二阳极的作用。在此情况下 ,就磁过滤管道磁场对MEVVA源阳极 阴极和磁过滤管道 阴极两个回路弧放电和磁过滤管道等离子体传输效率的影响进... 在 90°磁过滤管道和MEVVA源阴极之间加 30~ 60V的正偏压可使磁过滤管道起到阴极弧放电第二阳极的作用。在此情况下 ,就磁过滤管道磁场对MEVVA源阳极 阴极和磁过滤管道 阴极两个回路弧放电和磁过滤管道等离子体传输效率的影响进行了实验研究。研究结果表明 :随磁过滤磁场升高 ,磁过滤管道和阴极之间的弧放电规模降低 ,系统的等离子体传输效率升高 。 展开更多
关键词 阴极真空放电 过滤管道 第二阳极作用 薄膜 过滤管道 制备 真空沉积系统
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阴极真空弧放电等离子体的过滤及传输 被引量:5
20
作者 罗云 张孝吉 +2 位作者 张荟星 周凤生 吴先映 《北京师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 1996年第3期334-337,共4页
阴极真空孤放电产生高密度等离子体的同时,也产生了尺寸可达微米量级的液滴,液滴对膜层的污染限制了它的应用。为解决这个问题,可采用轴对称磁场约束阴极斑,磁过滤器过滤等离子体出束中的液滴。结果表明液滴在磁过滤器出口处已基本... 阴极真空孤放电产生高密度等离子体的同时,也产生了尺寸可达微米量级的液滴,液滴对膜层的污染限制了它的应用。为解决这个问题,可采用轴对称磁场约束阴极斑,磁过滤器过滤等离子体出束中的液滴。结果表明液滴在磁过滤器出口处已基本上被过滤掉了,该处离子束流达到120mA。 展开更多
关键词 阴极真空放电 等离子体 过滤 离子镀膜 传输
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