碳化硅原料粉体制备的研究进展

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作者 冯东 刘悦 +3 位作者 丁国强 茹红强 罗旭东 游杰刚 《航空制造技术》 北大核心 2025年第3期92-101,共10页

碳化硅(SiC)材料因具有优异的物理化学性能,已被广泛应用于航空航天、工程陶瓷和半导体等领域。目前,SiC粉体的合成方法众多,其中碳热还原法是工业生产SiC粉体的主要方法,但在生产过程中,SiC粉体的颗粒度和杂质含量均会影响最终产物的... 碳化硅(SiC)材料因具有优异的物理化学性能,已被广泛应用于航空航天、工程陶瓷和半导体等领域。目前,SiC粉体的合成方法众多,其中碳热还原法是工业生产SiC粉体的主要方法,但在生产过程中,SiC粉体的颗粒度和杂质含量均会影响最终产物的各项性能。因此,如何对SiC粉体进行细化和纯化处理成为制备高性能SiC材料需要探索的问题。本文首先介绍了SiC粉体合成技术的种类、原理和特点;然后,详细阐述了近年来SiC粉体细化技术的研究进展,并对SiC粉体中无定形碳和金属及金属氧化物的纯化技术进行重点介绍;最后分析了目前制备SiC粉体需要解决的问题,并对其发展前景进行展望。 展开更多

关键词 碳化硅(sic)粉体 sic合成 碳热还原法 粉体细化 粉体纯化

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200 V全碳化硅集成技术

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作者 顾勇 马杰 +5 位作者 刘奥 黄润华 刘斯扬 柏松 张龙 孙伟锋 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第7期2183-2189,共7页

本文提出了一种基于N衬底P外延晶圆的全碳化硅(Silicon Carbide,SiC)集成工艺平台,该工艺平台兼容低压互补金属氧化物半导体场效应晶体管(Complementary Metal Oxide Semiconductor field-effect transistor,CMOS)、横向扩散金属氧化物... 本文提出了一种基于N衬底P外延晶圆的全碳化硅(Silicon Carbide,SiC)集成工艺平台,该工艺平台兼容低压互补金属氧化物半导体场效应晶体管(Complementary Metal Oxide Semiconductor field-effect transistor,CMOS)、横向扩散金属氧化物半导体(Laterally-Diffused MOS,LDMOS)以及高压二极管等器件.采用P型缓冲层技术调节器件垂直方向电场分布,使高压器件垂直方向耐受电压提高212.4%;在1μm厚度的P型缓冲层和1μm厚度的P型外延层上,实现LDMOS、高压二级管和高侧区域耐受电压大于300 V.基于该工艺平台,搭建了SiC CMOS反相器和反相器链电路,均实现了0~20 V轨至轨的电压输出;设计了半桥驱动电路,低压侧驱动电路由四阶反相器构成;高压侧驱动电路由电平移位电路和高侧区域反相器链电路组成,实现了180~200 V浮空栅极驱动信号输出. 展开更多

关键词 碳化硅(sic) 集成 碳化硅集成电路 碳化硅反相器 碳化硅横向扩散金属氧化物半导体

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碳化硅MOSFET器件高温栅偏特性的实验分析 被引量：4

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作者 徐鹏 邹琦 +2 位作者 谢宗奎 柯俊吉 赵志斌 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第10期752-759,共8页

为了评估不同电热应力和时间周期下碳化硅（Si C）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的高温栅偏特性,搭建了具备施加高温栅偏应力和测量器件静态特性以及两者快速切换的实验平台。从施加高温栅偏应力、去除应力后室温下短期恢复... 为了评估不同电热应力和时间周期下碳化硅（Si C）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的高温栅偏特性,搭建了具备施加高温栅偏应力和测量器件静态特性以及两者快速切换的实验平台。从施加高温栅偏应力、去除应力后室温下短期恢复和长期恢复3个不同阶段研究了SiC MOSFET静态参数对高温栅偏应力的敏感度,以及不同时间周期范围内阈值电压的恢复能力。实验结果表明,高温栅极正偏压和高温环境存储都会导致器件阈值电压的正向漂移,室温施加栅极正偏压,器件阈值电压几乎不发生漂移。此外,长时间高温栅偏后,室温条件下器件的导通电阻和泄漏电流都表现出十分优异的稳定性。然而,高温栅偏后器件阈值电压的漂移程度还取决于恢复时间,恢复时间越长,阈值电压漂移程度越小。 展开更多

