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高能量密度脉冲等离子体同轴枪制备Ti(C,N)薄膜研究
被引量：
3
1
作者
彭志坚
苗赫濯
+3 位作者
杨思泽
刘赤子
齐龙浩
潘伟
《机械工程材料》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第1期20-22,共3页
用高能量密度脉冲等离子体同轴枪分别在硬质合金和氮化硅陶瓷刀具基体上沉积了Ti(C,N)薄膜,研究了各种因素对薄膜相转化的影响,通过XRD分析,最后得到合适的Ti(C,N)薄膜沉积工艺条件是:枪压3.5kV,同轴枪与试样间距30～40mm,氮气进气压力0...
用高能量密度脉冲等离子体同轴枪分别在硬质合金和氮化硅陶瓷刀具基体上沉积了Ti(C,N)薄膜,研究了各种因素对薄膜相转化的影响,通过XRD分析,最后得到合适的Ti(C,N)薄膜沉积工艺条件是:枪压3.5kV,同轴枪与试样间距30～40mm,氮气进气压力0.2MPa,电磁阀电压1.5kV,脉冲等离子轰击次数5次以上。
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关键词
高能量密度脉冲等离子体
碳氮化钛薄膜
刀具
相转化
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职称材料
题名
高能量密度脉冲等离子体同轴枪制备Ti(C,N)薄膜研究
被引量：
3
1
作者
彭志坚
苗赫濯
杨思泽
刘赤子
齐龙浩
潘伟
机构
清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室
中国科学院物理研究所
出处
《机械工程材料》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第1期20-22,共3页
文摘
用高能量密度脉冲等离子体同轴枪分别在硬质合金和氮化硅陶瓷刀具基体上沉积了Ti(C,N)薄膜,研究了各种因素对薄膜相转化的影响,通过XRD分析,最后得到合适的Ti(C,N)薄膜沉积工艺条件是:枪压3.5kV,同轴枪与试样间距30～40mm,氮气进气压力0.2MPa,电磁阀电压1.5kV,脉冲等离子轰击次数5次以上。
关键词
高能量密度脉冲等离子体
碳氮化钛薄膜
刀具
相转化
Keywords
pulsed high energy density plasma
Ti(C,N) coating
cutting tool
phase transformation
分类号
O484.4 [理学—固体物理]
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作者
出处
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被引量
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1
高能量密度脉冲等离子体同轴枪制备Ti(C,N)薄膜研究
彭志坚
苗赫濯
杨思泽
刘赤子
齐龙浩
潘伟
《机械工程材料》
CAS
CSCD
北大核心
2004
3
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