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针对超高密度磁存储磁化跃迁噪声的约束编码
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作者 罗可 李桅 +6 位作者 蹇雨根 高宏宇 张克政 廖彦哲 吴宇飞 陈进才 卢萍 《电子学报》 北大核心 2025年第2期483-492,共10页
随着磁存储记录密度的提高,记录位间距减小,磁化跃迁噪声显著提高,由此极大地影响回读信号质量.为了降低超高密度磁存储系统记录图案磁化跃迁噪声的干扰,本文分析研究了磁化跃迁噪声对回读信号质量的影响,提出了限制连续跃迁的最大跃迁... 随着磁存储记录密度的提高,记录位间距减小,磁化跃迁噪声显著提高,由此极大地影响回读信号质量.为了降低超高密度磁存储系统记录图案磁化跃迁噪声的干扰,本文分析研究了磁化跃迁噪声对回读信号质量的影响,提出了限制连续跃迁的最大跃迁游程长度受限(Maximum Transition Run,MTR)约束编码MTR(j=1),与允许连续跃迁的约束编码MTR(j=2)和MTR(j=3)相比,可有效抑制磁化跃迁噪声.通过实验测试了回读信号的检测效果,当信噪比为12 dB时,与MTR(j=2)、MTR(j=3)相比,MTR(j=1)相对误码率分别降低了约30%和60%,证实了限制连续跃迁约束编码MTR(j=1)的数据检测可靠性更高. 展开更多
关键词 超高密度磁存储 磁化跃迁噪声 约束编码 读写过程 均衡检测
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