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MEMS/GMR集成磁传感器的磁滞抑制方法
被引量：
1
1
作者
吕云飞
潘孟春
+3 位作者
胡佳飞
陈棣湘
田武刚
周继昆
《传感器与微系统》
CSCD
2018年第10期8-11,共4页
1/f噪声是限制磁阻(MR)传感器低频检测能力的重要因素,而基于微机电系统(MEMS)的磁力线调制可使1/f噪声降低两个数量级以上。然而,由磁滞引起的非线性响应是限制其实际应用的主要问题,此外其具有单向响应特性问题。提出了一种双向脉冲...
1/f噪声是限制磁阻(MR)传感器低频检测能力的重要因素,而基于微机电系统(MEMS)的磁力线调制可使1/f噪声降低两个数量级以上。然而,由磁滞引起的非线性响应是限制其实际应用的主要问题,此外其具有单向响应特性问题。提出了一种双向脉冲磁化方法,可显著降低磁滞,提高MEMS/巨磁阻(GMR)集成磁传感器的线性度。此外,可以通过区分响应差异与双向脉冲磁化来实现双极磁场检测。实验结果表明:双向脉冲磁化可实现91%的磁滞抑制,灵敏度提高15.4%。
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关键词
脉冲磁化
磁滞抑制
磁阻传感器
微机电系统/巨磁阻集成磁传感器
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职称材料
题名
MEMS/GMR集成磁传感器的磁滞抑制方法
被引量：
1
1
作者
吕云飞
潘孟春
胡佳飞
陈棣湘
田武刚
周继昆
机构
国防科学技术大学仪器科学与技术系
中国工程物理研究院总体所
出处
《传感器与微系统》
CSCD
2018年第10期8-11,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(51507178
61671460
+1 种基金
11604384)
国家自然科学基金委员会与中国工程物理研究院联合基金资助项目(U1430105)
文摘
1/f噪声是限制磁阻(MR)传感器低频检测能力的重要因素,而基于微机电系统(MEMS)的磁力线调制可使1/f噪声降低两个数量级以上。然而,由磁滞引起的非线性响应是限制其实际应用的主要问题,此外其具有单向响应特性问题。提出了一种双向脉冲磁化方法,可显著降低磁滞,提高MEMS/巨磁阻(GMR)集成磁传感器的线性度。此外,可以通过区分响应差异与双向脉冲磁化来实现双极磁场检测。实验结果表明:双向脉冲磁化可实现91%的磁滞抑制,灵敏度提高15.4%。
关键词
脉冲磁化
磁滞抑制
磁阻传感器
微机电系统/巨磁阻集成磁传感器
Keywords
pulse magnetization
hysteresis suppressing
magneto-resistive （ MR ） sensors
integrated microelectro-mechanical system/giant magneto-resistive（MEMS/GMR） sensors
分类号
TP39 [自动化与计算机技术—计算机应用技术]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
MEMS/GMR集成磁传感器的磁滞抑制方法
吕云飞
潘孟春
胡佳飞
陈棣湘
田武刚
周继昆
《传感器与微系统》
CSCD
2018
1
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