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基体温度对反应共溅射TiN/Ni纳米复合膜结构和耐蚀性的影响被引量：3: 1; 作者贺春林高建君 +3 位作者王苓飞陈宏志付馨莹马国峰《中国表面工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第2期85-93,共9页; 为研究基体温度对纳米复合膜结构和耐蚀性的影响,以Ti和Ni为靶材,利用反应磁控共溅射技术在100~400℃温度下沉积了Ti N/Ni纳米复合膜,采用XRD、XPS、AFM、FESEM/EDS、电化学技术和划痕试验表征研究复合膜的微结构、耐蚀性和膜基结合力... 展开更多; 关键词 TI N/Ni 纳米复合膜磁控反应共溅射微结构耐蚀性; 在线阅读下载PDF 职称材料

衬底偏压对反应磁控共溅射Y:HfO_(2)薄膜电学性能的影响: 2; 作者张伟奇孙纳纳周大雨《材料科学与工艺》 CAS CSCD 北大核心 2023年第5期16-23,共8页; 作为微电子器件中最具发展前景的高介电薄膜材料,HfO_(2)薄膜得到了学者们的广泛研究。低漏电流是HfO_(2)薄膜使器件获得优良性能的前提,但易受晶粒尺寸、氧空位和粗糙度等因素影响。针对反应磁控溅射所得薄膜表面粗糙度高及漏电流密度... 展开更多; 关键词氧化铪薄膜漏电流密度衬底偏压反应磁控共溅射粗糙度; 在线阅读下载PDF 职称材料

N_2流量对反应共溅射TiN/Ni纳米复合膜结构和结合强度的影响被引量：7: 3; 作者贺春林高建君 +3 位作者王苓飞马国峰刘岩王建明《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第12期2038-2042,共5页; 以高纯Ti和Ni为靶材,在不同N_2气流量下反应磁控共溅射了TiN/Ni纳米复合膜,采用原子力显微镜、X射线衍射、X射线光电子能谱、场发射扫描电镜和划痕试验研究了N_2气流量对复合膜微结构、界面结合力和摩擦系数的影响。结果表明,共溅射TiN... 展开更多; 关键词 TiN/Ni 纳米复合膜反应磁控共溅射微结构 N2流量界面结合力; 在线阅读下载PDF 职称材料

氩氧流量比对CeO_x-SnO_x膜微观结构及光学性能的影响: 4; 作者那聪姜宏 +2 位作者蔡思翔冯建王红燕《人工晶体学报》 CSCD 北大核心 2017年第5期861-866,873,共7页; 采用磁控反应共溅射的方法,以金属Ce和Sn为金属源,成功地制备出CeO_x-SnO_x薄膜。利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和X射线光电子能谱(XPS)等测试手段对薄膜的结构、表面形貌及成分进行了分析和表征。结... 展开更多; 关键词磁控反应共溅射 CE Ox-Sn Ox薄膜氩氧流量比紫外截止; 在线阅读下载PDF 职称材料

奥斯瓦尔德熟化机制对Ag/TiO_2复合薄膜中银离子释放速率的影响被引量：3: 5; 作者熊剑何禄英《真空科学与技术学报》 CSCD 北大核心 2017年第12期1160-1165,共6页; 采用反应磁控共溅射法制备Ag/TiO_2复合薄膜。利用扫描电镜、透射电镜、X射线光电能谱和原子吸收光谱分析比较了致密/多孔两种Ag/TiO_2复合薄膜表面形貌和银离子释放速率。结果表明:形貌致密的Ag/TiO_2复合薄膜表面展现出明显的Ag纳米... 展开更多; 关键词反应磁控共溅射 Ag/TiO2复合薄膜奥斯瓦尔德熟化银离子释放速率; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基体温度对反应共溅射TiN/Ni纳米复合膜结构和耐蚀性的影响被引量：3: 1; 作者贺春林高建君王苓飞陈宏志付馨莹马国峰; 机构沈阳大学辽宁省先进材料制备技术重点实验室; 出处《中国表面工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第2期85-93,共9页; 基金国家自然科学基金(51171118) 辽宁省高等学校优秀人才支持计划(LR2013054)~~; 文摘为研究基体温度对纳米复合膜结构和耐蚀性的影响,以Ti和Ni为靶材,利用反应磁控共溅射技术在100~400℃温度下沉积了Ti N/Ni纳米复合膜,采用XRD、XPS、AFM、FESEM/EDS、电化学技术和划痕试验表征研究复合膜的微结构、耐蚀性和膜基结合力。