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碳等离子体发射的“水窗”波段X光谱研究 被引量：3
1
作者 王柳水 林尊琪 +1 位作者 章辉煌 何兴法 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 1994年第4期532-536,共5页
本文报道首次利用新型的ＯＨＳ（丁二酸氢十八酯）晶体诊断碳等离子体产生的“水窗”波段软Ｘ光光谱发射特性，观察到了有意义的Ｋ＿α谱线；并根据实验识别出的特征谱线，精确地推导出ＯＨＳ新晶体的品格常数２ｄ＝９．１ｎｍ，和摆动... 本文报道首次利用新型的ＯＨＳ（丁二酸氢十八酯）晶体诊断碳等离子体产生的“水窗”波段软Ｘ光光谱发射特性，观察到了有意义的Ｋ＿α谱线；并根据实验识别出的特征谱线，精确地推导出ＯＨＳ新晶体的品格常数２ｄ＝９．１ｎｍ，和摆动曲线半宽度Δθ＝２．５ｍｒａｄ。 展开更多
关键词 碳等离子体 水窗 波段 X光谱
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脉冲碳等离子体源发射特性研究 被引量：1
2
作者 杭凌侠 蔡长龙 +3 位作者 弥谦 严一心 李刚 朱昌 《西安工业学院学报》 2003年第4期289-293,共5页
　研究讨论了在脉冲工作方式下,碳等离子体源的发射特性.根据离子束流分布和膜层厚度测试结果,分析了影响脉冲碳等离子体源发射特性的因素.给出了改善脉冲碳等离子体源发射特性的途径.
关键词 脉冲电弧 碳等离子体源 发射特性 束流分布 膜层厚度 真空电弧离子镀
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激光诱导碳等离子体在强激光冲击合成金刚石微晶中的作用
3
作者 陈晓虎 王珉 《南京航空航天大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期417-421,共5页
通过对 Raman光谱及激光诱发碳等离子体性质的进一步分析研究 ,讨论了强激光冲击合成金刚石微晶过程中碳等离子体的作用机制。碳等离子体可视为高活性、高动能碳粒子集团 ,其对石墨相的作用同时包括能量传输和质量传输两个过程 ,因此碳... 通过对 Raman光谱及激光诱发碳等离子体性质的进一步分析研究 ,讨论了强激光冲击合成金刚石微晶过程中碳等离子体的作用机制。碳等离子体可视为高活性、高动能碳粒子集团 ,其对石墨相的作用同时包括能量传输和质量传输两个过程 ,因此碳等离子体在促进石墨相结构畸变、结构重组乃至相变方面起到了重要的作用 ;从能量阈值角度分析了碳等离子体与石墨相之间的四种碰撞类型 ,并据此对 展开更多
关键词 激光冲击 金刚石微晶 碳等离子体 能量阈值
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激光烧蚀平面碳靶的等离子体形态演化
4
作者 张兴强 马真艳 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2022年第5期659-664,共6页
激光等离子体推进是未来航空航天领域极具应用前景的前沿技术之一,而激光等离子体的形态演化成为激光等离子体冲击波推进的必要条件。本文基于激光等离子体形成的基本理论,模拟了激光碳等离子体的形态参数。之后利用波长为1.064μm、脉... 激光等离子体推进是未来航空航天领域极具应用前景的前沿技术之一,而激光等离子体的形态演化成为激光等离子体冲击波推进的必要条件。本文基于激光等离子体形成的基本理论,模拟了激光碳等离子体的形态参数。之后利用波长为1.064μm、脉宽约10 ns的Nd∶YAG激光器等设备研究了不同激光功率密度下碳等离子体的形态参数,测量数据证实了理论结果。此外,由彩色数字摄像机拍摄的图像表明,当激光器的工作电压从700 V上升到1100 V时,观察到激光碳等离子体从发育不全到充分发育,再到发育过度的演化过程。因此,激光碳等离子体充分发育的条件是:激光器的工作电压调节到850 V,平均输出能量达157.1mJ,功率密度为4.45×10^(9) W/cm^(2)。因等离子体的发育程度关系到激光等离子体冲击波的传播及作用,其研究成为激光等离子体冲击波推进的重要环节。 展开更多
