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微型磁阻元件中磁畴活动和畴壁态极性转变的研究
被引量：
1
1
作者
周勇
余晋岳
+2 位作者
宋柏泉
周狄
蔡炳初
《真空科学与技术》
CSCD
北大核心
1997年第1期34-38,共5页
采用Bitter粉纹技术详细观察和研究了微型磁阻元件在磁化和反磁化过程中的磁畴结构，结果表明Barkhausen噪声来源于磁化和反磁化过程中的磁畴活动和畴壁态极性转变。磁阻元件中的曲折状畴的产生、强化和畴壁合并及畴壁态极性转变是不可...
采用Bitter粉纹技术详细观察和研究了微型磁阻元件在磁化和反磁化过程中的磁畴结构，结果表明Barkhausen噪声来源于磁化和反磁化过程中的磁畴活动和畴壁态极性转变。磁阻元件中的曲折状畴的产生、强化和畴壁合并及畴壁态极性转变是不可逆过程，是磁阻元件输出信号噪声的主要根源。实验发现，在磁阻元件和引线的连接处存在着磁畴结构，且这一过程是不可逆的。目前尚未见过报道。这必然也是磁阻元件输出信号噪声的来源之一。
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关键词
微型
磁
阻元件
磁畴活动
畴
壁态
极性转变
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职称材料
题名
微型磁阻元件中磁畴活动和畴壁态极性转变的研究
被引量：
1
1
作者
周勇
余晋岳
宋柏泉
周狄
蔡炳初
机构
上海交通大学信息存储研究中心
出处
《真空科学与技术》
CSCD
北大核心
1997年第1期34-38,共5页
文摘
采用Bitter粉纹技术详细观察和研究了微型磁阻元件在磁化和反磁化过程中的磁畴结构，结果表明Barkhausen噪声来源于磁化和反磁化过程中的磁畴活动和畴壁态极性转变。磁阻元件中的曲折状畴的产生、强化和畴壁合并及畴壁态极性转变是不可逆过程，是磁阻元件输出信号噪声的主要根源。实验发现，在磁阻元件和引线的连接处存在着磁畴结构，且这一过程是不可逆的。目前尚未见过报道。这必然也是磁阻元件输出信号噪声的来源之一。
关键词
微型
磁
阻元件
磁畴活动
畴
壁态
极性转变
Keywords
Small MR element, Domain activities, Wall state transitions
分类号
O441.2 [理学—电磁学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
微型磁阻元件中磁畴活动和畴壁态极性转变的研究
周勇
余晋岳
宋柏泉
周狄
蔡炳初
《真空科学与技术》
CSCD
北大核心
1997
1
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