结果表明:该膜含有面心立方的Ti N和Ni相,其择优取向由低温时的Ti N(111)面转变为高温时的Ti N(200)面。随温度增加,复合膜晶粒尺寸和均方根表面粗糙度先减小后增大,并在温度200℃时达最小。复合膜的界面结合力随温度增加先增大后下降,在300℃时达最大。复合膜具有优异的耐蚀性,其中300℃沉积的膜层腐蚀电流密度最小,较304不锈钢基体约小1个数量级。增加Ni含量有利于提高复合膜的耐蚀性。Ti N/Ni纳米复合膜的腐蚀形式为薄膜的局部脱落,穿膜针孔等结构缺陷是引起Ti N/Ni纳米复合膜腐蚀失效的根本原因。; 关键词 TI N/Ni 纳米复合膜磁控反应共溅射微结构耐蚀性; Keywords TiN/Ni nanocomposite film reactive magnetron co-sputtering microstructure corrosion resistance; 分类号 TG174.444 [金属学及工艺—金属表面处理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名衬底偏压对反应磁控共溅射Y:HfO_(2)薄膜电学性能的影响: 2; 作者张伟奇孙纳纳周大雨; 机构大连理工大学材料科学与工程学院三束材料改性教育部重点实验室(大连理工大学); 出处《材料科学与工艺》 CAS CSCD 北大核心 2023年第5期16-23,共8页; 基金国家自然科学基金资助项目(51972037) 大学生创新创业训练计划项目(20211014140484)。; 文摘作为微电子器件中最具发展前景的高介电薄膜材料,HfO_(2)薄膜得到了学者们的广泛研究。低漏电流是HfO_(2)薄膜使器件获得优良性能的前提,但易受晶粒尺寸、氧空位和粗糙度等因素影响。针对反应磁控溅射所得薄膜表面粗糙度高及漏电流密度大等缺点,本文在溅射过程中通过在衬底施加偏压的方法降低了HfO_(2)薄膜的漏电流密度。结果表明:通过在衬底施加适当的偏压使得Y掺杂HfO_(2)(Y∶HfO_(2))薄膜的漏电流密度降低到8×10-8 A/cm^(2)。漏电流密度的变化与薄膜粗糙度和晶粒尺寸有关,而薄膜粗糙度和晶粒尺寸主要受衬底偏压的影响,但衬底偏压对薄膜物相的影响可以忽略。通过施加衬底偏压,利用反应磁控溅射方法制备了低漏电流和高k值Y∶HfO_(2)薄膜,可为高性能器件的制备提供基础。; 关键词氧化铪薄膜漏电流密度衬底偏压反应磁控共溅射粗糙度; Keywords HfO_(2)film leakage current density substrate bias reactive magnetron co-sputtering film roughness; 分类号 O484 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名N_2流量对反应共溅射TiN/Ni纳米复合膜结构和结合强度的影响被引量：7: 3; 作者贺春林高建君王苓飞马国峰刘岩王建明; 机构沈阳大学辽宁省先进材料制备技术重点实验室; 出处《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第12期2038-2042,共5页; 基金国家自然科学基金(51171118) 辽宁省高等学校优秀人才支持计划(LR2013054); 文摘以高纯Ti和Ni为靶材,在不同N_2气流量下反应磁控共溅射了TiN/Ni纳米复合膜,采用原子力显微镜、X射线衍射、X射线光电子能谱、场发射扫描电镜和划痕试验研究了N_2气流量对复合膜微结构、界面结合力和摩擦系数的影响。结果表明,共溅射TiN/Ni纳米复合膜组织细小、表面光滑、致密。TiN为fcc结构,其择优取向为(111)面。随N_2气流量增加,复合膜孔隙率、晶粒尺寸和沉积速率均出现不同程度的下降;而膜表面粗糙度先减小后增大,界面结合力则先提高后下降。本实验条件下,在N_2气流量为16mL/min时所沉积的复合膜表面粗糙度最小、界面结合力最好,分别为2.75nm和44.6N,此时复合膜的摩擦系数最低,为0.14。