关键词 碳化硅(sic)MOSFET 高温栅偏 静态特性 灵敏度 恢复时间

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无烟煤冶炼碳化硅废气排放规律研究 被引量：3

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作者 王宏亮 张亚辉 +2 位作者 杜士林 丁文文 都基峻 《环境工程技术学报》 CAS 2020年第3期362-367,共6页

我国碳化硅(SiC)产能世界第一,但因冶炼方式粗放、行业排放标准缺失等原因,废气大量无组织排放,造成大气环境严重污染。使用半密闭收集装置,将废气由无组织排放变为有组织排放,继而研究其污染因子及排放规律。通过现场实测、标准比对等... 我国碳化硅(SiC)产能世界第一,但因冶炼方式粗放、行业排放标准缺失等原因,废气大量无组织排放,造成大气环境严重污染。使用半密闭收集装置,将废气由无组织排放变为有组织排放,继而研究其污染因子及排放规律。通过现场实测、标准比对等方法,确定污染因子为SO2、NOx、PM 3种常规污染因子和CO 1种特征污染因子。结果表明,SO2、NOx、PM的日排放量变化规律与冶炼温度存在趋同性;SO2、NOx、PM的日排放量在恒温阶段(高温段)最高,分别达439.00、59.04、38.81 kg/d。CO因同时受主副反应竞争性影响,其日排放量在升温和降温阶段较高,达6488.37 kg/d;在恒温阶段较低,为1203.70 kg/d。根据污染物日排放量,通过变频控制风机风量和吸收液流速,使之适配不同冶炼时期的污染物浓度,从而降低污染治理成本。 展开更多

关键词 碳化硅(sic) 废气 排放因子 排放规律

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炭/碳化硅复合材料在高温燃气环境中的铰链传动与摩擦行为 被引量：1

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作者 张亚妮 张立同 +1 位作者 成来飞 徐永东 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期501-508,共8页

采用化学气相渗透法(CVI)制备了二维炭纤维增强碳化硅(C/SiC)全陶瓷基复合材料铰链试样.高温燃气风洞实现了铰链试样在1800℃高温氧化气氛中传动与摩擦行为的试验模拟.基于耦合应力等效模拟系统的开发,采用摩擦力矩的变化表征材料的传... 采用化学气相渗透法(CVI)制备了二维炭纤维增强碳化硅(C/SiC)全陶瓷基复合材料铰链试样.高温燃气风洞实现了铰链试样在1800℃高温氧化气氛中传动与摩擦行为的试验模拟.基于耦合应力等效模拟系统的开发,采用摩擦力矩的变化表征材料的传动与摩擦行为.对比分析了材料在室温与高温下以传动为背景的高载荷、低转速摩擦磨损行为及机理.C/SiC复合材料铰链试样在高温燃气环境中稳定的摩擦力矩和对滑动时间的不敏感,验证了材料在高温下更稳定、更可靠的高温摩擦性能及热承载能力.高温下表面生成的氧化反应膜通过应力的重新分布起到有效的保护与润滑作用. 展开更多

关键词 炭/碳化硅(C/sic)复合材料 化学气相渗透(CVI) 摩擦 传动 高温燃气环境

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碳化硅MOSFET的高温栅偏特性

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作者 崔江 王景霖 +1 位作者 陈一凡 林华 《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第11期915-920,共6页

针对碳化硅(SiC)MOSFET存在的栅氧可靠性问题,对其展开高温栅偏(HTGB)试验研究。以阈值电压(V_(TH))和体二极管通态压降(V_(SD))作为特征参数,设计搭建应力及测试试验平台,研究SiC MOSFET在高温栅偏应力下的特征参数退化特性,并对短期... 针对碳化硅(SiC)MOSFET存在的栅氧可靠性问题,对其展开高温栅偏(HTGB)试验研究。以阈值电压(V_(TH))和体二极管通态压降(V_(SD))作为特征参数,设计搭建应力及测试试验平台,研究SiC MOSFET在高温栅偏应力下的特征参数退化特性,并对短期恢复下特征参数的不稳定现象以及长期恢复对特征参数的影响进行了分析。试验结果表明,SiC MOSFET的VTH和VSD均受负向和正向高温栅偏的影响,并能够产生相反方向的参数漂移。撤去应力后存在恢复现象,使电参数受可恢复部分偏移量的影响具有不稳定性,且经过长期室温储存后仍存在进一步的恢复。 展开更多

