为实现高灵敏度、低温漂的高性能电流传感器,提出将声表面波技术与磁致伸缩效应相结合的电流检测方法,分析了其敏感机理并改善其温度特性。这种声表面波电流传感器采用128°YX-Li Nb O3作为压电基片,表面覆盖SiO_2薄膜来改善器件温...为实现高灵敏度、低温漂的高性能电流传感器,提出将声表面波技术与磁致伸缩效应相结合的电流检测方法,分析了其敏感机理并改善其温度特性。这种声表面波电流传感器采用128°YX-Li Nb O3作为压电基片,表面覆盖SiO_2薄膜来改善器件温度稳定性,并溅射超磁致伸缩Tb Dy Fe薄膜以响应电流。在电流作用下,Tb Dy Fe薄膜会发生磁致伸缩效应和ΔE效应,引起声表面波相速度的改变。结合层状介质中声传播理论,分析了给定电流下层状结构中声表面波的传播特性,特别分析了Tb Dy Fe和SiO_2膜厚对传感器响应的影响。计算结果表明,Tb Dy Fe和SiO_2薄膜厚度分别为0.5μm、2μm时,该声表面波电流传感器具有最大检测灵敏度58.2 k Hz/A,有良好温度稳定性和较高的灵敏度,从而为高性能声表面波电流传感器的研制奠定理论基础。展开更多
文摘为实现高灵敏度、低温漂的高性能电流传感器,提出将声表面波技术与磁致伸缩效应相结合的电流检测方法,分析了其敏感机理并改善其温度特性。这种声表面波电流传感器采用128°YX-Li Nb O3作为压电基片,表面覆盖SiO_2薄膜来改善器件温度稳定性,并溅射超磁致伸缩Tb Dy Fe薄膜以响应电流。在电流作用下,Tb Dy Fe薄膜会发生磁致伸缩效应和ΔE效应,引起声表面波相速度的改变。结合层状介质中声传播理论,分析了给定电流下层状结构中声表面波的传播特性,特别分析了Tb Dy Fe和SiO_2膜厚对传感器响应的影响。计算结果表明,Tb Dy Fe和SiO_2薄膜厚度分别为0.5μm、2μm时,该声表面波电流传感器具有最大检测灵敏度58.2 k Hz/A,有良好温度稳定性和较高的灵敏度,从而为高性能声表面波电流传感器的研制奠定理论基础。