; 关键词 TiN/Ni 纳米复合膜反应磁控共溅射微结构 N2流量界面结合力; Keywords TiN/Ni nanocomposite film reactive magnetron co-sputtering microstructure N 2 flow rate adhesion strength; 分类号 TB79 [一般工业技术—真空技术] TB34 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名氩氧流量比对CeO_x-SnO_x膜微观结构及光学性能的影响: 4; 作者那聪姜宏蔡思翔冯建王红燕; 机构海南大学南海海洋资源利用国家重点实验室海南省特种玻璃国家重点实验室; 出处《人工晶体学报》 CSCD 北大核心 2017年第5期861-866,873,共7页; 基金国家重点研发计划(2016YFC0700804); 文摘采用磁控反应共溅射的方法,以金属Ce和Sn为金属源,成功地制备出CeO_x-SnO_x薄膜。利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和X射线光电子能谱(XPS)等测试手段对薄膜的结构、表面形貌及成分进行了分析和表征。结果表明薄膜以岛状模式生长,随氩氧比降低,结晶性增强,出现CeO_2和SnO相。此外,利用紫外-可见分光光度计对薄膜的光学性能进行了研究,测试结果表明薄膜对紫外光有极强的吸收作用。当氩氧流量比为3∶1时,紫外光平均透过率仅为5.80%,而可见光平均透过率为81.48%。; 关键词磁控反应共溅射 CE Ox-Sn Ox薄膜氩氧流量比紫外截止; Keywords reactive magnetron co-sputtering CeOx-SnOx thin film Ar/O2 flow ratio ultraviolet-shielding; 分类号 O484.4 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名奥斯瓦尔德熟化机制对Ag/TiO_2复合薄膜中银离子释放速率的影响被引量：3: 5; 作者熊剑何禄英; 机构湖北工业大学太阳能高效利用湖北省协同创新中心武汉工程大学化工与制药学院; 出处《真空科学与技术学报》 CSCD 北大核心 2017年第12期1160-1165,共6页; 基金湖北省自然科学基金项目(2016CFB292) 水力机械过渡过程教育部重点实验室开放基金资助(201504) 湖北工业大学博士启动基金项目(BSQD14020); 文摘采用反应磁控共溅射法制备Ag/TiO_2复合薄膜。利用扫描电镜、透射电镜、X射线光电能谱和原子吸收光谱分析比较了致密/多孔两种Ag/TiO_2复合薄膜表面形貌和银离子释放速率。结果表明:形貌致密的Ag/TiO_2复合薄膜表面展现出明显的Ag纳米颗粒的奥斯瓦尔德熟化过程,银离子释放速率极为缓慢(7天后有6.8%的银离子释放);而多孔复合薄膜表面没有呈现出明显的奥斯瓦尔德熟化过程,银离子释放速率较为迅速(一周内有38%的银离子释放)。; 关键词反应磁控共溅射 Ag/TiO2复合薄膜奥斯瓦尔德熟化银离子释放速率; Keywords Reactive magnetron co-sputtering, Ag/TiO2 composite thin film, Ostwald ripening, Silver ion release rate; 分类号 TB333 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	基体温度对反应共溅射TiN/Ni纳米复合膜结构和耐蚀性的影响	贺春林高建君王苓飞陈宏志付馨莹马国峰	《中国表面工程》 EI CAS CSCD 北大核心	2018	3	在线阅读下载PDF 职称材料
2	衬底偏压对反应磁控共溅射Y:HfO_(2)薄膜电学性能的影响	张伟奇孙纳纳周大雨	《材料科学与工艺》 CAS CSCD 北大核心	2023	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	N_2流量对反应共溅射TiN/Ni纳米复合膜结构和结合强度的影响	贺春林高建君王苓飞马国峰刘岩王建明	《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心	2018	7	在线阅读下载PDF 职称材料
4	氩氧流量比对CeO_x-SnO_x膜微观结构及光学性能的影响	那聪姜宏蔡思翔冯建王红燕	《人工晶体学报》 CSCD 北大核心	2017	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	奥斯瓦尔德熟化机制对Ag/TiO_2复合薄膜中银离子释放速率的影响	熊剑何禄英	《真空科学与技术学报》 CSCD 北大核心	2017	3	在线阅读下载PDF 职称材料