关键词 碳化硅(sic)MOSFET 高温栅偏(HTGB) 阈值电压 体二极管通态压降 恢复现象

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封装黏合层材料对碳化硅高温压力传感器性能的影响 被引量：2

7

作者 党伟刚 田学东 +3 位作者 雷程 李培仪 冀鹏飞 罗后明 《半导体技术》 北大核心 2023年第12期1121-1128,共8页

高温微电子机械系统(MEMS)动态压力传感器常用于恶劣环境下的动态测试,其稳定工作受限于可靠的封装。通过有限元仿真软件对不同封装黏合层材料对传感器静、动态特性的影响进行研究。仿真结果表明,以无机高温胶作为黏合层材料的传感器在... 高温微电子机械系统(MEMS)动态压力传感器常用于恶劣环境下的动态测试,其稳定工作受限于可靠的封装。通过有限元仿真软件对不同封装黏合层材料对传感器静、动态特性的影响进行研究。仿真结果表明,以无机高温胶作为黏合层材料的传感器在常温下固有频率为488.68 kHz、上升时间为60μs,600℃下灵敏度为73.41 mV/MPa,相比采用环氧树脂和玻璃黏合层材料的传感器,其抗冲击干扰性能及响应时间等动态性能具有一定优势。测试结果表明,在常温至300℃,以无机高温胶作为黏合层材料的传感器零点输出电压从2.16 mV升至7.45 mV,满量程输出电压由124.0 mV降至69.35 mV,与仿真结果有相同的趋势,为碳化硅高温压力传感器封装工艺黏合层材料选材提供了参考。 展开更多

关键词 碳化硅(sic) 高温压力传感器 有限元分析 封装 黏合层材料

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基于碳化硅器件的无线充电系统电源设计 被引量：2

8

作者 黄天一 卞正达 +3 位作者 徐长福 王若隐 张铭 谭林林 《电力工程技术》 北大核心 2021年第5期87-93,共7页

碳化硅(SiC)器件耐高频高温、散热性能好、导通电阻小,应用于无线充电系统可有效提高无线充电系统的效率。文中首先对比了SiC材料与Si材料的特性,在此基础上研制了一套基于SiC器件的无线充电系统电源装置。该装置由整流模块和逆变模块构... 碳化硅(SiC)器件耐高频高温、散热性能好、导通电阻小,应用于无线充电系统可有效提高无线充电系统的效率。文中首先对比了SiC材料与Si材料的特性,在此基础上研制了一套基于SiC器件的无线充电系统电源装置。该装置由整流模块和逆变模块构成,输入端接市电,且装置的整流模块具有功率因数校正功能。文中详细给出了整流模块的整流桥选型策略、滤波电路参数设计方法、Boost电路功率器件和无源元件设计原则及开关管控制电路设计方法,还给出了逆变模块的开关管选型策略、开关管驱动电路和开关管保护电路的设计方法。最后,实验结果验证了方案的有效性和可行性,输入侧实现了高功率因数,逆变电路开关管电压振荡得到抑制,实验样机的效率峰值可达98.2%。 展开更多

关键词 碳化硅(sic)器件 电源设计 高效率 高功率因数 功率因数校正 无线充电系统

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考虑驱动电压与开关时序协同调控的Si/SiC混合器件开关策略 被引量：2

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作者 肖标 涂春鸣 +3 位作者 郭祺 肖凡 龙柳 刘平 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2024年第12期4904-4914,I0025,共12页

