用机械破碎方法提高印刷碳纳米管薄膜的场发射性能 被引量：15

1

作者 曾凡光 朱长纯 +1 位作者 刘兴辉 刘卫华 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第8期863-866,共4页

提出了一种可显著改善丝网印刷碳纳米管(CNTs)薄膜场发射特性的后处理方法,用机械压力通过隔离层对附着于CNTs表面的无机物进行原位破碎,并用高速气流清洁薄膜表面.同其他方法相比,机械破碎方法既不会在处理后的阴极表面留下残留物,也... 提出了一种可显著改善丝网印刷碳纳米管(CNTs)薄膜场发射特性的后处理方法,用机械压力通过隔离层对附着于CNTs表面的无机物进行原位破碎,并用高速气流清洁薄膜表面.同其他方法相比,机械破碎方法既不会在处理后的阴极表面留下残留物,也不会使薄膜受损.场发射特性测试表明,与未处理薄膜相比,经过处理的CNTs薄膜的开启场强从2.7V/μm降低到1.7V/μm,同样面积的薄膜(印刷面积为40mm×40mm)在4.2V/μm场强下的发射电流由70μA提高到了950μA,说明机械破碎处理对于提高薄膜的场发射特性有明显作用.该方法在碳纳米管场发射显示器的制作中具有很好的实际应用价值. 展开更多

关键词 丝网印刷 碳纳米管薄膜 场发射 后处理方法 场发射显示器

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碳纳米管的薄膜场发射 被引量：14

2

作者 张兆祥 张耿民 +3 位作者 侯士敏 刘惟敏 赵兴钰 薛增泉 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2003年第1期27-32,共6页

薄膜场发射特性是碳纳米管 (CNT)研究的重要课题之一 ,它直接关系到CNT场发射阴极在将来的实际应用。本文就CNT的场发射做一综合评述 ,主要涉及性能指标、结构模型。

关键词 碳纳米管 薄膜场发射 制备工艺 场发射阴极

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不锈钢衬底碳纳米管薄膜的场发射特性 被引量：8

3

作者 樊志琴 姚宁 +3 位作者 杨仕娥 鲁占灵 马丙现 张兵临 《郑州大学学报（理学版）》 CAS 2004年第2期45-49,共5页

不需要添加任何催化剂,直接在含有少量Ni和Cr成分的不锈钢衬底上,用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)方法沉积碳纳米管薄膜.在SEM下观察,生成的碳纳米管取向无序,但浓度大、杂质含量少、直径小且分布均匀,其直径在50-60nm,为多壁碳纳米... 不需要添加任何催化剂,直接在含有少量Ni和Cr成分的不锈钢衬底上,用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)方法沉积碳纳米管薄膜.在SEM下观察,生成的碳纳米管取向无序,但浓度大、杂质含量少、直径小且分布均匀,其直径在50-60nm,为多壁碳纳米管.Raman光谱实验证实了此碳纳米管中存在大量缺陷.场发射实验表明,本样品的开启电压低,电子发射均匀,发射电流大.当用ITO玻璃作阳极且场强为11 V/μm时,电流密度可达到31 mA/cm2;当用荧光粉包覆的ITO玻璃作阳极且场强为6 V/μm时,电流密度可达到1.25 mA/cm2,这时的电子可稳定发射,使该样品变成良好的电子发射体. 展开更多

关键词 不锈钢衬底 碳纳米管薄膜 场发射 RAMAN光谱

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优化催化剂密度改善碳纳米管薄膜纯度与场发射特性 被引量：6

4

作者 李昕 刘君华 +2 位作者 窦菊英 刘卫华 朱长纯 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第10期1041-1044,共4页

