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高功率微波作用下金属氧化物半导体场效应管响应
1
作者 李勇 谢海燕 +2 位作者 杨志强 宣春 夏洪富 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第10期210-215,共6页
采用基于半导体漂移扩散模型的数值模拟软件对高功率微波(HPM)作用下金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的响应进行了数值模拟研究。对MOSFET在HPM作用下的输出特性以及器件内部响应进行了数值模拟。计算结果表明,在MOSFET栅极加载HPM后... 采用基于半导体漂移扩散模型的数值模拟软件对高功率微波(HPM)作用下金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的响应进行了数值模拟研究。对MOSFET在HPM作用下的输出特性以及器件内部响应进行了数值模拟。计算结果表明,在MOSFET栅极加载HPM后,随着注入HPM幅值的增大,会使得器件的正向电压小于开启电压,从而使得输出电流的波形发生形变。在器件内部,导电沟道靠近源极一端的电场强度最大,热量产生集中在这一区域。在脉冲正半周期时,温度峰值位于沟道源极一端,负半周期时,器件内部几乎没有电流,器件内的温度峰值在热扩散效应的影响下趋向于导电沟道中部。 展开更多
关键词 高功率微波 金属氧化物半导体场效应管 半导体
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基于金属氧化物半导体场效应管的Marx发生器 被引量：2
2
作者 刁文豪 江伟华 王新新 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期565-568,共4页
给出了一种基于半导体开关的脉冲功率源的设计原理和方法。与标准的Marx发生器相比,用金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)替代气体火花隙开关,用二极管替代电阻,由于可重复频率运行,所以能够有效地减少电路损耗。由于电路器件特性差异不... 给出了一种基于半导体开关的脉冲功率源的设计原理和方法。与标准的Marx发生器相比,用金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)替代气体火花隙开关,用二极管替代电阻,由于可重复频率运行,所以能够有效地减少电路损耗。由于电路器件特性差异不同,在实验中采取对每一级的开关驱动信号进行单独调节,以补偿器件差异对同步性带来的影响。另外,实验对开关进行光纤隔离,而对强弱电的隔离采用DC-DC转换器,这不仅有利于保护实验设备,而且对Marx多级电路的同步性也有很大的贡献。设计的Marx发生器级数为16级,并给出了单次脉冲和重复频率两种情况下的实验结果。 展开更多
关键词 脉冲功率 高电压 半导体开关 MARX发生器 金属氧化物半导体场效应管
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超宽禁带半导体Ga2O3微电子学研究进展 被引量：4
3
作者 赵正平 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第1期1-7,共7页
半导体材料Ga2O3是继宽禁带半导体材料SiC/GaN之后新兴的直接带隙超宽禁带氧化物半导体,其禁带宽度为4.5~4.9eV,击穿电场强度高达8MV/cm(是SiC及GaN的2倍以上),物理化学稳定性高,在发展下一代电力电子学和固态微波功率电子学领域具有较... 半导体材料Ga2O3是继宽禁带半导体材料SiC/GaN之后新兴的直接带隙超宽禁带氧化物半导体,其禁带宽度为4.5~4.9eV,击穿电场强度高达8MV/cm(是SiC及GaN的2倍以上),物理化学稳定性高,在发展下一代电力电子学和固态微波功率电子学领域具有较大的潜力。自2012年第一只Ga2O3场效应晶体管诞生以来,Ga2O3微电子学的研究呈现快速发展态势。本文综述了β-Ga2O3单晶材料和外延生长技术以及β-Ga2O3二极管和β-Ga2O3场效应管等方面的研究进展,介绍了β-Ga2O3材料和器件的新工艺、新器件结构以及性能测试结果,分析了相关技术难点和创新思路,展望了Ga2O3微电子学未来的发展趋势。 展开更多
关键词 Ga2O3单晶 Ga2O3外延 β-Ga2O3肖特基二极管 β-Ga2O3金属氧化物半导体场效应管(MOSFET) β-Ga2O3鳍式场效应管(FinFET)
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200 V全碳化硅集成技术
4
