|
1
|
GaAs－InP复合材料的外延生长方法及金属半导体场效应晶体管器件制备 |
陈松岩
李玉东
王本忠
张玉贤
刘式墉
刘悦
|
《高技术通讯》
CAS
CSCD
|
1995 |
0 |
|
|
2
|
高迁移率金属氧化物半导体薄膜晶体管的研究进展 |
李强
葛春桥
陈露
钟威平
梁齐莹
柳春锡
丁金铎
|
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
|
2024 |
3
|
|
|
3
|
窄禁带源漏区金属氧化物半导体场效应晶体管 |
文争
|
《电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2003 |
0 |
|
|
4
|
金属——氧化物——半导体场效应晶体管（MOSFET） |
吴腾奇
|
《广东电子》
|
1994 |
0 |
|
|
5
|
530～650MHz 20W CW Si-VDMOS场效应晶体管 |
刘洪军
傅义珠
李相光
|
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
|
2009 |
4
|
|
|
6
|
二硫化钼场效应晶体管金属接触的研究进展 |
张亚东
贾昆鹏
吴振华
田汉民
|
《微纳电子技术》
北大核心
|
2020 |
2
|
|
|
7
|
大功率射频Si-VDMOS功率晶体管研制 |
刘洪军
王琪
赵杨杨
王佃利
杨勇
|
《现代雷达》
CSCD
北大核心
|
2024 |
0 |
|
|
8
|
部分耗尽异质环栅场效应晶体管阈值电压模型 |
李尊朝
罗诚
王闯
苗治聪
张莉丽
|
《西安交通大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2013 |
1
|
|
|
9
|
硅纳米管和纳米线场效应晶体管的模拟和比较 |
朱兆旻
张存
|
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
|
2014 |
1
|
|
|
10
|
新一代功率半导体β-Ga2O3器件进展与展望 |
刁华彬
杨凯
赵超
罗军
|
《微纳电子技术》
北大核心
|
2019 |
3
|
|
|
11
|
酞菁在有机场效应晶体管方面的研究进展 |
马盼
姜建壮
|
《大学化学》
CAS
|
2008 |
2
|
|
|
12
|
P型金属氧化物半导体(PMOS)剂量计探头的差分工作电路技术 |
王思源
孙静
陆妩
|
《辐射研究与辐射工艺学报》
CAS
CSCD
|
2021 |
0 |
|
|
13
|
B^+注入隔离在宽禁带半导体中的应用 |
李春
陈刚
李宇柱
周建军
李肖
|
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
|
2011 |
0 |
|
|
14
|
大功率半导体激光器脉冲驱动电源研制 |
王卫
夏连胜
谌怡
刘毅
石金水
邓建军
|
《太赫兹科学与电子信息学报》
|
2013 |
4
|
|
|
15
|
基于半导体物理的MOSFET亚阈区电流特性研究 |
高歌
殷树娟
于肇贤
|
《北京信息科技大学学报（自然科学版）》
|
2019 |
1
|
|
|
16
|
超宽禁带半导体金刚石功率电子学研究的新进展(续) |
赵正平
|
《半导体技术》
CAS
北大核心
|
2021 |
1
|
|
|
17
|
大功率半导体技术现状及其进展 |
刘国友
王彦刚
李想
Arthur SU
李孔竞
杨松霖
|
《机车电传动》
北大核心
|
2021 |
14
|
|
|
18
|
美国国家半导体推出两款超小型门极驱动器 |
|
《电子技术应用》
北大核心
|
2004 |
0 |
|
|
19
|
英飞凌和博世签订功率半导体合作协议 |
|
《现代电子技术》
|
2009 |
0 |
|
|
20
|
安森美半导体推出能降低损耗的低压功率MOSFET新系列,以达到业界更高能效的需求 |
|
《电子设计工程》
|
2014 |
0 |
|