对涂敷有不同浓度催化剂的硅基生长出的碳纳米管薄膜的生长状况和特性进行了研究 ,并且获得了催化剂的优化浓度 .在基底上涂敷氢氧化铁溶胶从而引入催化剂颗粒 ,用低压化学气相沉积法生长出碳纳米管薄膜 .工艺表明 ,碳纳米管薄膜的生长... 对涂敷有不同浓度催化剂的硅基生长出的碳纳米管薄膜的生长状况和特性进行了研究 ,并且获得了催化剂的优化浓度 .在基底上涂敷氢氧化铁溶胶从而引入催化剂颗粒 ,用低压化学气相沉积法生长出碳纳米管薄膜 .工艺表明 ,碳纳米管薄膜的生长状况受到催化剂密度的影响 ,当密度太高时 ,碳纳米管薄膜的尖端效应不明显 ,且杂质含量较高 ;当密度太低时 ,无法生长出均匀的碳纳米管薄膜 .扫描电镜分析和场发射特性测试表明 ,涂敷有优化浓度的催化剂生长出的碳纳米管薄膜 ,具有更明显的尖端效应 ,更高的纯度 ,阈值电压降到 95V .透射电镜观察到的碳纳米管直径为 1 0～1 0 0nm . 展开更多

关键词 催化剂密度 碳纳米管薄膜 纯度 催化剂颗粒 场发射特性 生长状况 化学气相沉积法 交端效应

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激光诱导铝基碳纳米管薄膜及场发射性能 被引量：2

5

作者 刘璇 孔龙 +3 位作者 王亚荣 李必奎 王世明 张亚非 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第12期227-231,共5页

结合电泳沉积和激光纳米焊接技术在常温下成功制备了铝基单壁碳纳米管(SWCNTs-Al)薄膜。首先,将单壁碳纳米管电泳沉积到铝片基底上,再使用皮秒脉冲激光构建二者的可靠连接。对SWCNTsAl薄膜进行场发射性能测试,开启电压从焊接前的5.1V/μ... 结合电泳沉积和激光纳米焊接技术在常温下成功制备了铝基单壁碳纳米管(SWCNTs-Al)薄膜。首先,将单壁碳纳米管电泳沉积到铝片基底上,再使用皮秒脉冲激光构建二者的可靠连接。对SWCNTsAl薄膜进行场发射性能测试,开启电压从焊接前的5.1V/μm降低到2.1V/μm,发射电流密度显著提高且更加稳定。这主要是激光纳米焊接后界面接触阻抗减小,场致电子发射更容易实现的结果。基于SWCNTs-Al薄膜的表面形貌图和场发射性能测试结果,确定了最优的激光纳米焊接参数。 展开更多

关键词 激光纳米焊接 单壁碳纳米管薄膜 阴极 场发射

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介电体围绕下绳束状碳纳米管的场发射特性(英文) 被引量：2

6

作者 高见 佟钰 +2 位作者 夏枫 刘俊秀 曾尤 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第7期882-887,共6页

在周边环绕玻璃薄片介电体的作用下,绳束状碳纳米管宏观体的场发射电流发生异常跃迁,同时伴随有场发射电子光斑的横向扩展,导致跃迁后的场发射电流明显高于正常情况。所有观察到的现象均与介电体存在下的电场重新分布和电子轨迹偏离有... 在周边环绕玻璃薄片介电体的作用下,绳束状碳纳米管宏观体的场发射电流发生异常跃迁,同时伴随有场发射电子光斑的横向扩展,导致跃迁后的场发射电流明显高于正常情况。所有观察到的现象均与介电体存在下的电场重新分布和电子轨迹偏离有关。理论分析及随后的场发射测试检验了介电体几何尺寸、间距、介电常数等因素对场发射I-V性能的影响。研究结果提供了一种控制Spindt型场发射体电子发射性能的新的可行途径。 展开更多

关键词 碳纳米管 场发射 电子轨迹 介电体

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溶液法制备的碳纳米管薄膜的结构分析与场致电子发射机理研究 被引量：1