作者 顾勇 马杰 +5 位作者 刘奥 黄润华 刘斯扬 柏松 张龙 孙伟锋 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第7期2183-2189,共7页
本文提出了一种基于N衬底P外延晶圆的全碳化硅(Silicon Carbide,SiC)集成工艺平台,该工艺平台兼容低压互补金属氧化物半导体场效应晶体管(Complementary Metal Oxide Semiconductor field-effect transistor,CMOS)、横向扩散金属氧化物... 本文提出了一种基于N衬底P外延晶圆的全碳化硅(Silicon Carbide,SiC)集成工艺平台,该工艺平台兼容低压互补金属氧化物半导体场效应晶体管(Complementary Metal Oxide Semiconductor field-effect transistor,CMOS)、横向扩散金属氧化物半导体(Laterally-Diffused MOS,LDMOS)以及高压二极管等器件.采用P型缓冲层技术调节器件垂直方向电场分布,使高压器件垂直方向耐受电压提高212.4%;在1μm厚度的P型缓冲层和1μm厚度的P型外延层上,实现LDMOS、高压二级管和高侧区域耐受电压大于300 V.基于该工艺平台,搭建了SiC CMOS反相器和反相器链电路,均实现了0~20 V轨至轨的电压输出;设计了半桥驱动电路,低压侧驱动电路由四阶反相器构成;高压侧驱动电路由电平移位电路和高侧区域反相器链电路组成,实现了180~200 V浮空栅极驱动信号输出. 展开更多
关键词 碳化硅(sic) 集成 碳化硅集成电路 碳化硅反相器 碳化硅横向扩散金属氧化物半导体
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重离子源类别对SiC MOSFET单粒子效应的影响
5
作者 郝晓斌 贾云鹏 +4 位作者 周新田 胡冬青 吴郁 唐蕴 赵元富 《航天器环境工程》 CSCD 2024年第5期625-632,共8页
SiC金属−氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)作为第三代航天器用半导体器件,在应用前须经过抗单粒子效应试验评估。文章探究重离子加速器恒定式和脉冲式束流源这两种不同类别的辐照源对SiC MOSFET单粒子效应的影响。试验结果表明两种束... SiC金属−氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)作为第三代航天器用半导体器件,在应用前须经过抗单粒子效应试验评估。文章探究重离子加速器恒定式和脉冲式束流源这两种不同类别的辐照源对SiC MOSFET单粒子效应的影响。试验结果表明两种束流源对SiC MOSFET漏电退化影响不同。采用TCAD对SiC MOSFET单粒子效应进行仿真的结果显示,当2个离子在相差100 ps的间隔时间内轰击器件时,离子间会发生相互作用,使得电场增强,对器件的栅氧化层造成损伤。尽管这种相互作用对器件发生单粒子烧毁的阈值电压无显著影响,但漏电退化现象有明显差异。研究结果可为SiC MOSFET的单粒子效应试验提供参考。 展开更多
关键词 sic金属−氧化物半导体场效应晶体管 功率器件 单粒子效应 重离子加速器 仿真研究 试验研究
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SiC MOSFET的质子单粒子效应
6
作者 史慧琳 郭刚 +4 位作者 张峥 李府唐 刘翠翠 张艳文 殷倩 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第7期654-659,共6页
SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在深空探测领域具有广阔的应用前景,但空间质子引发的单粒子效应(SEE)对航天器稳定运行造成了严重威胁。对平面栅结构与非对称沟槽栅结构的SiC MOSFET进行了能量为70、100与200 MeV的质子辐照... SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在深空探测领域具有广阔的应用前景,但空间质子引发的单粒子效应(SEE)对航天器稳定运行造成了严重威胁。对平面栅结构与非对称沟槽栅结构的SiC MOSFET进行了能量为70、100与200 MeV的质子辐照实验。实验结果表明,两种SiC MOSFET的单粒子烧毁(SEB)阈值电压均大于额定漏源电压的75%;SEB阈值电压随质子能量升高而降低。对两种器件进行辐照后栅应力测试发现,两种结构的器件由于沟道不同而对栅应力的响应存在差异;不同的质子能量会在栅极引入不同程度的辐射损伤,低能质子更容易在栅氧化层发生碰撞而引入氧化物潜在损伤。该研究可为揭示SiC MOSFET质子SEE机理和评估抗辐射能力提供参考。 展开更多