关键词 激光等离子体推进 激光碳等离子体 等离子体发育 形态演化
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碳氟等离子体改性PET表面的反应机制的研究 被引量：7
5
作者 张亮 樊孝平 王建祺 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第11期1853-1856,共4页
利用ＣＦ４与ＣＨ４／ＣＦ４等离子体来处理涤沦膜（ＰＥＴ），讨论了不同摩尔比的碳氟等离子体改性ＰＥＴ表面的作用机制．利用变角Ｘ光电子能谱（ＸＰＳ）和接触角测试技术研究了改性后ＰＥＴ表面的结构和性质．结果表明，碳氟等离子... 利用ＣＦ４与ＣＨ４／ＣＦ４等离子体来处理涤沦膜（ＰＥＴ），讨论了不同摩尔比的碳氟等离子体改性ＰＥＴ表面的作用机制．利用变角Ｘ光电子能谱（ＸＰＳ）和接触角测试技术研究了改性后ＰＥＴ表面的结构和性质．结果表明，碳氟等离子体的处理可以显著地改善ＰＥＴ表面的憎水性．不同摩尔比的碳氟混合气体的作用机制不同，其中碳氟混合气体等离子体以聚合为主，在ＰＥＴ表面形成均匀的改性层；而纯ＣＦ４气体则以刻蚀为主，含氟基团主要分布在ＰＥＴ表面． 展开更多
关键词 PET 改性 憎水性 碳氟等离子体 表面结构
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PET表面的碳氟等离子体处理改性层组分的变角XPS分析 被引量：3
6
作者 张亮 毛坤元 +1 位作者 张新生 王建祺 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第10期1605-1608,共4页
采用ＣＨ４／ＣＦ４ 混合气体等离子体来处理ＰＥＴ表面． 利用变角ＸＰＳ研究改性后ＰＥＴ的表面改性层的组分随取样深度的变化． 结果表明， 碳氟混合气体等离子体在ＰＥＴ表面形成交联网络结构的改性层， 改性层的化学组成随深度的... 采用ＣＨ４／ＣＦ４ 混合气体等离子体来处理ＰＥＴ表面． 利用变角ＸＰＳ研究改性后ＰＥＴ的表面改性层的组分随取样深度的变化． 结果表明， 碳氟混合气体等离子体在ＰＥＴ表面形成交联网络结构的改性层， 改性层的化学组成随深度的变化不大； 纯ＣＦ４ 等离子体的改性层的化学组成不均匀， 含氟基团主要分布在外面． 不同混合气体等离子体在ＰＥＴ表面形成改性层的结构决定于ＣＨ４ 展开更多
关键词 PET 变角XPS 表面改性 碳氟等离子体 改性
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PET表面的碳氟等离子体改性及其表面动力学的研究 Ⅲ.表面能分析方法在表面动力学中的应用 被引量：2
7
作者 张亮 王建祺 张新生 《应用化学》 CSCD 北大核心 1998年第2期88-90,共3页
ＰＥＴ表面的碳氟等离子体改性及其表面动力学的研究Ⅲ．表面能分析方法在表面动力学中的应用张亮＊（北京大学物理系介观物理国家重点实验室北京１００８７１）王建祺张新生（北京理工大学化工与材料学院北京）（北京教育学院宣武区分... ＰＥＴ表面的碳氟等离子体改性及其表面动力学的研究Ⅲ．表面能分析方法在表面动力学中的应用张亮＊（北京大学物理系介观物理国家重点实验室北京１００８７１）王建祺张新生（北京理工大学化工与材料学院北京）（北京教育学院宣武区分院北京）关键词聚对苯二甲酸乙二醇酯... 展开更多
关键词 PET 碳氟等离子体 表面改性 憎水性
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磁场对PET表面碳氟等离子体改性的影响Ⅱ.磁场位形与PET表面改性的关系
