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碳纳米管场效应管尺寸缩小特性的比较被引量：1: 1; 作者周海亮赵天磊 +1 位作者张民选郝跃《国防科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第3期77-82,共6页; 由于具有更为显著的量子隧穿效应,碳纳米管场效应管具有较硅基MOS管不同的尺寸缩小特性,同时,由于工作机理的不同,类MOS碳纳米管场效应管(C-CNFETs:Conventional MOS-like Carbon Nanotube Field Effect Transistors)的尺寸缩小特性与... 展开更多; 关键词碳纳米管场效应管尺寸缩小特性带间隧穿非平衡格林函数量子电容; 在线阅读下载PDF 职称材料

多壁碳纳米管的掺氮改性及场效应管特性研究被引量：5: 2; 作者周晓龙柴扬 +5 位作者李萍剑潘光虎孙晖申自勇张琦锋吴锦雷《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2005年第10期1127-1131,共5页; 以二茂铁为前驱体,提供催化剂与部分碳源,三聚氰提供氮源与另外一部分碳源,在硅基底上制备出了碳纳米管阵列.碳纳米管为多壁结构,单根碳纳米管的平均直径为50nm.碳纳米管的X射线光电子谱(XPS)在398.4eV处出现特征峰,表明为氮掺杂的碳纳... 展开更多; 关键词碳纳米管掺杂场效应管(FET) 输运; 在线阅读下载PDF 职称材料

碳纳米管/金属接触改善方法的研究进展被引量：3: 3; 作者陈长鑫金铁凝张亚非《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第5期449-457,共9页; 碳纳米管(CNT)由于其独特结构和优异特性已被广泛用来构筑各种纳米器件.而CNT与电极间的接触在CNT器件中扮演着重要的作用,是器件性能的关键影响因素.采用何种有效的方法来改善CNT与金属电极间的接触一直是CNT器件研究中的一个重要方面... 展开更多; 关键词碳纳米管(CNT) 碳纳米管/金属接触接触电阻碳纳米管场效应晶体管(cntfet) 综述; 在线阅读下载PDF 职称材料

碳纳米管的快速糖基化及用于糖-凝集素特异性识别作用的研究被引量：2: 4; 作者付群吴明红 +1 位作者焦正王德庆《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期525-529,共5页; 将含糖基的简单两亲分子N-十八烷基麦芽糖酰胺(N-n-Octadecyl-D-maltonamide,NOMA)非共价修饰到单壁碳纳米管(SWNT)表面形成糖-碳纳米管复合体(NOMA-SWNT),谱学和形态学结果表明,NOMA不仅能快速、高效地吸附到SWNT表面,而且能有效地改善... 展开更多; 关键词单壁碳纳米管糖基化糖-碳纳米管复合物碳纳米管场效应管糖-凝集素识别; 在线阅读下载PDF 职称材料

面向多值逻辑计算的基于CNFET的三元逻辑单元库设计: 5; 作者王蕾王洪 +3 位作者王耀朱晓章杨智杰唐玉华《计算机工程与科学》北大核心 2025年第7期1152-1161,共10页; 相比二值逻辑,三元逻辑具有更多的逻辑状态,因而基于三元逻辑的电路具有面积小、利用率高、传输效率高和安全性强等优点。利用常见的碳纳米管场效应晶体管(CNFET)搭建了基本三元逻辑门电路,设计了一个逻辑完备的三元逻辑库,提出了减小CN... 展开更多; 关键词碳纳米管场效应管三元逻辑多值逻辑; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种新型纳米器件逻辑纠错专用集成电路架构被引量：1: 6; 作者窦怀阳薛晓勇冯洁《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第2期116-121,共6页; 新型纳米器件被视为摩尔定律极限临近情况下CMOS技术的有力补充。为克服新型纳米器件缺陷率高的问题,提出了一种基于现场可编程纳米线互连(FPNI)架构的具有自修正能力的纠错(FT)专用集成电路(ASIC)架构FT-FPNI,这种架构适用于易出错的... 展开更多; 关键词内嵌自修复(BISR) 现场可编程纳米线互连(FPNI) 纳米器件逻辑碳纳米管场效应管(cntfet) 电路纠错; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于碳基500nm工艺的双采样真随机数发生器: 7; 作者蔡铭嫣张九龄 +3 位作者陈智峰廖文丽陈译陈铖颖《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第8期732-741,757,共11页; 碳纳米管场效应晶体管(CNTFET)因其极小的尺寸、超高的载流子迁移率、准一维结构的弹道输运等特性,顺应了未来集成电路高集成化和微型化的发展趋势。