硅基(Si)绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)和碳化硅基(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(metal oxide semiconductor field effect transistor,MOSFET)并联组成的Si/SiC混合器件,已被证实具有SiC MOSFET的高... 硅基(Si)绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)和碳化硅基(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(metal oxide semiconductor field effect transistor,MOSFET)并联组成的Si/SiC混合器件,已被证实具有SiC MOSFET的高开关频率、低开关损耗特性和Si IGBT的大载流能力、低成本的优势。然而,目前Si/SiC混合器件性能提升的研究并未兼顾效率和可靠性,且存在调控手段单一的劣势。基于此,该文详细分析不同负载电流下驱动电压、开关时序等调控参数对Si/SiC混合器件损耗和电应力的影响,提出一种考虑驱动电压与开关时序协同调控的Si/SiC混合器件开关策略。所提开关策略通过不同电流区间采用驱动电压与开关时序相配合的方式,在保障Si/SiC混合器件可靠性的前提下,提高其运行效率。该文搭建双脉冲测试实验平台与稳态参数测量实验平台对所提开关策略进行验证。实验结果表明,相较于传统开关策略,Si/SiC混合器件采用本文所提开关策略在开通损耗、关断损耗以及导通损耗方面分别减少13%、21%和32%。 展开更多

关键词 碳化硅基(sic) Si/sic混合器件 驱动电压 开关时序 开关策略

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Pt催化甲酸气氛下的碳化硅低温键合

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作者 尹振 徐杨 +4 位作者 李俊龙 孟莹 赵雪龙 须贺唯知 王英辉 《哈尔滨工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第12期103-107,共5页

为实现碳化硅(SiC)在300℃以下的低温键合,研究了以Cu和Au作为键合中间层,利用Pt催化甲酸气氛预处理金属膜表面并为键合提供还原性保护气氛的低温键合方法。首先,研究了带有Cu金属层的SiC晶片在氮气、甲酸气氛以及Pt催化甲酸气氛下的键... 为实现碳化硅(SiC)在300℃以下的低温键合,研究了以Cu和Au作为键合中间层,利用Pt催化甲酸气氛预处理金属膜表面并为键合提供还原性保护气氛的低温键合方法。首先,研究了带有Cu金属层的SiC晶片在氮气、甲酸气氛以及Pt催化甲酸气氛下的键合过程,通过对比键合强度来验证Pt催化甲酸气氛下完成带有Cu层的SiC晶片键合的可能性。其次,采用扫描声学显微镜(SAM)和扫描电子显微镜(SEM)对键合后样品进行表征,并通过改变键合温度及键合加载的压力,研究关键工艺参数对于键合强度的影响。最后,对比了Cu, Au两种中间层金属在不同气氛下的SiC-SiC键合效果。研究结果表明:相比不含甲酸的N_(2)气氛以及未经过Pt催化的甲酸气氛,经过Pt催化的甲酸气氛能够更好地还原Cu表面的氧化物,实现带有Cu金属层的SiC-SiC低温键合;SEM、SAM测试表明键合界面无明显空洞,键合效果良好;与使用Au层的SiC样品相比,在低温下基于Cu中间层的SiC样品键合强度显著高于Au中间层的样品,显示了本方法对还原表面主要为氧化物的金属层键合的优越性。本方法利用Pt催化甲酸气氛预处理Cu表面并为键合提供还原性保护气氛,在200℃时获得了12.5 MPa的剪切强度,实现了高强度的SiC-SiC低温键合。 展开更多

关键词 碳化硅(sic) 低温键合 甲酸 催化还原 金属中间层

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SiC MOSFET的质子单粒子效应

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作者 史慧琳 郭刚 +4 位作者 张峥 李府唐 刘翠翠 张艳文 殷倩 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第7期654-659,共6页

SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在深空探测领域具有广阔的应用前景,但空间质子引发的单粒子效应(SEE)对航天器稳定运行造成了严重威胁。对平面栅结构与非对称沟槽栅结构的SiC MOSFET进行了能量为70、100与200 MeV的质子辐照... SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在深空探测领域具有广阔的应用前景,但空间质子引发的单粒子效应(SEE)对航天器稳定运行造成了严重威胁。对平面栅结构与非对称沟槽栅结构的SiC MOSFET进行了能量为70、100与200 MeV的质子辐照实验。实验结果表明,两种SiC MOSFET的单粒子烧毁(SEB)阈值电压均大于额定漏源电压的75%;SEB阈值电压随质子能量升高而降低。对两种器件进行辐照后栅应力测试发现,两种结构的器件由于沟道不同而对栅应力的响应存在差异;不同的质子能量会在栅极引入不同程度的辐射损伤,低能质子更容易在栅氧化层发生碰撞而引入氧化物潜在损伤。该研究可为揭示SiC MOSFET质子SEE机理和评估抗辐射能力提供参考。 展开更多

