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磁控等离子体教学实验装置的研制 被引量:3
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作者 万树德 汪海 孙腊珍 《实验室研究与探索》 CAS 2004年第1期50-52,共3页
介绍一种等离子体教学实验装置的构造、原理及其诊断方法,其主体是由球形玻璃真空放电室构成,它可获得直流辉光等离子体;当外加磁场时可实现对等离子体的约束;利用静电探针可以对等离子体的基本参数如:电子温度和电子密度进行测量诊断。
关键词 磁控等离子体教学 实验装置 静电探针 直流辉光等离子体 约束磁场
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氮气流量对热丝增强等离子体磁控溅射制备CrN_x薄膜组织结构与性能的影响 被引量:6
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作者 张鑫 周艳文 +3 位作者 高健波 郭媛媛 解志文 吕哲 《真空科学与技术学报》 CSCD 北大核心 2017年第10期984-990,共7页
采用热丝增强等离子体磁控溅射技术在SKD61钢基体上制备了CrN_x薄膜,并分析研究了不同氮气流量对薄膜相结构、组织形貌、粗糙度、厚度、耐磨性、膜基结合力以及纳米硬度和弹性模量的影响。结果表明:在较宽的氮气流量变化范围内可制备出... 采用热丝增强等离子体磁控溅射技术在SKD61钢基体上制备了CrN_x薄膜,并分析研究了不同氮气流量对薄膜相结构、组织形貌、粗糙度、厚度、耐磨性、膜基结合力以及纳米硬度和弹性模量的影响。结果表明:在较宽的氮气流量变化范围内可制备出厚度均匀、结构致密、高硬度及高耐磨性的CrN_x薄膜。随氮气流量增加,薄膜由Cr2N及CrN双相组成转变为CrN单相。由于复杂相及相取向的存在,氮气流量为90 mL/min的CrN_x薄膜内应力最大,膜基结合力最低。CrN_x薄膜使SKD61钢的纳米硬度、弹性模量及耐磨性能均大幅提高,最高纳米硬度及弹性模量分别达36 GPa,477 GPa。通过对材料韧性的综合评价,氮气流量为75 mL/min条件下所制得的以Cr_2N相为主的薄膜的韧性最佳。 展开更多
关键词 热丝增强等离子体磁控溅射 CRNX薄膜 氮气流量 结构 性能
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欠氧化气氛下等离子体辅助脉冲直流磁控溅射高纯度Al_2O_3薄膜 被引量:5
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作者 李刚 吕起鹏 +3 位作者 公发权 王锋 孙龙 金玉奇 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第3期261-265,共5页
为实现高纯度氧化铝薄膜的快速稳定溅射沉积,采用非平衡闭合磁场孪生靶技术,利用脉冲直流磁控溅射方法,首先对溅射电压随氧流量的迟滞现象进行了研究,在此基础上,提出了一种新型的等离子体辅助溅射沉积方法。溅射过程处于迟滞回线的金... 为实现高纯度氧化铝薄膜的快速稳定溅射沉积,采用非平衡闭合磁场孪生靶技术,利用脉冲直流磁控溅射方法,首先对溅射电压随氧流量的迟滞现象进行了研究,在此基础上,提出了一种新型的等离子体辅助溅射沉积方法。溅射过程处于迟滞回线的金属模式,保证了高的溅射速率;在真空室内引入一等离子体放电区,沉积在工件上的超薄层非化学计量比氧化铝薄膜,高速通过等离子体放电区时,放电区内解离的氧原子使得氧化铝薄膜被进一步氧化,同时放电区内的氩离子对薄膜进行轰击,增加了薄膜的致密性。利用该方法在不同等离子体功率下进行了氧化铝薄膜的制备,分别利用分光光度计、椭偏仪、原子力显微镜对薄膜的光学特性、表面形貌进行了表征,表征结果说明利用该等离子体辅助磁控溅射方法可获得高纯度的致密氧化铝薄膜。 展开更多
关键词 等离子体辅助磁控溅射 氧化铝薄膜 透过率 光学常数 表面形貌
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N_2流量对等离子体增强磁控溅射TiN涂层的影响 被引量:8
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作者 谢启 付志强 +1 位作者 岳文 王成彪 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第6期161-167,共7页
