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氮化铝基微波衰减材料的研究进展
被引量:
14
1
作者
石明
鲁燕萍
《硅酸盐通报》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第6期76-79,共4页
论述了氮化铝基微波衰减材料在微波电真空器件中的应用和发展趋势,介绍了国内外关于氮化铝基高损耗材料尤其是氮化铝-碳化硅复合材料的研究进展,结合笔者的研究和认识,指出了存在的问题和研究方向。
关键词
氮化铝
微波衰减
氮化铝
-
碳化硅
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职称材料
MgO-CeO_2烧结助剂对高SiC含量SiC基复相陶瓷致密性与导热性能的影响
被引量:
4
2
作者
李鑫
李斌
+4 位作者
李晓云
戴斌
冯永宝
杨建
丘泰
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第2期361-365,共5页
以MgO-CeO2为烧结助剂,采用热压烧结工艺在1850℃制备了SiC含量为80wt%的SiC-AlN复相陶瓷。研究了不同助剂含量对复相陶瓷致密性与导热性能的影响。结果表明:适量的烧结助剂能够对SiC-AlN复相陶瓷起到促进烧结作用。烧结助剂含量为6wt%...
以MgO-CeO2为烧结助剂,采用热压烧结工艺在1850℃制备了SiC含量为80wt%的SiC-AlN复相陶瓷。研究了不同助剂含量对复相陶瓷致密性与导热性能的影响。结果表明:适量的烧结助剂能够对SiC-AlN复相陶瓷起到促进烧结作用。烧结助剂含量为6wt%时,样品显气孔率偏大;当助剂含量提高至8wt%~14wt%时,样品显气孔率显著降低,能够完全烧结致密化。复相陶瓷在烧结助剂含量为10wt%时获得最佳的致密性,其显气孔率仅为0.14%。在烧结助剂含量为8wt%时,样品具有最高的热导率51.72W·m-1·K-1。复相陶瓷的热导率主要受样品致密性和晶界相的影响,不足或过量的烧结助剂都会使样品的热导率降低。
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关键词
碳化硅-氮化铝
热压烧结
致密性
导热性能
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职称材料
Y_2O_3-SiO_2助剂对常压烧结SiC-AlN复相材料烧结性能的影响
被引量:
2
3
作者
陈云
李晓云
+4 位作者
王玉春
冯永宝
戴斌
丘泰
孙悦
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第3期633-638,共6页
Si C∶Al N以质量比1∶1,添加不同质量分数Y2O3-Si O2(摩尔比为2.9∶7.1)复合烧结助剂,分别在氢气和氩气气氛下常压烧结制备Si C-Al N复相材料。研究烧结气氛、烧成温度和Y2O3-SiO2含量对该复相材料烧结性能的影响。结果表明,与氢气...
Si C∶Al N以质量比1∶1,添加不同质量分数Y2O3-Si O2(摩尔比为2.9∶7.1)复合烧结助剂,分别在氢气和氩气气氛下常压烧结制备Si C-Al N复相材料。研究烧结气氛、烧成温度和Y2O3-SiO2含量对该复相材料烧结性能的影响。结果表明,与氢气气氛相比,氩气气氛下烧结体更易致密;16501850℃,随着烧结温度升高,烧结致密性明显提高。氩气气氛1850℃下保温1 h,Y2O3-SiO2复合助剂含量为9.09wt%,烧结体的显气孔率可低于0.15%,晶粒尺寸均匀且连接紧密。烧结过程中,Y2O3、Si O2烧结助剂与Al N表面的Al2O3在一定温度下形成液相有助于样品致密化。Y2O3与Al N表面的Al2O3反应生成钇铝石榴石(Y3Al5O12),Si O2高温下主要形成玻璃相。Si C-Al N复相材料是由主晶相6H-Si C和Al N,次晶相Y3Al5O12组成。
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关键词
碳化硅-氮化铝
常压烧结
烧结气氛
致密性
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职称材料
题名
氮化铝基微波衰减材料的研究进展
被引量:
14
1
作者
石明
鲁燕萍
机构
北京真空电子技术研究所
出处
《硅酸盐通报》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第6期76-79,共4页
文摘
论述了氮化铝基微波衰减材料在微波电真空器件中的应用和发展趋势,介绍了国内外关于氮化铝基高损耗材料尤其是氮化铝-碳化硅复合材料的研究进展,结合笔者的研究和认识,指出了存在的问题和研究方向。
关键词
氮化铝
微波衰减
氮化铝
-
碳化硅
Keywords
aluminum nitride