关键词 碳化硅(sic) 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 单粒子效应(SEE) 单粒子烧毁(SEB) 电离效应 辐射损伤
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碳化硅MOSFET栅氧化层可靠性研究 被引量：6
7
作者 黄润华 钮应喜 +8 位作者 杨霏 陶永洪 柏松 陈刚 汪玲 刘奥 卫能 李赟 赵志飞 《智能电网》 2015年第2期99-102,共4页
通过TCAD仿真的方法对器件可靠性与结构设计之间的关系进行分析;对栅极电压和栅氧化层最强电场进行仿真,以对碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET)单胞结构参数进行优化;在N... 通过TCAD仿真的方法对器件可靠性与结构设计之间的关系进行分析;对栅极电压和栅氧化层最强电场进行仿真,以对碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET)单胞结构参数进行优化;在N型碳化硅外延层上制作金属氧化物半导体(metal-oxide-semiconductor,MOS)电容,并且通过对MOS电容进行C-V测试的方法评估Si O2/Si C界面质量。对导带附近界面陷阱密度进行比较。NO退火的样品与干氧氧化样品相比界面质量明显改善,界面态密度小于5×10~11 cm–2e V–1。 展开更多
关键词 界面态 碳化硅金属氧化物半导体(metal-oxide-semiconductor MOS)电容 可
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基于4H-SiC的高温驱动电路设计与制造
8
作者 田源 黄润华 +4 位作者 倪朝辉 刘涛 张国斌 杨勇 柏松 《固体电子学研究与进展》 2025年第2期23-28,共6页
为解决SiC MOSFET在高温条件下性能受硅基驱动电路限制的问题,设计制造了一款基于4H-SiC材料的驱动电路,用于改善电路整体的耐高温能力,并且分别在常温(25℃)和高温(300℃)条件下对驱动电路的性能进行了测试。常温下驱动电路在无负载条... 为解决SiC MOSFET在高温条件下性能受硅基驱动电路限制的问题,设计制造了一款基于4H-SiC材料的驱动电路,用于改善电路整体的耐高温能力,并且分别在常温(25℃)和高温(300℃)条件下对驱动电路的性能进行了测试。常温下驱动电路在无负载条件下的上升沿延迟和下降沿延迟分别为2.496μs和1.32μs,高温下两者分别为1.61μs和0.816μs。在输出功率为100 W、输出电压为56 V、母线电压为320 V的条件下对驱动电路进行带负载测试,常温下驱动电流的充电电流峰值为129 mA,放电电流峰值为120 mA;高温下驱动电流的充电电流峰值为264 mA,放电电流峰值为221 mA。测试结果表明,该驱动电路可在环境温度为300℃时正常工作,且随着环境温度在25~300℃范围内逐渐上升,该驱动电路的驱动能力以及响应速度逐渐提升。 展开更多
关键词 碳化硅 驱动电路 金属氧化物半导体晶体管
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集成低势垒二极管的1.2 kV SiC MOSFET器件功耗
9
作者 孙佳萌 付浩 +2 位作者 魏家行 刘斯扬 孙伟锋 《太赫兹科学与电子信息学报》 2025年第4期309-316,共8页
针对SiC金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在功率模块续流过程中引起的高续流损耗问题,提出集成低势垒二极管的SiC MOSFET(LBD-MOS)结构。对LBD-MOS和传统的SiC MOSFET(CON-MOS)在相同面积下的总功耗进行研究,仿真结果表明,LBD-MO... 针对SiC金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在功率模块续流过程中引起的高续流损耗问题,提出集成低势垒二极管的SiC MOSFET(LBD-MOS)结构。对LBD-MOS和传统的SiC MOSFET(CON-MOS)在相同面积下的总功耗进行研究,仿真结果表明,LBD-MOS的续流压降U_(F)为1.6 V,比CON-MOS降低了50%;LBD-MOS的开关损耗E_(switch)为187.3μJ,比CON-MOS降低了6%;在工作频率为10 kHz,占空比为50%的工作条件下,LBD-MOS的总功耗比CON-MOS降低了22.6%。LBD-MOS适用于续流占比高于50%、开关频率不高于1 MHz的工作条件。 展开更多
关键词 sic金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 集成低势垒二极管 导通功耗 续流功耗 开关功耗 反向恢复功耗