基于课题组构建的500 nm碳基工艺设计包,设计了一款真随机数发生器(TRNG)。碳基真随机... 展开更多; 关键词碳纳米管场效应晶体管(cntfet) 紧凑模型真随机数发生器(TRNG) 振荡器时钟抖动; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名碳纳米管场效应管尺寸缩小特性的比较被引量：1: 1; 作者周海亮赵天磊张民选郝跃; 机构国防科技大学计算机学院西安电子科技大学微电子学院; 出处《国防科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第3期77-82,共6页; 基金国家863高技术资助项目(2009AA01Z114 2009AA01Z124) 湖南省研究生科研创新项目; 文摘由于具有更为显著的量子隧穿效应,碳纳米管场效应管具有较硅基MOS管不同的尺寸缩小特性,同时,由于工作机理的不同,类MOS碳纳米管场效应管(C-CNFETs:Conventional MOS-like Carbon Nanotube Field Effect Transistors)的尺寸缩小特性与隧穿碳纳米管场效应管(T-CNFETs)也不尽相同。器件尺寸缩小特性研究是研究其应用前景的重要方式,而之前对碳纳米管场效应管尺寸缩小特性的研究并没考虑带间隧穿对碳纳米管场效应管尺寸缩小特性的影响。采用非平衡格林函数方法,对比研究了带间隧穿对C-CNFETs与T-CNFETs尺寸缩小特性的影响。研究结果表明两者存在较大差异、甚至截然相反的尺寸缩小特性。有利于为碳纳米管场效应管器件设计提供重要指导,以获取面积、速度、功耗之间的合理折中。; 关键词碳纳米管场效应管尺寸缩小特性带间隧穿非平衡格林函数量子电容; Keywords CNFETs （Carbon Nanotube Field Effect Transistors） scaling property band-to-band-tunneling non-equilibriumGreen＇s function quantum capacitance; 分类号 TN320.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名多壁碳纳米管的掺氮改性及场效应管特性研究被引量：5: 2; 作者周晓龙柴扬李萍剑潘光虎孙晖申自勇张琦锋吴锦雷; 机构北京大学电子学系; 出处《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2005年第10期1127-1131,共5页; 基金国家重点基础研究发展规划973项目(2001CB610503) 国家自然科学基金(50202002 +6 种基金 60471007 50202001 90206048 90406014) 北京市自然科学基金(4032012 4042017) 教育部博士点基金(20020001003)资助项目~~; 文摘以二茂铁为前驱体,提供催化剂与部分碳源,三聚氰提供氮源与另外一部分碳源,在硅基底上制备出了碳纳米管阵列.碳纳米管为多壁结构,单根碳纳米管的平均直径为50nm.碳纳米管的X射线光电子谱(XPS)在398.4eV处出现特征峰,表明为氮掺杂的碳纳米管.用其制备的场效应管在室温大气环境下稳定地表现为n型场效应特性,并且具有非常低的关闭状态电流(off-statecurrent)以及良好的负门电压对漏极电流的抑制作用,单位源漏偏压下漏极电流为100pA量级.实验中采用了源/漏电极不对称的绝缘层结构,使得门电压对源漏两极的电场调制也不对称,从而实现了对漏电极的门电压调制.; 关键词碳纳米管掺杂场效应管(FET) 输运; Keywords Carbon nanotubes, Nitrogen doping, Field effect transistor, Transport; 分类号 O613.71 [理学—无机化学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名碳纳米管/金属接触改善方法的研究进展被引量：3: 3; 作者陈长鑫金铁凝张亚非; 机构上海交通大学微米/纳米科学技术研究院; 出处《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第5期449-457,共9页; 基金上海市青年科技启明星计划(10QA1403500) 全国优秀博士学位论文作者专项基金(201154) +2 种基金 "晨星学者奖励计划"SMC优秀青年教师项目(SMC2009GB16)~~; 文摘碳纳米管(CNT)由于其独特结构和优异特性已被广泛用来构筑各种纳米器件.