关键词 碳化硅(sic) 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 单粒子效应(SEE) 单粒子烧毁(SEB) 电离效应 辐射损伤

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栅氧老化下SiC MOSFET开通瞬态栅极振荡特性研究 被引量：1

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作者 李豪 成芮俊杰 +1 位作者 向大为 田鑫 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2024年第9期3656-3664,I0027,共10页

栅氧老化问题已成为制约碳化硅(SiC)金属半导体氧化物场效应管(metal oxide semiconductor field effect transistor,MOSFET)可靠性的关键因素,该文尝试利用SiC MOSFET高速开关在变换器中引起的高频开关振荡获取栅氧状态信息,重点研究... 栅氧老化问题已成为制约碳化硅(SiC)金属半导体氧化物场效应管(metal oxide semiconductor field effect transistor,MOSFET)可靠性的关键因素,该文尝试利用SiC MOSFET高速开关在变换器中引起的高频开关振荡获取栅氧状态信息,重点研究栅氧老化对开通瞬态栅极高频振荡特性的影响。首先,分析SiC MOSFET栅氧老化机理及其对器件开通时间的影响。然后,建立开通瞬态栅极回路分阶段高频等效电路模型,揭示SiC MOSFET栅极开通振荡电流的形成机理和影响因素。最后,通过33 V高压栅偏加速老化实验进行验证。研究结果表明,随着栅氧老化程度的加深,SiC MOSFET阈值电压会逐渐增加而开通速度变慢,导致栅极开通振荡电流显著减小(约28%)。该文的工作有望为SiC MOSFET栅氧老化在线监测提供一种新的思路。 展开更多

关键词 碳化硅金属半导体氧化物场效应管(sic MOSFET) 栅氧老化 栅极振荡 在线状态监测

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高压SiC器件在FREEDM系统中的应用 被引量：4

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作者 倪喜军 《电源学报》 CSCD 2016年第4期139-146,共8页

碳化硅SiC(silicon carbide)是目前最为成熟的宽禁带半导体材料之一,在高压、高温、高频等领域,碳化硅器件的研究和应用已成为当前的研究热点。针对碳化硅器件目前的生产使用状况,简述了与碳化硅主要生产商CREE紧密合作的FREEDM中心的... 碳化硅SiC(silicon carbide)是目前最为成熟的宽禁带半导体材料之一,在高压、高温、高频等领域,碳化硅器件的研究和应用已成为当前的研究热点。针对碳化硅器件目前的生产使用状况,简述了与碳化硅主要生产商CREE紧密合作的FREEDM中心的研究情况,重点分析了高压SiC MOSFET,IGBT,ETO,JFET在SST(Solid State Transformer)和FID(Fault Isolation Device)中的应用。针对各类器件本身的特性,FREEDM中心有针对性的选择了相关应用领域,并开发了多代SST和FID的拓扑,许多重要的研究成果引领了全球高压SiC器件的研究趋势。 展开更多

关键词 碳化硅sic 固态变压器 故障隔离装置 三电平NPC 软开关 直流-直流变换器

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先驱体浸渍裂解结合化学气相渗透工艺下二维半和三维织构SiC/SiC复合材料的结构与性能 被引量：8

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作者 赵爽 杨自春 周新贵 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第16期2715-2718,共4页

通过先驱体浸渍裂解工艺结合化学气相渗透工艺(PIP+CVI)制备了二维半(2.5D)和三维(3D)编织结构的碳化硅纤维增强碳化硅基(SiC/SiC)复合材料,对两者的密度、热导率、力学性能以及微观结构等进行了测试分析。结果表明,PIP+CVI工艺制备的Si... 通过先驱体浸渍裂解工艺结合化学气相渗透工艺(PIP+CVI)制备了二维半(2.5D)和三维(3D)编织结构的碳化硅纤维增强碳化硅基(SiC/SiC)复合材料,对两者的密度、热导率、力学性能以及微观结构等进行了测试分析。结果表明,PIP+CVI工艺制备的SiC/SiC复合材料具有较低的密度(1.98~2.43g·cm-3)和热导率(0.85~2.08 W·m^(-1)·K^(-1)),初期CVI纤维涂层能够提高纤维-基体界面剪切强度(~141.0 MPa),从而提高SiC/SiC复合材料的力学性能,后期CVI整体涂层明显提高了2.5DSiC/SiC复合材料的密度、热导率和力学性能,对3DSiC/SiC复合材料性能的影响不明显。 展开更多

