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题名SiC材料的NLD快速均匀刻蚀
被引量：5
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作者
张伟
孙元平
刘彬
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机构
烟台大学光电信息科学与技术学院
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
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出处
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2015年第1期54-58,63,共6页
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基金
国家自然科学基金资助项目(11304356)
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文摘
基于磁中性环路放电(NLD)等离子体刻蚀机设备原理,研究了SF6+O2氛围下,不同偏置电源功率、射频(RF)天线功率以及O2和SF6流量比率等工艺参数变化对NLD设备刻蚀SiC的影响;并研究了不同径向位置的SiC材料在刻蚀过程中的均匀性。结果表明,增加偏置电源功率可以提高刻蚀速率,却降低了金属的抗刻蚀比;增加RF天线功率,能降低偏压以及离子轰击能量,同时刻蚀速率先增大后减小;增加O2和SF6流量比率,刻蚀速率先增大后减小,偏压缓慢增大;刻蚀不同径向位置的SiC材料,均匀性为1.94%,刻蚀速率为738 nm/min。
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关键词
磁中性环路放电(nld)等离子体
刻蚀
碳化硅(SiC)
均匀性
SF6+O2
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Keywords
magnetic neutral loop discharge（nld）plasma
etching
SiC
uniformity
SF6＋O2
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分类号
TN305.7
[电子电信—物理电子学]
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题名高深宽比石英结构的NLD刻蚀
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作者
吴亚宁
张伟
王逸群
黄健
缪小虎
王进
金晓盛
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机构
上海大学材料科学与工程学院
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米加工平台
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出处
《微纳电子技术》
北大核心
2017年第9期645-649,共5页
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基金
国家自然科学基金青年科学基金资助项目(11304356)
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文摘
基于磁中性环路放电(NLD)等离子体刻蚀机的原理,研究了Ar和C_4F_8混合气体氛围下,射频(RF)天线功率、偏置电源功率、气压和C4F8体积流量等工艺参数对NLD刻蚀石英的影响,最终获取优化的工艺参数,用于高深宽比石英结构的制备。结果表明,随着RF天线功率的增加,石英刻蚀速率逐渐降低,偏压不断减小;增加偏置电源功率,刻蚀速率及偏压持续增大,刻蚀比不断增大;随着反应压强的增加,偏压变大,而刻蚀速率一直降低;C_4F_8体积流量增加,偏压一直增大,石英刻蚀速率先是快速上升而后逐渐变小。在优化的工艺参数下,刻蚀速率为439 nm/min,深宽比可以达到10∶1。
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关键词
磁中性环路放电(nld)等离子体
Ar+C4F8
石英
高深宽比
刻蚀
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Keywords
magnetic neutral loop discharge （nld） plasma
Ar ＋ C4F8
quartz
high aspect ratio
etching
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分类号
TN305.7
[电子电信—物理电子学]
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