目的研究N_2流量对等离子体增强磁控溅射TiN涂层组织结构和性能的影响,优化TiN涂层的制备工艺。方法在不同N_2流量的条件下,采用等离子体增强磁控溅射法制备TiN涂层。采用3D形貌仪和扫描电子显微镜观察涂层的表面形貌,利用X射线衍射仪... 目的研究N_2流量对等离子体增强磁控溅射TiN涂层组织结构和性能的影响,优化TiN涂层的制备工艺。方法在不同N_2流量的条件下,采用等离子体增强磁控溅射法制备TiN涂层。采用3D形貌仪和扫描电子显微镜观察涂层的表面形貌,利用X射线衍射仪测定涂层的相结构,利用显微硬度计测试涂层试样的硬度,利用球-盘摩擦磨损试验机考察涂层试样的摩擦磨损性能,利用能谱仪分析磨痕表面的化学组成。结果 N_2流量小于61.5 mL/min时,增加N_2流量对总气压和靶电压的影响很小;N_2流量超过61.5 mL/min后,总气压和靶电压均随着N_2流量的增加而显著增大。随着N_2流量的增大,制备的TiN涂层X射线衍射谱中的TiN(111)、TiN(220)衍射峰强度不断增大,TiN(200)衍射峰强度先不变后突然减小。N_2流量约为61.5 mL/min时,制备的TiN涂层试样的致密性最好,硬度最高。N_2流量在50~61.5 mL/min范围内,制备的TiN涂层试样的磨损率较低,最低可达7.4×10^(-16) m^3/(N·m)。当N_2流量超过63 mL/min后,TiN涂层试样的磨损率显著增大。结论 N_2流量对等离子体增强磁控溅射TiN涂层择优取向、硬度及摩擦磨损性能的影响较显著,N_2流量约为61.5 mL/min时,制备的TiN涂层试样的硬度和耐磨性最好。 展开更多
关键词 等离子体增强磁控溅射 TIN涂层 N2流量 迟滞回线 微观结构 摩擦磨损性能
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等离子体增强磁控溅射沉积碳化硅薄膜的化学结构与成膜机理 被引量:6
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作者 孙文立 徐军 陆文琪 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2010年第8期2311-2316,共6页
以CH4和Ar为工作气体,单晶硅为溅射靶,通过微波电子回旋共振(MW-ECR)等离子体增强非平衡磁控溅射方法在不同的CH4流量和沉积温度下制备了a-Si1-xCx∶H薄膜.利用傅里叶变换红外(FT-IR)光谱,X光电子能谱(XPS)和纳米硬度仪等表征方法研究... 以CH4和Ar为工作气体,单晶硅为溅射靶,通过微波电子回旋共振(MW-ECR)等离子体增强非平衡磁控溅射方法在不同的CH4流量和沉积温度下制备了a-Si1-xCx∶H薄膜.利用傅里叶变换红外(FT-IR)光谱,X光电子能谱(XPS)和纳米硬度仪等表征方法研究不同沉积参数下薄膜的化学结构、化学配比和硬度的变化.结果表明:室温(25℃)下随CH4流量由5cm·3min-1增加到45cm3·min-1(标准状态)时,薄膜中Si—CH2键,C—H键含量逐渐增加,Si—H键变化不明显;膜中C原子百分比由28%增至76%,Si原子百分比由62%降至19%.当CH4流量为15cm3·min-1时,随沉积温度的升高,薄膜中Si和C原子百分比含量分别为52%和43%,且基本保持不变;膜中Si—H键和C—H键转化为Si—C键,薄膜的显微硬度显著提高,在沉积温度为600℃时达到29.7GPa.根据分析结果,提出了室温和高温下a-Si1-xCx:H薄膜生长模型. 展开更多
关键词 等离子体增强磁控溅射 a-Si1-xCx∶H薄膜 FT-IR 化学结构 硬度 成膜机理
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等离子体增强磁控溅射CrSiN涂层摩擦磨损行为 被引量:7
6
作者 周子超 张豪 +4 位作者 张雪 常伟杰 宋玲玲 黄传 多树旺 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第8期185-191,共7页
