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不同工艺条件对FePt-AlN纳米薄膜磁性影响的研究
1
作者
张恩
冯春
+4 位作者
李宁
王海成
滕蛟
王立锦
于广华
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第9期1449-1451,1454,共4页
利用磁控溅射方法,在加热的单晶MgO(100)基片上制备了以AlN为母体的FePt薄膜,再经过真空热处理后,得到了具有垂直磁各向异性且无磁交换耦合作用的FePt薄膜;同时,研究了掺杂AlN含量、薄膜的厚度及退火温度对薄膜的磁性能的影响。结果表明...
利用磁控溅射方法,在加热的单晶MgO(100)基片上制备了以AlN为母体的FePt薄膜,再经过真空热处理后,得到了具有垂直磁各向异性且无磁交换耦合作用的FePt薄膜;同时,研究了掺杂AlN含量、薄膜的厚度及退火温度对薄膜的磁性能的影响。结果表明,非磁性相AlN的添加能够降低磁交换耦合作用,但同时也会破坏薄膜的垂直磁各向异性。降低薄膜厚度,有利于改善薄膜的垂直磁各向异性,FePt-AlN薄膜的厚度为6nm且掺杂AlN含量达到40%时,经650℃热处理1h后薄膜具有良好垂直磁各向异性、适中矫顽力且无磁交换耦合作用。
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关键词
磁
记录介质
垂直
磁
各向异性
磁交换耦合作用
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职称材料
题名
不同工艺条件对FePt-AlN纳米薄膜磁性影响的研究
1
作者
张恩
冯春
李宁
王海成
滕蛟
王立锦
于广华
机构
北京科技大学材料物理与化学系
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第9期1449-1451,1454,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(50671008)
文摘
利用磁控溅射方法,在加热的单晶MgO(100)基片上制备了以AlN为母体的FePt薄膜,再经过真空热处理后,得到了具有垂直磁各向异性且无磁交换耦合作用的FePt薄膜;同时,研究了掺杂AlN含量、薄膜的厚度及退火温度对薄膜的磁性能的影响。结果表明,非磁性相AlN的添加能够降低磁交换耦合作用,但同时也会破坏薄膜的垂直磁各向异性。降低薄膜厚度,有利于改善薄膜的垂直磁各向异性,FePt-AlN薄膜的厚度为6nm且掺杂AlN含量达到40%时,经650℃热处理1h后薄膜具有良好垂直磁各向异性、适中矫顽力且无磁交换耦合作用。
关键词
磁
记录介质
垂直
磁
各向异性
磁交换耦合作用
Keywords
magnetic recording media
perpendicular magnetic anisotropy
interparticle exchange coupling
分类号
O484.4 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
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1
不同工艺条件对FePt-AlN纳米薄膜磁性影响的研究
张恩
冯春
李宁
王海成
滕蛟
王立锦
于广华
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009
0
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职称材料
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