7

作者 谢伟广 晏梦龙 +3 位作者 植秀佳 谢方艳 龚力 陈建 《分析测试学报》 CAS CSCD 北大核心 2013年第4期463-467,共5页

结合紫外光电子能谱和拉曼光谱对溶液法制备的碳纳米管薄膜的场致电子发射性能进行研究。采用溶液滴涂法制备的碳纳米管薄膜的场致电子发射开启电场约为3.33 MV/m,阈值电场约为5.44 MV/m,以福勒-诺得海姆(Fowler-Nordheim,FN)理论对电... 结合紫外光电子能谱和拉曼光谱对溶液法制备的碳纳米管薄膜的场致电子发射性能进行研究。采用溶液滴涂法制备的碳纳米管薄膜的场致电子发射开启电场约为3.33 MV/m,阈值电场约为5.44 MV/m,以福勒-诺得海姆(Fowler-Nordheim,FN)理论对电子发射进行解释,其发射的增强因子接近103。通过对紫外光电子能谱的分析,发现碳纳米管薄膜的低能量截止端在外加电场作用下逐步降低,表明纳米管薄膜的表面有效势垒在外加电场作用下逐步下降,从而使得碳纳米管薄膜的电子更加容易发射进入真空。结合拉曼光谱和电学特性的研究,发现界面过渡层的接触电阻与碳纳米管薄膜中的非晶碳成分均可以增强场致电子发射。 展开更多

关键词 碳纳米管薄膜 场致电子发射 光电子能谱

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高温烧结和等离子轰击改善碳纳米管薄膜的场发射性能 被引量：1

8

作者 商世广 朱长纯 李昕 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期466-470,共5页

针对丝网印刷碳纳米管(CNTs)薄膜阴极场发射能力差和寿命短等问题,提出了一种能有效改善其场发射性能的高温烧结和等离子轰击后处理方法.同其他方法相比,该方法避免了直接接触对CNTs膜体造成的机械损伤,能彻底清除CNTs薄膜表面的有机粘... 针对丝网印刷碳纳米管(CNTs)薄膜阴极场发射能力差和寿命短等问题,提出了一种能有效改善其场发射性能的高温烧结和等离子轰击后处理方法.同其他方法相比,该方法避免了直接接触对CNTs膜体造成的机械损伤,能彻底清除CNTs薄膜表面的有机粘合剂,增强CNTs薄膜与衬底的接触,并且烧毁超长的CNTs尖端.场发射特性测试表明,经该方法处理的CNTs薄膜的开启场强为2.6 V/μm,电流密度在场强为9.0 V/μm时达到527×10-6A/cm2.场发射寿命测试显示,该方法处理的CNTs薄膜阴极经点亮200 min后电流密度基本没有衰减,波动也较小.该方法为改善丝网印刷CNTs薄膜阴极的场发射性能提供了一种可行的方案. 展开更多

关键词 碳纳米管薄膜 场发射 丝网印刷

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定向碳纳米管薄膜的制备及其场发射性能的研究 被引量：1

9

作者 孙明岩 车仁超 陈清 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第8期13-16,共4页

利用高温裂解法,以酞菁铁为原料在不同基底(石英玻璃、硅片、氧化硅片等)上成功制备了碳纳米管定向薄膜。在扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)下观察表明,得到的薄膜由定向性良好的多壁碳纳米管(MWNTs)组成。详细讨论了反应时间等工艺参数... 利用高温裂解法,以酞菁铁为原料在不同基底(石英玻璃、硅片、氧化硅片等)上成功制备了碳纳米管定向薄膜。在扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)下观察表明,得到的薄膜由定向性良好的多壁碳纳米管(MWNTs)组成。详细讨论了反应时间等工艺参数对薄膜生长的影响,并测量了不同基底上定向碳纳米管薄膜的场发射性质。 展开更多

关键词 碳纳米管 高温裂解法 场发射 定向薄膜

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DLC薄膜处理的碳纳米管冷阴极场发射特性 被引量：1

10

作者 秦靓 邓少芝 +1 位作者 许宁生 陈军 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期163-167,共5页