关键词 先驱体浸渍裂解(PIP) 化学气相渗透(CVI) 编织结构 碳化硅纤维增强碳化硅基(sic/sic)复合材料 致密度 热导率 力学性能

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反应离子刻蚀损伤对4H-SiC肖特基二极管性能的影响 被引量：2

15

作者 郭立建 韩军 +3 位作者 邢艳辉 王凯 赵康康 于保宁 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第5期384-389,共6页

通过反应离子刻蚀（RIE）系统地研究了射频功率、压强和气体流量对4H-Si C刻蚀的影响,并进一步研究了刻蚀损伤对金属场板结构4H-Si C肖特基势垒二极管电学性能的影响。研究表明,刻蚀速率和Si C表面形貌都会受到RF功率、压强和刻蚀气体（... 通过反应离子刻蚀（RIE）系统地研究了射频功率、压强和气体流量对4H-Si C刻蚀的影响,并进一步研究了刻蚀损伤对金属场板结构4H-Si C肖特基势垒二极管电学性能的影响。研究表明,刻蚀速率和Si C表面形貌都会受到RF功率、压强和刻蚀气体（SF6和O2）流量的影响。在高的RF功率下,观察到在Si C表面形成的刻蚀损伤（凹陷坑和锥形坑）。研究表明,这些刻蚀损伤的形成和Si C材料自身的缺陷有关,而且这些刻蚀损伤的存在会导致Si C肖特基二极管正反向I-V性能发生恶化。在刻蚀损伤严重的情况下,对比正反向I-V测试结果发现,在0～50 V的绝对电压范围内,正向电流甚至远小于反向电流。 展开更多

关键词 反应离子刻蚀(RIE) 碳化硅(sic) 肖特基二极管 刻蚀损伤 电流-电压特性

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液相烧结SiC陶瓷性能的研究 被引量：3

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作者 郜玉含 李晓云 丘泰 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2011年第2期295-298,共4页

以Al2O3、Y2O3（质量比为2∶3）为烧结助剂,在氮气氛或氩气氛中、1 900~1 970℃3、0 MPa下热压制备SiC陶瓷。根据Archimedes原理测量烧结体的体积密度和显气孔率;采用XRD、SEM（EDS）及瞬态热导率测试仪分别对材料的物相、显微结构和热... 以Al2O3、Y2O3（质量比为2∶3）为烧结助剂,在氮气氛或氩气氛中、1 900~1 970℃3、0 MPa下热压制备SiC陶瓷。根据Archimedes原理测量烧结体的体积密度和显气孔率;采用XRD、SEM（EDS）及瞬态热导率测试仪分别对材料的物相、显微结构和热导率进行表征。研究了烧结温度、烧结气氛和烧结助剂含量对材料烧结性能和热导率的影响。结果表明,当烧结助剂质量分数为10%,获得SiC致密体（气孔率〈0.30%）,热导率高达182.50 W/（m.K）;随着烧结助剂的质量分数降至6%,材料的致密度和热导率皆明显下降;在氩气氛中SiC与Al2O3、Y2O3具有更好的润湿性。 展开更多

关键词 碳化硅(sic) 液相烧结 热导率 烧结性能

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1.5 m量级SiC陶瓷素坯凝胶注模成型工艺 被引量：16

17

作者 张舸 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第12期2989-2993,共5页

利用凝胶注模成型工艺制备了1.5m量级轻型碳化硅(SiC)陶瓷素坯。研究了颗粒级配、固相含量、混料时间对碳化硅浆料性能的影响。测试了SiC脱脂素坯的显微结构、力学性能和最终烧结体的机械性能和热学性能。结果表明:在最佳分散条件下,通... 利用凝胶注模成型工艺制备了1.5m量级轻型碳化硅(SiC)陶瓷素坯。研究了颗粒级配、固相含量、混料时间对碳化硅浆料性能的影响。测试了SiC脱脂素坯的显微结构、力学性能和最终烧结体的机械性能和热学性能。结果表明:在最佳分散条件下,通过合理的颗粒级配,成功制备得到了固相含量高达65%,流动性良好的SiC陶瓷浆料。另外,随着固相含量的增加,SiC陶瓷浆料黏度急剧增大;随着混料时间的延长,浆料黏度出现先降低后升高的现象。将制备得到的浆料注入模具后,得到了1.5m量级的SiC陶瓷素坯,脱脂后的素坯内部结构均匀抗弯强度为24.6MPa。 展开更多

