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碳-陶瓷线性电阻侧面高阻层及其耐冲击电压性能研究 被引量:3
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作者 陈维 姚旭瑞 +4 位作者 赵霞 宋继光 徐仲勋 毛航银 徐晨博 《绝缘材料》 CAS 北大核心 2021年第12期48-51,共4页
以SiO_(2)-Al_(2)O_(3)-B_(2)O_(3)三元系玻璃为基体,莫来石为填料,制备了用于碳-陶瓷线性电阻边缘保护的高阻绝缘层。研究了高阻绝缘层和电阻瓷体的膨胀系数适配性问题,并采用1.2/50μs的冲击电压测试了电阻的耐电压冲击性能。结果表明... 以SiO_(2)-Al_(2)O_(3)-B_(2)O_(3)三元系玻璃为基体,莫来石为填料,制备了用于碳-陶瓷线性电阻边缘保护的高阻绝缘层。研究了高阻绝缘层和电阻瓷体的膨胀系数适配性问题,并采用1.2/50μs的冲击电压测试了电阻的耐电压冲击性能。结果表明:玻璃含量影响高阻绝缘层的膨胀系数、气孔率以及电气强度。当高阻绝缘层中的玻璃含量大于80%时,电阻的电气强度呈现明显的下降趋势;随高阻绝缘层的涂覆厚度增加,碳-陶瓷线性电阻的电气强度明显提高,当高阻绝缘层涂覆厚度控制在0.35 mm左右时,电气强度达到最大值;使用SF_(6)气体代替空气能明显提高电阻的闪络电压,在0.2 MPa的SF_(6)气体环境中,有高阻绝缘层保护的电阻耐受的闪络电压达到了22.5 kV,比缺乏保护的电阻提高了80%。 展开更多
关键词 碳-陶瓷线性电阻 高阻层 冲击电压
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