碳纳米管(CNT)作为场发射冷阴极材料被应用于真空微纳电子器件。如何获得低电场发射和稳定发射,是碳纳米管冷阴极在器件中应用需要解决的问题。选择类金刚石(DLC)薄膜,利用磁过滤真空弧等离子技术产生DLC薄膜,对碳纳米管表面进行镀膜处... 碳纳米管(CNT)作为场发射冷阴极材料被应用于真空微纳电子器件。如何获得低电场发射和稳定发射,是碳纳米管冷阴极在器件中应用需要解决的问题。选择类金刚石(DLC)薄膜,利用磁过滤真空弧等离子技术产生DLC薄膜,对碳纳米管表面进行镀膜处理。场发射实验表明,经DLC薄膜处理后的碳纳米管冷阴极的场发射开启电场强度由3.3MV/m下降至1.9MV/m,相应的阈值电场强度也从6.5MV/m下降至5.3MV/m,并且在场发射性能提高的同时场发射的均匀性没有受到影响。DLC膜处理可以作为一种改善碳纳米管冷阴极场发射特性的技术。 展开更多

关键词 场发射 碳纳米管 碳纳米管冷阴极 DLC薄膜

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丝网印刷制备碳纳米管场发射阴极的研究 被引量：9

11

作者 周雪东 雷威 +3 位作者 张宇宁 王琦龙 李俊涛 李家会 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期47-50,共4页

碳纳米管 (CNT)是理想的场发射阴极材料。本文分析了CNT的长度、直径以及排列密度与CNT阴极场增强因子的关系 ,研究了大面积CNT场发射阴极的丝网制备技术 ,包括CNT浆料配制、阴极电极的制作、阴极烧制方法和表面处理方法。文中实际制备... 碳纳米管 (CNT)是理想的场发射阴极材料。本文分析了CNT的长度、直径以及排列密度与CNT阴极场增强因子的关系 ,研究了大面积CNT场发射阴极的丝网制备技术 ,包括CNT浆料配制、阴极电极的制作、阴极烧制方法和表面处理方法。文中实际制备了CNT阴极 ,利用二极管结构测试了对其表面处理前后的场发射性能。实验结果证明 ,采用本文所研究的制备技术能够印制高性能的场发射CNT阴极 。 展开更多

关键词 丝网印刷 碳纳米管 场发射阴极 制备工艺 cnt CVD 化学气相沉积

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基于碳纳米管场发射三电极显示器的设计和实验(英文) 被引量：3

12

作者 田进寿 白永林 +8 位作者 刘百玉 欧阳娴 白晓红 杨文正 秦君军 刘虎林 陈正楷 任兆玉 许蓓蕾 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第12期2223-2226,共4页

提出了一种基于碳纳米管场发射三电极大面积全彩色平板显示器模型,其特点是栅极和阴极在同一个平面上,驱动电压低,而电子传输比可以高达29.3%(达到阳极的电子与从阴极碳管上发射出来的电子之比),实验结果和理论模拟的结果符合得很好.阴... 提出了一种基于碳纳米管场发射三电极大面积全彩色平板显示器模型,其特点是栅极和阴极在同一个平面上,驱动电压低,而电子传输比可以高达29.3%(达到阳极的电子与从阴极碳管上发射出来的电子之比),实验结果和理论模拟的结果符合得很好.阴极和栅极之间的沟槽可以用激光打标机刻蚀形成,用做阴极发射体的碳纳米管浆料用水浴法形成,显示器制作工艺简单. 展开更多

关键词 场发射 碳纳米管发射体 电子传输比

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丝网印刷碳纳米管薄膜的电子发射 被引量：2

13

作者 张秀霞 朱长纯 曾凡光 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2008年第5期611-614,共4页

