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题名PECVD制备新型介质薄膜碳氮化硅工艺性能研究
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作者
王柏青
张克云
包宗明
王焕杰
王季陶
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机构
复旦大学电子工程系
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出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
1994年第5期412-415,共4页
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文摘
研究了ＰＥＣＶＤ法制备新型介质膜碳氮化硅（ＳｉＣｘＮｙ：Ｈ）的工艺参数对淀积过程的影响。讨论了退火对该薄膜的影响，发现经退火后，其电阻率有明显的下降，氢含量也大大减少，但是膜的结构仍然是非晶态的。最后对该薄膜的特性进行测试，表明碳氮化硅薄膜具有较好的绝缘性能。
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关键词
碳氮化硅薄膜
淀积工艺
钝化模
集成电路
PECVD
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Keywords
new passivation film,SiCxNy:Hfilm,parameters of the process.
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分类号
TN405
[电子电信—微电子学与固体电子学]
O484.1
[理学—固体物理]
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题名一种基于S型电磁超材料的高温温度传感器设计
被引量：1
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作者
张春丽
吴倩楠
翟荣锭
刘雁飞
李孟委
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机构
中北大学半导体与物理学院
中北大学前沿交叉科学研究院
中北大学微系统集成研究中心
中北大学仪器与智能未来技术学院
中北大学仪器与电子学院
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出处
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2024年第3期389-395,共7页
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基金
山西省双一流人才计划建设项目(11012315)
山西省双一流学科建设国家一流课程建设项目(11013168)
+1 种基金
山西省双一流学科建设项目(11013351)
山西省双一流学科国家级未来技术学院建设项目(11013169)。
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文摘
针对目前超材料温度传感器存在的量程小且灵敏度较低的问题,设计了一种碳氮化硅基的S型超材料的高温传感器。通过CST电磁仿真软件对超材料温度传感器进行模拟仿真,在其他结构参数一定的情况下,对金属条的长度、宽度、厚度、条间隙及基板厚度等参数进行了设计与优化,确定了传感器结构的最佳尺寸,同时分析了传感器的谐振频率对温度的影响。结果表明,在28℃~1000℃下平均灵敏度可达5.674 MHz/℃。与之前报道的高温传感器相比,灵敏度提高了5倍,这种高灵敏度温度传感器可为航空发动机、武器装备等系统中的高温测试提供一种技术手段。
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关键词
温度传感器
电磁超材料
碳氮化硅
S型
高温传感器
高灵敏度
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Keywords
temperature sensor
electromagnetic metamaterial
silicon carbon nitride
S-Type
high temperature sensor
high sensitivity
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分类号
O433
[机械工程—光学工程]
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题名高温新材料Si(B)CN
被引量：4
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作者
李世波
张立同
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机构
西北工业大学凝固技术国家重点实验室
哈尔滨建筑大学材料科学与工程系
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出处
《材料工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第12期39-41,共3页
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文摘
碳氮化硅 (Si CN)和含硼的碳氮化硅 (Si BCN)在 140 0℃以上的高温仍保持非晶态结构 ,具有比 Si C、Si3N4更好的高温性能。 Si CN的玻璃转变温度 Tg大于 140 0℃ ,在此温度以上开始有晶体析出 ,最终为多晶 Si C和 Si3N4。Si BCN在 170 0℃仍保持非晶态 ,于 180 0℃以上开始析晶。这两种材料在 16 0 0℃表现出极好的抗氧化性能。按照高温材料的要求 ,论述了这两类材料的高温热稳定性、抗氧化性以及抗蠕变性能。展望了该材料作为高温陶瓷材料的发展趋势。
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关键词
碳氮化硅
热稳定性
抗氧化性
抗蠕变性
陶瓷材料
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Keywords
silicon carbonitride
boron containing silicon carbonitride
thermal stability
oxidation resistance
resistance to creep
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分类号
TQ174.1
[化学工程—陶瓷工业]
TQ174.758
[化学工程—陶瓷工业]
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