目的基于细晶强化理论,借助新型涂层制备技术获得综合性能优良的CrSiN涂层,研究Si含量对涂层微观结构、力学性能及耐磨性能的影响规律。方法采用等离子体增强磁控溅射技术,制备四种含有不同Si含量的CrSiN涂层。使用X射线能谱仪(EDS)、X... 目的基于细晶强化理论,借助新型涂层制备技术获得综合性能优良的CrSiN涂层,研究Si含量对涂层微观结构、力学性能及耐磨性能的影响规律。方法采用等离子体增强磁控溅射技术,制备四种含有不同Si含量的CrSiN涂层。使用X射线能谱仪(EDS)、X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)和原子力显微镜(AFM),分析涂层的化学成分、晶体结构、微观形貌和表面粗糙度。使用纳米压痕/划痕仪测试涂层的显微硬度、杨氏模量和结合力。使用摩擦磨损试验仪考察涂层的摩擦磨损行为。结果CrSiN涂层中Si含量随着Si靶功率的增加而增加。所有涂层中均未检测到含Si物相,主要由CrN相组成。随着Si含量的增加,CrN(111)衍射峰逐渐减弱直至消失,涂层由疏松的三角锥结构逐渐变为致密平整的CrN纳米晶和Si3N4非晶共存的复合结构,涂层表面粗糙度显著降低,涂层的显微硬度、杨氏模量、结合力及耐磨性能均呈现先增后降的趋势。结论Si含量为18.5%的CrSiN涂层具有最佳的耐磨性能,此时涂层的硬度、杨氏模量、结合力和平均摩擦系数分别约为27 GPa、327 GPa、30 N和0.289。 展开更多
关键词 等离子体增强磁控溅射技术 CrSiN涂层 SI含量 微观结构 力学性能 摩擦磨损
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气流量对磁控直流等离子体炬传热与流动特性的影响
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作者 魏建平 唐达培 杜天宇 《应用数学和力学》 CSCD 北大核心 2014年第S1期5-9,共5页
以磁控直流等离子体炬为研究对象,根据磁流体动力学模型,利用二次开发的FLUENT软件对炬内多耦合场进行仿真,模拟和分析入口气流量对等离子体炬传热与流动的影响。结果表明,入口气流量越大,炬出口等离子体的温度越低,轴向速度越大,径向... 以磁控直流等离子体炬为研究对象,根据磁流体动力学模型,利用二次开发的FLUENT软件对炬内多耦合场进行仿真,模拟和分析入口气流量对等离子体炬传热与流动的影响。结果表明,入口气流量越大,炬出口等离子体的温度越低,轴向速度越大,径向速度和旋转速度越小。 展开更多
关键词 磁控直流等离子体 磁流体动力学 气流量 FLUENT软件
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感应耦合等离子体增强磁控溅射法制备MoO_(3)高透亲水光学薄膜
8
作者 彭井泉 郑学军 +6 位作者 冯春阳 李方 黄乐 陈立 左滨槐 陈丽娟 贺楚才 《功能材料》 CAS CSCD 北大核心 2023年第11期11118-11125,共8页
将磁控溅射和感应耦合相结合形成感应耦合等离子体增强磁控溅射技术(ICPMS),制备了MoO_(3)高透亲水光学薄膜。使用分光光度计、水接触角测试仪、扫描电子显微镜、X射线衍射仪和X射线能谱仪,分别表征薄膜的光学性能、润湿性能、显微形貌... 将磁控溅射和感应耦合相结合形成感应耦合等离子体增强磁控溅射技术(ICPMS),制备了MoO_(3)高透亲水光学薄膜。使用分光光度计、水接触角测试仪、扫描电子显微镜、X射线衍射仪和X射线能谱仪,分别表征薄膜的光学性能、润湿性能、显微形貌、晶体结构和化学成分。通过正交实验法,以MoO_(3)薄膜的氧钼比、光学透过率、水接触角为指标,探究了感应耦合等离子体(ICP)氧氩比、ICP功率、靶位工作压强和ICP前处理时间工艺参数对MoO_(3)薄膜性能的影响。结果表明:氧氩比是影响性能的主要参数,其次是工作压强,影响最小参数是ICP功率。最优工艺参数是氧氩比400/300、靶位工作压强为0.15 Pa、功率为1500 W、前处理时间为18 min。研究为高透亲水光学薄膜应用,提供具体实验设计和工艺方法指导。 展开更多
关键词 正交实验 感应耦合等离子体增强磁控溅射法 MoO_(3)薄膜 透过率 接触角
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靶电流密度对热丝增强等离子磁控溅射制备Cr_2N薄膜结构与性能的影响 被引量:2
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作者 张鑫 王晓明 +3 位作者 高健波 郭媛媛 解志文 周艳文 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第3期3070-3075,共6页