8
作者 张亮 王建祺 胡建芳 《高分子材料科学与工程》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第6期79-81,共3页
研究了不同磁场条件下碳氟等离子体对涤纶（ＰＥＴ）表面改性的影响，通过变角Ｘ光电子能谱（ＸＰＳ）方法研究改性后ＰＥＴ表面结构和性质的变化，并探讨了磁场对碳氟等离子体改性的影响。实验结果表明，在磁场存在的条件下，碳氟等离... 研究了不同磁场条件下碳氟等离子体对涤纶（ＰＥＴ）表面改性的影响，通过变角Ｘ光电子能谱（ＸＰＳ）方法研究改性后ＰＥＴ表面结构和性质的变化，并探讨了磁场对碳氟等离子体改性的影响。实验结果表明，在磁场存在的条件下，碳氟等离子体处理ＰＥＴ的表面结构和性质的变化，依赖于磁场的强度而不是磁场的分布；磁场强度的增强，导致了改性后ＰＥＴ表面Ｆ／Ｃ比的提高及等离子体聚合或刻蚀程度的加强。 展开更多
关键词 碳氟等离子体 磁场 聚合 刻蚀 PET 改性 XPS
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新型多元掺杂面对等离子体碳基材料的性能研究
9
作者 许增裕 刘翔 +4 位作者 谌继明 王明旭 宋进仁 翟更太 李承新 《核科学与工程》 CSCD 北大核心 2002年第4期349-355,共7页
对方案和机理的研究 ,在国内相关单位采取优势互补的方法进行合作 ,基于理论和实验 ,得出了高强度、高热导、低溅射掺杂石墨和碳 碳 (C C)复合材料的最佳配方 ;合适的工艺路线和工艺参数 ;掺杂石墨热导率提高 4倍以上 ;化学溅射产额下... 对方案和机理的研究 ,在国内相关单位采取优势互补的方法进行合作 ,基于理论和实验 ,得出了高强度、高热导、低溅射掺杂石墨和碳 碳 (C C)复合材料的最佳配方 ;合适的工艺路线和工艺参数 ;掺杂石墨热导率提高 4倍以上 ;化学溅射产额下降 1个数量级 ;抗辐照增强升华和热解吸均有明显改善 ;抗等离子体辐照综合性能亦有较大提高 ,经受 1 0 展开更多
关键词 多元掺杂 等离子体碳基材料 性能 C/C复合材料 聚变堆 石墨
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脉冲激光诱导石墨等离子体羽辉特性研究 被引量：2
10
作者 周素素 王新兵 +1 位作者 尹培琪 左都罗 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第6期796-800,共5页
为了研究C_2的演化规律,采用增强型电荷耦合器件(ICDD)直接成像法,通过Nd∶YAG激光器烧蚀石墨靶,使用窄带通滤波片分辨出C_2和C^+的发射位置,研究了在不同空气压力条件下,脉冲激光诱导石墨等离子体中C_2和C^+的发射特性。当空气气压为10... 为了研究C_2的演化规律,采用增强型电荷耦合器件(ICDD)直接成像法,通过Nd∶YAG激光器烧蚀石墨靶,使用窄带通滤波片分辨出C_2和C^+的发射位置,研究了在不同空气压力条件下,脉冲激光诱导石墨等离子体中C_2和C^+的发射特性。当空气气压为10^(-2)Pa和3Pa时,C_2发射峰值位于靶材附近,此时C_2的形成主要为靶材的直接发射;气压增大至50Pa时,由于气相重组反应加强,等离子体前端出现另一个C_2的发射峰值,其峰值位置与C^+一致,并且其逐渐占C_2发射的主导地位,此时C_2的形成主要来源于重组反应,C^+发射光强要大于C_2;当气压进一步增大至130Pa时,气相重组反应增加,在等离子体前端出现C_2的发射强度增强,在1. 3μs之后,C_2的发射强度大于C^+。结果表明,随着气压的变化,C_2的发射峰值位置和强度发生明显变化。这一结果对碳等离子体沉积碳纳米材料原理研究是有帮助的。 展开更多
关键词 激光技术 碳等离子体羽辉 增强型CCD成像 C2自由基
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