microwave
-
absorbption
AIN
-
SiC
分类号
TQ174.756 [化学工程—陶瓷工业]
TB333 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
MgO-CeO_2烧结助剂对高SiC含量SiC基复相陶瓷致密性与导热性能的影响
被引量:
4
2
作者
李鑫
李斌
李晓云
戴斌
冯永宝
杨建
丘泰
机构
南京工业大学材料科学与工程学院
南京三乐电子信息产业集团有限公司
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第2期361-365,共5页
基金
江苏高校优势学科建设工程项目(PAPD)
长江学者和创新团队发展计划(PCSIRT
IRT1146)
文摘
以MgO-CeO2为烧结助剂,采用热压烧结工艺在1850℃制备了SiC含量为80wt%的SiC-AlN复相陶瓷。研究了不同助剂含量对复相陶瓷致密性与导热性能的影响。结果表明:适量的烧结助剂能够对SiC-AlN复相陶瓷起到促进烧结作用。烧结助剂含量为6wt%时,样品显气孔率偏大;当助剂含量提高至8wt%~14wt%时,样品显气孔率显著降低,能够完全烧结致密化。复相陶瓷在烧结助剂含量为10wt%时获得最佳的致密性,其显气孔率仅为0.14%。在烧结助剂含量为8wt%时,样品具有最高的热导率51.72W·m-1·K-1。复相陶瓷的热导率主要受样品致密性和晶界相的影响,不足或过量的烧结助剂都会使样品的热导率降低。
关键词
碳化硅-氮化铝
热压烧结
致密性
导热性能
Keywords
SiC
-
AlN
hot pressing sintering
densification
thermal conductivity
分类号
TM25 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
Y_2O_3-SiO_2助剂对常压烧结SiC-AlN复相材料烧结性能的影响
被引量:
2
3
作者
陈云
李晓云
王玉春
冯永宝
戴斌
丘泰
孙悦
机构
南京工业大学
南京三乐电子信息产业集团有限公司
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第3期633-638,共6页
基金
江苏高校优势学科建设工程项目(PAPD)
长江学者和创新团队发展计划资助项目(PCSIRT
IRT1146)
文摘
Si C∶Al N以质量比1∶1,添加不同质量分数Y2O3-Si O2(摩尔比为2.9∶7.1)复合烧结助剂,分别在氢气和氩气气氛下常压烧结制备Si C-Al N复相材料。研究烧结气氛、烧成温度和Y2O3-SiO2含量对该复相材料烧结性能的影响。结果表明,与氢气气氛相比,氩气气氛下烧结体更易致密;16501850℃,随着烧结温度升高,烧结致密性明显提高。氩气气氛1850℃下保温1 h,Y2O3-SiO2复合助剂含量为9.09wt%,烧结体的显气孔率可低于0.15%,晶粒尺寸均匀且连接紧密。烧结过程中,Y2O3、Si O2烧结助剂与Al N表面的Al2O3在一定温度下形成液相有助于样品致密化。Y2O3与Al N表面的Al2O3反应生成钇铝石榴石(Y3Al5O12),Si O2高温下主要形成玻璃相。Si C-Al N复相材料是由主晶相6H-Si C和Al N,次晶相Y3Al5O12组成。
关键词
碳化硅-氮化铝
常压烧结
烧结气氛
致密性
Keywords
SiC
-
AlN
pressureless sintering
sintering atmosphere
densification
分类号
TQ174.1 [化学工程—陶瓷工业]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
氮化铝基微波衰减材料的研究进展
石明
鲁燕萍
《硅酸盐通报》
CAS
CSCD
北大核心
2005
14
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
MgO-CeO_2烧结助剂对高SiC含量SiC基复相陶瓷致密性与导热性能的影响
李鑫
李斌
李晓云
戴斌
冯永宝
杨建
丘泰
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016
4
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
Y_2O_3-SiO_2助剂对常压烧结SiC-AlN复相材料烧结性能的影响
陈云
李晓云
王玉春
冯永宝
戴斌
丘泰
孙悦
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016
2
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职称材料
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