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CVD法制备碳纳米管中应用硫添加物的热力学研究 被引量:1
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作者 裴振昭 毋俊生 王利生 《化工新型材料》 CAS CSCD 2004年第7期36-38,42,共4页
利用俄罗斯科学院研制的CVD (Chemicalvapordeposition)软件计算分析了CH4 H2 S体系在 10 132 5Pa、90 0~ 130 0K ,CO H2 S体系在 10 132 5Pa、90 0~ 12 0 0K下不同硫添加物含量及温度对碳沉积率的影响 ;绘制了碳沉积边界曲线 ,预测... 利用俄罗斯科学院研制的CVD (Chemicalvapordeposition)软件计算分析了CH4 H2 S体系在 10 132 5Pa、90 0~ 130 0K ,CO H2 S体系在 10 132 5Pa、90 0~ 12 0 0K下不同硫添加物含量及温度对碳沉积率的影响 ;绘制了碳沉积边界曲线 ,预测了碳沉积区 ;计算筛选出了适合于不同体系制备碳纳米管的催化剂。 展开更多
关键词 纳米管 CVD法 CH4-H2S体系 催化剂 沉积 CNT H2S 硫化氢 热力学 沉积边界曲线 碳沉积区 沉积 硫添加物
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