关键词 凝胶注模 碳化硅(sic) 陶瓷素坯

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单晶SiC的化学机械抛光及其增效技术研究进展 被引量：7

18

作者 翟文杰 高博 《哈尔滨工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第7期1-10,共10页

为了解决传统SiC化学机械抛光(CMP)加工效率低的问题,针对单晶SiC表面抛光质量和材料去除率指标,综述了应用传统碱性抛光液、混合磨粒抛光液及含强氧化剂抛光液对单晶SiC进行化学机械抛光的研究现状;为了提高SiC-CMP的化学和机械两方面... 为了解决传统SiC化学机械抛光(CMP)加工效率低的问题,针对单晶SiC表面抛光质量和材料去除率指标,综述了应用传统碱性抛光液、混合磨粒抛光液及含强氧化剂抛光液对单晶SiC进行化学机械抛光的研究现状;为了提高SiC-CMP的化学和机械两方面作用,对SiC-CMP催化辅助增效技术、SiC电化学机械抛光(ECMP)技术、固结磨料抛光、光催化辅助抛光等增效新技术进行了系统综述;对SiC-CMP及其增效技术进行了分析、讨论,指出了当前的研究难点,展望了进一步提高单晶SiC抛光效率的研究方向. 展开更多

关键词 碳化硅(sic) 化学机械抛光(CMP) 电化学机械抛光(ECMP) 催化辅助 固结磨粒抛光

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高速电弧放电加工SiC/Al的放电作用力特性研究 被引量：3

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作者 陈吉朋 何国健 +2 位作者 刘晓 顾琳 赵万生 《航空制造技术》 2018年第3期54-59,共6页

基于压电传感器,测量和研究了高速电弧放电加工Si C/Al的作用力。分析了作用力的波形特征,对比了不同放电介质中的作用力。研究了作用力的频率特性、以及作用力受脉冲宽度、峰值电流和放电电压的影响趋势,揭示了作用力与电弧放电加工时... 基于压电传感器,测量和研究了高速电弧放电加工Si C/Al的作用力。分析了作用力的波形特征,对比了不同放电介质中的作用力。研究了作用力的频率特性、以及作用力受脉冲宽度、峰值电流和放电电压的影响趋势,揭示了作用力与电弧放电加工时材料抛出过程的关系,给出了高速电弧放电加工航空航天Si C/Al薄壁零件时,降低作用力的可行措施。 展开更多

关键词 电弧 放电 碳化硅铝基复合材料(sic/Al) 作用力 薄壁件

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改善SiC MOSFET开关性能的变电压有源驱动电路研究 被引量：4

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作者 李先允 卢乙 +3 位作者 倪喜军 王书征 张宇 唐昕杰 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第1期362-368,共7页

碳化硅(silicon carbide,SiC)金属氧化物半导体场效应管(metal oxide semiconductor field effect transistor,MOSFET)开关过程中存在电流、电压过冲和振荡问题,这会产生额外的损耗,甚至造成器件损坏。文章提出一种用于SiC MOSFET的变... 碳化硅(silicon carbide,SiC)金属氧化物半导体场效应管(metal oxide semiconductor field effect transistor,MOSFET)开关过程中存在电流、电压过冲和振荡问题,这会产生额外的损耗,甚至造成器件损坏。文章提出一种用于SiC MOSFET的变电压有源驱动电路,能在开通电流上升和关断电流下降阶段改变器件驱动电压,从而抑制器件开关过程中的电流、电压过冲和振荡,实验结果表明,与传统驱动电路相比,所提出的变电压有源驱动电路,能有效抑制器件开关过程中的电流、电压过冲和振荡,最后将其应用于光伏变压器中,验证其实用性。 展开更多

关键词 碳化硅金属氧化物半导体场效应管(sic MOSFET) 有源驱动 过冲 振荡 光伏变压器

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