而CNT与电极间的接触在CNT器件中扮演着重要的作用,是器件性能的关键影响因素.采用何种有效的方法来改善CNT与金属电极间的接触一直是CNT器件研究中的一个重要方面.本文综述了近年来CNT/金属接触改善方法的研究进展,结合本课题组的研究对目前有代表性的接触改善方法进行介绍.阐述了各种改善方法的原理和加工工艺,讨论了采用这些方法获得的接触特性和器件性能,并对各方法的特点进行了比较.; 关键词碳纳米管(CNT) 碳纳米管/金属接触接触电阻碳纳米管场效应晶体管(cntfet) 综述; Keywords carbon nanotube （CNT） carbon nanotube/metal contact contact resistance carbon nanotubefield-effect transistor （cntfet） review; 分类号 TN305 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名碳纳米管的快速糖基化及用于糖-凝集素特异性识别作用的研究被引量：2: 4; 作者付群吴明红焦正王德庆; 机构上海大学环境与化学工程学院纳米化学与生物学研究所; 出处《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期525-529,共5页; 基金国家自然科学基金(批准号:40830744) 上海市曙光计划(批准号:07SG46) 新世纪优秀人才计划(批准号:NCET-05-0434)资助; 文摘将含糖基的简单两亲分子N-十八烷基麦芽糖酰胺(N-n-Octadecyl-D-maltonamide,NOMA)非共价修饰到单壁碳纳米管(SWNT)表面形成糖-碳纳米管复合体(NOMA-SWNT),谱学和形态学结果表明,NOMA不仅能快速、高效地吸附到SWNT表面,而且能有效地改善SWNT在水溶液中的分散性能.以NOMA-SWNT管束为导通沟道构建了碳纳米管场效应管(CNTFET)器件,检测了麦芽糖和伴刀豆凝集素蛋白(Con A)的特异性识别作用.检测器件在每个修饰阶段的电学性能的变化证明了NOMA对SWNT的非共价糖基化修饰及用CNTFET来检测糖-凝集素特异性识别作用的可能性.; 关键词单壁碳纳米管糖基化糖-碳纳米管复合物碳纳米管场效应管糖-凝集素识别; Keywords SWNT Glyeosylated NOMA-SWNT nanocomposite Carbon nanotube field effect transistor （cntfet） Sugar-lectin recognition; 分类号 O647.3 [理学—物理化学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名面向多值逻辑计算的基于CNFET的三元逻辑单元库设计: 5; 作者王蕾王洪王耀朱晓章杨智杰唐玉华; 机构军事科学院国防科技创新研究院电子科技大学电子科学与工程学院国防科技大学计算机学院; 出处《计算机工程与科学》北大核心 2025年第7期1152-1161,共10页; 基金国家自然科学基金(62372461,62032001,62203457) 国家科学和工业局国防重点实验室项目(WDZC20235250112)。; 文摘相比二值逻辑,三元逻辑具有更多的逻辑状态,因而基于三元逻辑的电路具有面积小、利用率高、传输效率高和安全性强等优点。利用常见的碳纳米管场效应晶体管(CNFET)搭建了基本三元逻辑门电路,设计了一个逻辑完备的三元逻辑库,提出了减小CNFET的物理信道长度L ch和源/漏极长度L s/L d的方法来降低转换延迟时间,还以构建的三元逻辑库为基础,设计搭建了一个一位乘法器电路,通过HSPICE仿真,验证了各电路的性能以及降低转换延迟时间的方法的有效性。与之前的三元1-bit乘法器相比,所设计的电路平均转换延迟时间降低了47 ps。在实际电路应用中,所构建的三元逻辑单元库可以用于更高阶电路的电路综合和物理设计,提出的降低三元电路转换延迟时间的方法为未来以高性能微处理器和人工智能芯片为代表的超大规模集成电路提供了思路。; 关键词碳纳米管场效应管三元逻辑多值逻辑; Keywords carbon nanotube field-effect transistor(CNFET) tenary logic multi-valued-logic; 分类号 TP302.1 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种新型纳米器件逻辑纠错专用集成电路架构被引量：1: 6; 作者窦怀阳薛晓勇冯洁; 机构上海交通大学薄膜与微细技术教育部重点实验室复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第2期116-121,共6页; 基金国家自然科学基金资助项目(61704029,61874028,61834009).; 文摘新型纳米器件被视为摩尔定律极限临近情况下CMOS技术的有力补充。