采用等离子体增强平衡磁控溅射技术在316L奥氏体不锈钢基体表面制备了不同靶电流密度条件下的Cr_2N薄膜,并检测分析了靶电流密度对薄膜表面形貌、相结构、力学性能、膜基结合力和摩擦磨损性能的影响。结果表明,薄膜呈致密柱状结构,以Cr_... 采用等离子体增强平衡磁控溅射技术在316L奥氏体不锈钢基体表面制备了不同靶电流密度条件下的Cr_2N薄膜,并检测分析了靶电流密度对薄膜表面形貌、相结构、力学性能、膜基结合力和摩擦磨损性能的影响。结果表明,薄膜呈致密柱状结构,以Cr_2N(111)择优取向为主。当靶电流密度为0.132 mA/mm^2时,WN相与Cr_2N并存;随着靶电流密度的增加,薄膜厚度逐渐增加,硬度、弹性模量略有下降,膜基结合增强。薄膜与基体结合处呈脆性失效。靶电流密度0.132 mA/mm^2时,最高薄膜硬度及模量分别为33及480GPa,且磨损量最小。靶电流密度0.264mA/mm^2时,最大膜机结合力为36.6N。经过镀Cr_2N薄膜后,试样表面硬度、耐磨性明显提高。 展开更多
关键词 等离子体增强磁控溅射 Cr2N薄膜 靶电流密度 结构 性能
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Effect of substrate temperature and oxygen plasma treatment on the properties of magnetron-sputtered CdS for solar cell applications
10
作者 Runxuan Zang Haolin Wang +9 位作者 Xiaoqi Peng Ke Li Yuehao Gu Yizhe Dong Zhihao Yan Zhiyuan Cai Huihui Gao Shuwei Sheng Rongfeng Tang Tao Chen 《中国科学技术大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第6期22-33,I0010,共13页
Cadmium sulfide(CdS)is an n-type semiconductor with excellent electrical conductivity that is widely used as an electron transport material(ETM)in solar cells.At present,numerous methods for preparing CdS thin films h... Cadmium sulfide(CdS)is an n-type semiconductor with excellent electrical conductivity that is widely used as an electron transport material(ETM)in solar cells.At present,numerous methods for preparing CdS thin films have emerged,among which magnetron sputtering(MS)is one of the most commonly used vacuum techniques.For this type of technique,the substrate temperature is one of the key deposition parameters that affects the interfacial properties between the target film and substrate,determining the specific growth habits of the films.Herein,the effect of substrate temperature on the microstructure and electrical properties of magnetron-sputtered CdS(MS-CdS)films was studied and applied for the first time in hydrothermally deposited antimony selenosulfide(Sb_(2)(S,Se)_(3))solar cells.Adjusting the substrate temperature not only results in the design of the flat and dense film with enhanced crystallinity