将碳纳米管(CNT)浆料印刷在不锈钢衬底上,进行了特殊的热烧结和后处理工艺处理。经过特殊热烧结和后处理工艺处理后的试样,在外加电场后,电子发射的开启电场从2.50V/μm降低到1.40V/μm;外加电场为3.30V/μm时场发射电流从8.50μA/cm2... 将碳纳米管(CNT)浆料印刷在不锈钢衬底上,进行了特殊的热烧结和后处理工艺处理。经过特殊热烧结和后处理工艺处理后的试样,在外加电场后,电子发射的开启电场从2.50V/μm降低到1.40V/μm;外加电场为3.30V/μm时场发射电流从8.50μA/cm2提高到350μA/cm2,场发射效率提高;当场强为4.0V/μm时,阳极上荧光点的面密度约从(5～8)个/cm2提高到(22～26)个/cm2,发射均匀性得到有效的提高。讨论了丝网印刷CNT薄膜中电子的场发射实验,表明特殊的热烧结和后处理工艺使CNT之间的残留物厚度变薄,而且使更多的CNT均匀地露出薄膜表面,只有电子隧穿达到裸露的CNT才能有效地发生场发射。 展开更多

关键词 丝网印刷 碳纳米管薄膜 后处理 场致发射

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碳纳米管场发射特性的研究 被引量：2

14

作者 彭自安 朱宝华 +5 位作者 陈其略 冯进军 李兴辉 朱洁 毛东军 曹安源 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 1999年第6期411-415,共5页

将CVD方法制成的碳纳米管沉积在钼针尖上 ,测试了这种材料的场发射特性。结果表明这种材料可作为一种新型高效的场发射体。

关键词 碳纳米管 场发射特性 场发射体

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碳纳米管/膨润土复合膜的附着性能及场发射性能 被引量：2

15

作者 潘金艳 邵美云 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第3期277-281,共5页

碳纳米管(CNT)阴极膜与基底的附着性能严重影响场发射的均匀性和稳定性。提出一种制作CNT/膨润土(BP)复合膜的方法。通过添加纳米尺度BP作为填料,使BP与CNT间产生插层效应,进而减小CNT膜的间隙势垒,改善CNT与基底间的接触性能。测试结... 碳纳米管(CNT)阴极膜与基底的附着性能严重影响场发射的均匀性和稳定性。提出一种制作CNT/膨润土(BP)复合膜的方法。通过添加纳米尺度BP作为填料,使BP与CNT间产生插层效应,进而减小CNT膜的间隙势垒,改善CNT与基底间的接触性能。测试结果显示,CNT/BP复合膜与基底的附着性能得到明显改善,并且使场发射均匀性和稳定性均得到提高。 展开更多

关键词 碳纳米管(cnt) 场发射 均匀性 稳定性 膨润土(BP)

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Ni基碳纳米管场发射阴极的性能研究

16

作者 潘金艳 袁占生 +1 位作者 卫雅芬 刘卫华 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第4期134-137,144,共5页

导电电极决定碳纳米管(CNT)阴极的接触方式和导电特性,影响阴极场发射特性和使用寿命.为改善膜层与基底的附着特性,磁控溅射制作亲碳性Ni电极.微观表征发现Ni基CNT阴极中生成了碳化镍相,这增加了CNT与电极间形成欧姆接触概率,降低甚至... 导电电极决定碳纳米管(CNT)阴极的接触方式和导电特性,影响阴极场发射特性和使用寿命.为改善膜层与基底的附着特性,磁控溅射制作亲碳性Ni电极.微观表征发现Ni基CNT阴极中生成了碳化镍相,这增加了CNT与电极间形成欧姆接触概率,降低甚至消除了从电极到CNT的电子传输势垒,能有效提高阴极导电性.场发射特性测试结果显示Ni基,尤其是ITO/Ni基CNT阴极的场发射电流密度和场发射均匀性显著提高,并能够激发均匀的高亮度. 展开更多

关键词 碳纳米管(cnt) 场发射 均匀性 稳定性

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碳纳米管场发射冷阴极材料的研究进展

17

作者 秦玉香 胡明 李海燕 《兵器材料科学与工程》 CAS CSCD 北大核心 2006年第6期64-69,共6页

碳纳米管(CNTs)具有低的阈值电场和高的发射电流密度,是一种性能优良的冷阴极材料,在平面显示领域具有潜在的应用价值。根据显示器件的特性,详细论述了CNTs冷阴极材料的场发射特性以及各种因素包括CNTs的定向性、层结构、几何特征、阵... 碳纳米管(CNTs)具有低的阈值电场和高的发射电流密度,是一种性能优良的冷阴极材料,在平面显示领域具有潜在的应用价值。根据显示器件的特性,详细论述了CNTs冷阴极材料的场发射特性以及各种因素包括CNTs的定向性、层结构、几何特征、阵列密度、系统真空度以及CNTs与基底材料之间的键合等对场发射性能的影响;介绍了图形化CNTs冷阴极的常用制作工艺;对目前存在的问题进行了分析。 展开更多

