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室温铁磁性GaN:Cr薄膜的性质研究
1
作者
刘志凯
宋书林
+3 位作者
陈诺夫
尹志岗
柴春林
杨少延
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第z1期1212-1214,1218,共4页
采用高能离子注入的方式,在GaN衬底中掺杂引入Cr离子制备了磁性半导体.借助于X射线衍射仪(XRD)进行了注入前后结构的对比分析,没有发现新的衍射峰,并运用高分辨率X射线衍射仪(HR-XRD)分析了Mn离子注入后衬底(0002)峰的微小变化.根据原...
采用高能离子注入的方式,在GaN衬底中掺杂引入Cr离子制备了磁性半导体.借助于X射线衍射仪(XRD)进行了注入前后结构的对比分析,没有发现新的衍射峰,并运用高分辨率X射线衍射仪(HR-XRD)分析了Mn离子注入后衬底(0002)峰的微小变化.根据原子力显微镜的结果,发现注入后的样品表面起伏比较大,发生明显的变化.通过使用超导量子干涉仪SQUID进行变温分析,在所分析的10～300K范围内,磁化强度变化幅度较小,样品在室温条件下仍然保持铁磁性.
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关键词
氮化镓
磁性
半导体
铁
磁性转变温度
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职称材料
GaFeO_(3)∶Mg晶体的生长及磁学性能研究
2
作者
王文凯
潘秀红
+6 位作者
胡雨青
刘学超
陈小红
陈锟
方婧红
贺欢
倪津崎
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2024年第10期1699-1704,共6页
本文利用光学浮区法生长出了直径为7 mm的铁电单晶Mg_(x)Ga_(1-x)FeO_(3)(x=0.02、0.05、0.07和0.10),研究了Mg^(2+)对GaFeO_(3)(GFO)晶体饱和磁化强度和磁性转变温度的作用。通过XRD测试了晶体的结构和物相,结果显示,所有制备的晶体样...
本文利用光学浮区法生长出了直径为7 mm的铁电单晶Mg_(x)Ga_(1-x)FeO_(3)(x=0.02、0.05、0.07和0.10),研究了Mg^(2+)对GaFeO_(3)(GFO)晶体饱和磁化强度和磁性转变温度的作用。通过XRD测试了晶体的结构和物相,结果显示,所有制备的晶体样品对应标准晶体卡库GFO(PDF#76-1005)的衍射特征,无其他杂相出现。XRD精修结果表明,该晶体结构为正交结构,空间群为Pna 2_(1),晶格常数和晶胞体积随着Mg^(2+)掺杂量的增加,呈现先增加后减小的趋势。通过综合物性测量系统研究了晶体的磁性能,结果表明,磁性转变温度和饱和磁化强度随着Mg^(2+)掺杂量的增加,同样呈现先增加后减小的趋势。当Mg^(2+)掺杂量x=0.07时,磁性转变温度和饱和磁化强度达到最大,分别为187.82 K、8.75 emu/g,达到了掺杂改性的目的。
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关键词
铁电单晶
GaFeO_(3)∶Mg
光学浮区法
饱和磁化强度
磁性转变温度
矫顽场
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职称材料
离子注入制备GaAs:Mn薄膜的性质研究
被引量：
2
3
作者
宋书林
陈诺夫
+3 位作者
尹志岗
柴春林
杨少延
刘志凯
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第z1期1308-1310,共3页
采用高能离子注入的方式,在半绝缘性的GaAs衬底中掺杂引入Mn离子制备了磁性半导体.借助于X-射线衍射仪(XRD)进行了结构分析,没有发现新的衍射峰,并运用高分辨率X射线衍射仪(HR-XRD)分析了Mn离子注入后衬底(004)峰的微小变化.根据原子力...
采用高能离子注入的方式,在半绝缘性的GaAs衬底中掺杂引入Mn离子制备了磁性半导体.借助于X-射线衍射仪(XRD)进行了结构分析,没有发现新的衍射峰,并运用高分辨率X射线衍射仪(HR-XRD)分析了Mn离子注入后衬底(004)峰的微小变化.根据原子力显微镜的结果发现,注入后的样品表面没有发生明显的变化.通过使用超导量子干涉仪SQUID进行变温分析,在所分析范围内M-T曲线存在拐点,但其所对应的铁磁性转变温度低于室温.