but also leads to the formation of an energy level arrangement with a Sb_(2)(S,Se)_(3)layer that is more favorable for electron transfer.In addition,we developed an oxygen plasma treatment for CdS,reducing the parasitic absorption of the device and resulting in an increase in the short-circuit current density of the solar cell.This study demonstrates the feasibility of MS-CdS in the fabrication of hydrothermal Sb_(2)(S,Se)_(3)solar cells and provides interface optimization strategies to improve device performance. 展开更多
关键词 magnetron sputtering CDS substrate heating plasma treatment Sb_(2)(S Se)_(3) thin film solar cell
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火炮身管延寿技术研究现状与展望 被引量:15
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作者 毛保全 赵其进 +3 位作者 白向华 王之千 朱锐 陈春林 《兵工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第3期638-655,共18页
火炮身管延寿难题长期制约着其综合性能的进一步提升和作战效能的持续发挥,延长身管使用寿命成为现代化及未来战场的迫切需求。通过概括影响火炮身管寿命的主要因素,从改进发射药、身管内膛表面处理、优化弹丸和膛线设计、炮钢材料改进... 火炮身管延寿难题长期制约着其综合性能的进一步提升和作战效能的持续发挥,延长身管使用寿命成为现代化及未来战场的迫切需求。通过概括影响火炮身管寿命的主要因素,从改进发射药、身管内膛表面处理、优化弹丸和膛线设计、炮钢材料改进、磁控等离子体抗烧蚀技术等方面阐述当前用于火炮身管延寿的主要技术措施,总结相关技术的国内外研究进展,并分析国内在上述技术领域存在的短板。从明晰火炮身管内膛壁面的烧蚀磨损规律,遴选可行延寿方法并多措并举开展科研攻关以及探索并发展磁控等离子体抗烧蚀新技术等方面展望我国在火炮身管延寿领域未来的发展方向。研究成果可为发展火炮身管常规延寿技术提供思路,并为探索新型延寿技术提供启发,进而可为延长身管使用寿命、提升火炮作战效能提供参考和借鉴。 展开更多
关键词 火炮身管 寿命影响因素 延寿技术 磁控等离子体
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氮分压与衬底温度对光透明材料氮化锌的影响
12
作者 刘振兴 陈俊芳 +1 位作者 陈兴来 孙辰 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期7-10,共4页
采用射频磁控溅射方法,在Ar-N2混合气中Si衬底上生长Zn3N2薄膜.研究了氮分压和衬底温度对样品的光透明性、微结构、表面形貌以及光学性质的影响,同时研究了样品在空气氛围下保持20天后的性能,并与新镀薄膜进行比较.结果表明,Zn3N2薄膜... 采用射频磁控溅射方法,在Ar-N2混合气中Si衬底上生长Zn3N2薄膜.研究了氮分压和衬底温度对样品的光透明性、微结构、表面形貌以及光学性质的影响,同时研究了样品在空气氛围下保持20天后的性能,并与新镀薄膜进行比较.结果表明,Zn3N2薄膜直接光学带隙可由氮分压调节的范围为1.18~1.50 eV,氮分压比例增大,薄膜的光透明性减弱,并且对暴露在空气中20天以后的薄膜进行测试发现,薄膜的光透明性明显增强,随着衬底温度的升高,生长的薄膜择优取向增多,晶粒尺寸逐渐变大. 展开更多
关键词 磁控溅射等离子体 光学禁带宽度 氮化锌 光学特性
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低模量Ti6Al4V表面Ti(Al/Pt)N薄膜强化改性 被引量:1