关键词 碳纳米管 薄膜 场发射特性 冷阴极

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一种植入玻璃表面的碳纳米管电极及其场发射性能研究 被引量：1

18

作者 孙斌 陈冉 +1 位作者 王艳 丁桂甫 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第3期3068-3071,共4页

实现了一种通过水玻璃粘结剂将碳纳米管植入玻璃基底表面并呈现均匀"植布"效果的场发射电极。通过低温工艺固化碳纳米管形态,并保证高选择比的湿法刻蚀工艺,实现碳纳米管端部刻蚀露出作为场发射源,而根部植入水玻璃粘结介质... 实现了一种通过水玻璃粘结剂将碳纳米管植入玻璃基底表面并呈现均匀"植布"效果的场发射电极。通过低温工艺固化碳纳米管形态,并保证高选择比的湿法刻蚀工艺,实现碳纳米管端部刻蚀露出作为场发射源,而根部植入水玻璃粘结介质中的分散植布效果。通过高温强化工艺,在碳纳米管与粘结剂结合界面形成1层稳定的-Si-O-薄膜,增加碳纳米管与阴极薄膜的结合力,提高其场发射性能。高温强化后电极开启电压由1.52V/μm降至0.74V/μm明显降低。同时,在外加场强2.3V/μm时,可以得到大于233μA的稳定场发射电流持续发射40h。 展开更多

关键词 场发射 复合薄膜 碳纳米管 水玻璃

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碳纳米管场致发射显示器与驱动系统的集成研究 被引量：1

19

作者 杨堃 《电子测量技术》 2007年第5期1-3,共3页

碳纳米管场致发射显示器因其特有的性质和优良的性能赢得了普遍关注。场致发射显示器的驱动电路设计与制作是场致发射显示器的一个重要部分,使用非专用驱动系统导致驱动部分体积庞大、连线复杂。本文讨论一种驱动碳纳米管场致发射显示... 碳纳米管场致发射显示器因其特有的性质和优良的性能赢得了普遍关注。场致发射显示器的驱动电路设计与制作是场致发射显示器的一个重要部分,使用非专用驱动系统导致驱动部分体积庞大、连线复杂。本文讨论一种驱动碳纳米管场致发射显示器的新方式。由于碳纳米管可以生长在硅基底上,从而可将驱动电路预先制作在硅基底上,然后再利用室温下生长碳纳米管的方法,将碳纳米管和电路集成在同一硅基底上。驱动系统和发射部分集成在一起,可达到使FED轻薄的设计要求。 展开更多

关键词 碳纳米管(cnt) 场发射显示器(FED) 驱动系统

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表面覆铪改善碳纳米管膜发射性能 被引量：2

20

作者 张继华 王永进 +3 位作者 冯涛 于伟东 王曦 杨传仁 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期624-626,共3页

研究了表面沉积铪膜并进行后处理对碳纳米管膜场电子发射性能的影响。研究结果表明在适当的退火温度下碳纳米管表面形成了碳化铪,并显著提高了碳纳米管的发射电流密度、发射均匀性和发射稳定性。我们认为碳纳米管表面发射性能的提高归... 研究了表面沉积铪膜并进行后处理对碳纳米管膜场电子发射性能的影响。研究结果表明在适当的退火温度下碳纳米管表面形成了碳化铪,并显著提高了碳纳米管的发射电流密度、发射均匀性和发射稳定性。我们认为碳纳米管表面发射性能的提高归功于表面碳化铪膜良好的导电性、化学惰性和低逸出功。 展开更多

关键词 碳纳米管 场发射 碳化铪 薄膜

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