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关键词
半绝缘性砷化镓
磁性
半导体
铁
磁性转变温度
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职称材料
题名
室温铁磁性GaN:Cr薄膜的性质研究
1
作者
刘志凯
宋书林
陈诺夫
尹志岗
柴春林
杨少延
机构
中国科学院半导体所半导体材料科学重点实验室
中国科学院力学研究所国家微重力实验室
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第z1期1212-1214,1218,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(60176001)
国家重大基础研究计划项目资助(G20000365和G2002CB311905)
文摘
采用高能离子注入的方式,在GaN衬底中掺杂引入Cr离子制备了磁性半导体.借助于X射线衍射仪(XRD)进行了注入前后结构的对比分析,没有发现新的衍射峰,并运用高分辨率X射线衍射仪(HR-XRD)分析了Mn离子注入后衬底(0002)峰的微小变化.根据原子力显微镜的结果,发现注入后的样品表面起伏比较大,发生明显的变化.通过使用超导量子干涉仪SQUID进行变温分析,在所分析的10～300K范围内,磁化强度变化幅度较小,样品在室温条件下仍然保持铁磁性.
关键词
氮化镓
磁性
半导体
铁
磁性转变温度
分类号
TN304.7 [电子电信—物理电子学]
TN304.054 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
GaFeO_(3)∶Mg晶体的生长及磁学性能研究
2
作者
王文凯
潘秀红
胡雨青
刘学超
陈小红
陈锟
方婧红
贺欢
倪津崎
机构
上海理工大学材料与化学学院
中国科学院上海硅酸盐研究所
安徽工业大学材料科学与工程学院
出处
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2024年第10期1699-1704,共6页
基金
国家重点研发计划(2021YFA0716304)
中国载人航天项目(YYMT1201-EXP02)
上海市科技项目(22511100300,23DZ2201500)。
文摘
本文利用光学浮区法生长出了直径为7 mm的铁电单晶Mg_(x)Ga_(1-x)FeO_(3)(x=0.02、0.05、0.07和0.10),研究了Mg^(2+)对GaFeO_(3)(GFO)晶体饱和磁化强度和磁性转变温度的作用。通过XRD测试了晶体的结构和物相,结果显示,所有制备的晶体样品对应标准晶体卡库GFO(PDF#76-1005)的衍射特征,无其他杂相出现。XRD精修结果表明,该晶体结构为正交结构,空间群为Pna 2_(1),晶格常数和晶胞体积随着Mg^(2+)掺杂量的增加,呈现先增加后减小的趋势。通过综合物性测量系统研究了晶体的磁性能,结果表明,磁性转变温度和饱和磁化强度随着Mg^(2+)掺杂量的增加,同样呈现先增加后减小的趋势。当Mg^(2+)掺杂量x=0.07时,磁性转变温度和饱和磁化强度达到最大,分别为187.82 K、8.75 emu/g,达到了掺杂改性的目的。
关键词
铁电单晶
GaFeO_(3)∶Mg
光学浮区法
饱和磁化强度
磁性转变温度
矫顽场
Keywords
ferroelectric single crystal
GaFeO_(3)∶Mg
optical floating zone method
saturation magnetization
magnetic transition temperature
coercive field
分类号
O782 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
离子注入制备GaAs:Mn薄膜的性质研究
被引量：
2
3
作者
宋书林
陈诺夫
尹志岗
柴春林
杨少延
刘志凯
机构
中国科学院半导体所
中国科学院力学研究所
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第z1期1308-1310,共3页
基金
国家自然科学基金资助项目(60176001)
国家重大基础研究计划资助项目(G20000365和G2002CB311905)
文摘
采用高能离子注入的方式,在半绝缘性的GaAs衬底中掺杂引入Mn离子制备了磁性半导体.借助于X-射线衍射仪(XRD)进行了结构分析,没有发现新的衍射峰,并运用高分辨率X射线衍射仪(HR-XRD)分析了Mn离子注入后衬底(004)峰的微小变化.根据原子力显微镜的结果发现,注入后的样品表面没有发生明显的变化.通过使用超导量子干涉仪SQUID进行变温分析,在所分析范围内M-T曲线存在拐点,但其所对应的铁磁性转变温度低于室温.
关键词
半绝缘性砷化镓
磁性
半导体
铁
磁性转变温度
分类号
TN304.7 [电子电信—物理电子学]
TN304.054 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
室温铁磁性GaN:Cr薄膜的性质研究
刘志凯
宋书林
陈诺夫
尹志岗
柴春林
杨少延
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
GaFeO_(3)∶Mg晶体的生长及磁学性能研究
王文凯
潘秀红
胡雨青
刘学超
陈小红
陈锟
方婧红
贺欢
倪津崎
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2024
0
在线阅读
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职称材料
3
离子注入制备GaAs:Mn薄膜的性质研究
宋书林
陈诺夫
尹志岗
柴春林
杨少延
刘志凯
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
2
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职称材料
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