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作者 孙琳凡 时晓光 +3 位作者 周艳文 杜峰 司彪 郭诚 《中国表面工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第2期79-85,共7页
为解决硬质薄膜因与软基体硬度和模量差较大导致的薄膜失效问题,提高硬质薄膜在Ti6Al4V(TC4)钛合金基体上的适应性,使用掺杂氮化钛(TiN)陶瓷薄膜对低模量Ti6Al4V合金表面强化。采用热丝增强等离子体磁控溅射技术在Ti6Al4V合金表面制备Ti... 为解决硬质薄膜因与软基体硬度和模量差较大导致的薄膜失效问题,提高硬质薄膜在Ti6Al4V(TC4)钛合金基体上的适应性,使用掺杂氮化钛(TiN)陶瓷薄膜对低模量Ti6Al4V合金表面强化。采用热丝增强等离子体磁控溅射技术在Ti6Al4V合金表面制备Ti(Al/Pt)N薄膜:包括本征TiN、Al&Pt掺杂TiAlN和TiAl(Pt)N薄膜。采用扫描电子显微镜、X-射线衍射仪、纳米压痕仪、洛氏硬度计和摩擦磨损测试仪分别表征三种薄膜组织形貌、能谱分析、相结构和内应力、纳米硬度和模量及耐磨性。结果表明:Al元素掺杂使TiN薄膜柱状晶细化,截面形貌柱状晶更致密;同时微量Pt掺杂后,截面断口呈韧性撕裂。本征TiN和TiAlN薄膜衍射峰图谱呈现TiN(111)取向,TiAl(Pt)N薄膜的衍射峰呈TiN(200)主峰位。Al元素掺杂使TiN薄膜晶格畸变增多,内应力从-13 MPa增大到-115 MPa,导致膜-基结合力恶化,洛氏压痕和摩擦磨损实验中均出现薄膜剥落。Pt掺杂后薄膜内应力降低到-66 MPa,在洛氏压痕试验中TiAl(Pt)N薄膜与基体结合良好,仅有少许环形裂纹。摩擦磨损试验中本征TiN和TiAl(Pt)N薄膜磨痕较浅,TiAlN薄膜磨损量最大。Al元素掺杂细化了TiN薄膜柱状晶,但TiAlN薄膜内应力大,耐磨性差、膜-基结合力低。掺杂Pt元素后降低了薄膜内应力,提高了韧性与结合力,综合性能最佳。在Ti6Al4V合金表面制备Al&Pt元素共掺杂TiN薄膜,对提高硬质薄膜与软基体变形协调性具有良好应用前景。 展开更多
关键词 热丝增强等离子体磁控溅射 TIN薄膜 掺杂 结合力 耐磨性
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Ti6Al4V表面增强CrN和TiN薄膜 被引量:3
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作者 司彪 时晓光 +3 位作者 孙琳凡 杜峰 张开策 周艳文 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第7期444-454,共11页
目的研究表面增强氮化铬(CrN)和氮化钛(TiN)薄膜与Ti6Al4V(TC4)基体的适应性。方法采用热丝增强等离子体磁控溅射技术,通过改变热丝放电电流,在TC4合金表面制备CrN、TiN薄膜。采用扫描电子显微镜、X–射线衍射仪、纳米压痕仪、洛氏硬度... 目的研究表面增强氮化铬(CrN)和氮化钛(TiN)薄膜与Ti6Al4V(TC4)基体的适应性。方法采用热丝增强等离子体磁控溅射技术,通过改变热丝放电电流,在TC4合金表面制备CrN、TiN薄膜。采用扫描电子显微镜、X–射线衍射仪、纳米压痕仪、洛氏硬度计和摩擦磨损测试仪分别表征薄膜的组织形貌、成分、相结构、内应力、纳米硬度、弹性模量及耐磨性。结果随着热丝放电电流从0 A增加至32 A,等离子体密度增大,薄膜表面形貌由较疏松的四棱锥形转变成致密球形,截面柱状晶排列更加致密;薄膜择优取向从低应变能的(111)取向转变为低表面能的(200)取向;无热丝放电时TiN薄膜内应力高于CrN薄膜,随着热丝放电电流的增大,TiN薄膜内应力逐渐低于CrN薄膜;并且随着热丝放电电流的增大,薄膜的弹性模量与硬度均增大,但相同试验条件下CrN薄膜的弹性模量与硬度均低于TiN薄膜;压痕检测结果表明,薄膜与基体结合完好;低载荷摩擦磨损检测结果表明,硬度及弹性模量较高的TiN薄膜磨损量最低。结论在相同等离子体密度能量轰击下,硬度和弹性模量较高的TiN薄膜内应力增幅较小;低载荷磨损时,弹性模量及硬度较高、内应力较低的TiN薄膜更适用于Ti6Al4V基体的增强改性。 展开更多
关键词 TC4钛合金 等离子体增强磁控溅射 等离子体密度 氮化物薄膜 低载荷摩擦
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