为克服新型纳米器件缺陷率高的问题,提出了一种基于现场可编程纳米线互连(FPNI)架构的具有自修正能力的纠错(FT)专用集成电路(ASIC)架构FT-FPNI,这种架构适用于易出错的纳米器件逻辑门电路。使用基于硬件描述语言的缺陷注入技术来仿真架构,仿真结果表明,这种架构可以100%检测缺陷和错误。为取得最小的纠错代价,需要保持尽可能小的单元阵列尺寸。Hspice软件仿真结果表明,碳纳米管或非(NOR)门输出延迟为2.89 ps,平均功耗为6.748 pW,与现有CMOS技术相比功耗降低2个数量级。; 关键词内嵌自修复(BISR) 现场可编程纳米线互连(FPNI) 纳米器件逻辑碳纳米管场效应管(cntfet) 电路纠错; Keywords built-in self-repair(BISR) field-programmable nanowire interconnect(FPNI) nanodevice logic carbon nanotube field effect transistor(cntfet) circuit fault-tolerant; 分类号 TB383.1 [一般工业技术—材料科学与工程] TN492 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于碳基500nm工艺的双采样真随机数发生器: 7; 作者蔡铭嫣张九龄陈智峰廖文丽陈译陈铖颖; 机构厦门理工学院光电与通信工程学院; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第8期732-741,757,共11页; 基金福建省自然科学基金(2023H0052) 厦门市重大科技计划项目(3502Z20221022)。; 文摘碳纳米管场效应晶体管(CNTFET)因其极小的尺寸、超高的载流子迁移率、准一维结构的弹道输运等特性,顺应了未来集成电路高集成化和微型化的发展趋势。基于课题组构建的500 nm碳基工艺设计包,设计了一款真随机数发生器(TRNG)。碳基真随机数发生器利用慢时钟振荡器对快时钟振荡器进行采样获取随机源,通过在慢时钟振荡器中添加电阻热噪声以增加环形振荡器的相位抖动,经单比特频数测试、重叠子序列检测等随机性测试,证实本设计提高了熵源的非相关性与不可预测性。碳基真随机数发生器的最高工作频率达到7.04 MHz,功耗为1.98 mW,版图面积为2.3 mm×1.5 mm。输出序列通过了随机性检验,适用于现代密码系统的纳米级芯片。; 关键词碳纳米管场效应晶体管(cntfet) 紧凑模型真随机数发生器(TRNG) 振荡器时钟抖动; Keywords carbon nanotube field effect transistor(cntfet) compact model true random number generator(TRNG) oscillator clock jitter; 分类号 TN710.4 [电子电信—电路与系统] TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	碳纳米管场效应管尺寸缩小特性的比较	周海亮赵天磊张民选郝跃	《国防科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2011	1	在线阅读下载PDF 职称材料
2	多壁碳纳米管的掺氮改性及场效应管特性研究	周晓龙柴扬李萍剑潘光虎孙晖申自勇张琦锋吴锦雷	《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心	2005	5	在线阅读下载PDF 职称材料
3	碳纳米管/金属接触改善方法的研究进展	陈长鑫金铁凝张亚非	《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2012	3	在线阅读下载PDF 职称材料
4	碳纳米管的快速糖基化及用于糖-凝集素特异性识别作用的研究	付群吴明红焦正王德庆	《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2009	2	在线阅读下载PDF 职称材料
5	面向多值逻辑计算的基于CNFET的三元逻辑单元库设计	王蕾王洪王耀朱晓章杨智杰唐玉华	《计算机工程与科学》北大核心	2025	0	在线阅读下载PDF 职称材料
6	一种新型纳米器件逻辑纠错专用集成电路架构	窦怀阳薛晓勇冯洁	《半导体技术》 CAS 北大核心	2020	1	在线阅读下载PDF 职称材料
7	基于碳基500nm工艺的双采样真随机数发生器	蔡铭嫣张九龄陈智峰廖文丽陈译陈铖颖	《半导体技术》 CAS 北大核心	2024	0	在线阅读下载PDF 职称材料