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车用SiC-MOSFET的应用与技术发展综述
10
作者 李尊 张政 +1 位作者 吴毅卓 王学耀 《汽车工程师》 2025年第4期1-9,共9页
针对硅基绝缘栅双极型晶体管(IGBT)难以进一步满足电动汽车高功率密度、低导通损耗、高散热能力等需求的不足,综述了车用碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC-MOSFET)的最新研究进展。通过总结SiC-MOSFET在电动汽车牵引逆变器、DC/D... 针对硅基绝缘栅双极型晶体管(IGBT)难以进一步满足电动汽车高功率密度、低导通损耗、高散热能力等需求的不足,综述了车用碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC-MOSFET)的最新研究进展。通过总结SiC-MOSFET在电动汽车牵引逆变器、DC/DC电源变换器和车载充电机(OBC)应用场景下的特点,分析了目前车用SiC-MOSFET在成本、可靠性及散热方面的技术挑战,并探讨了其在微型化、先进封装、多芯片集成和成本方面的发展趋势。 展开更多
关键词 电动汽车 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 功率半导体芯片 导通损耗 转换效率
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1700V碳化硅MOSFET设计 被引量：4
11
作者 黄润华 陶永洪 +6 位作者 柏松 陈刚 汪玲 刘奥 卫能 李赟 赵志飞 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2014年第6期510-513,共4页
设计了一种击穿电压大于1 700V的SiC MOSFET器件。采用有限元仿真的方法对器件的外延掺杂浓度及厚度、有源区结构以及终端保护效率进行了优化。器件采用14μm厚、掺杂浓度为5×1015cm-3的N型低掺杂区。终端保护结构采用保护环结构... 设计了一种击穿电压大于1 700V的SiC MOSFET器件。采用有限元仿真的方法对器件的外延掺杂浓度及厚度、有源区结构以及终端保护效率进行了优化。器件采用14μm厚、掺杂浓度为5×1015cm-3的N型低掺杂区。终端保护结构采用保护环结构。栅压20V、漏压2V时,导通电流大于1A,击穿电压高于1 800V。 展开更多
关键词 4H型碳化硅 金属氧化物半导体场效应晶体管 终端保护 界面态
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基于PSpice的碳化硅MOSFET的建模与仿真 被引量：17
12
作者 徐国林 朱夏飞 +2 位作者 刘先正 温家良 赵志斌 《智能电网》 2015年第6期507-511,共5页
以SiC为代表的第3代半导体器件具有优越的性能,与Si材料半导体器件相比,在耐压等级、工作温度、开关损耗各方面均有提升,能够明显减少电力电子变换器的体积、重量、成本。其中功率金属氧化物半导体场效应晶体管(metal oxide semiconduct... 以SiC为代表的第3代半导体器件具有优越的性能,与Si材料半导体器件相比,在耐压等级、工作温度、开关损耗各方面均有提升,能够明显减少电力电子变换器的体积、重量、成本。其中功率金属氧化物半导体场效应晶体管(metal oxide semiconductor field effect transistor,MOSFET)更成为关注的焦点,因此,建立精确的MOSFET器件模型非常关键。调研大量Si MOSFET、SiC MOSFET器件模型,根据CREE公司提供的C2M0080120D库文件,提出一种新型SiC MOSFET器件等效电路模型。在电路仿真软件PSpice中详细介绍SiC MOSFET等效电路模型建模的过程,并将仿真结果和厂家提供的Datasheet参数进行对比。模型仿真结果与数据手册都可以很好匹配,从而验证了模型的准确性。 展开更多
关键词 等效电路模型 sic金属氧化物半导体场效应晶体管(metal OXIDE SEMICONDUCTOR
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1200V碳化硅MOSFET设计
13
作者 黄润华 陶永洪 +5 位作者 柏松 陈刚 汪玲 刘奥 李赟 赵志飞 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2016年第6期435-438,共4页
设计了一种阻断电压大于1 200V的碳化硅(SiC)MOSFET器件。采用有限元仿真的方法对器件的终端电场分布进行了优化。器件采用12μm厚、掺杂浓度为6e15cm-3的N型低掺杂区。终端保护结构采用保护环结构。栅压20V、漏压2V时,导通电流大于13A... 设计了一种阻断电压大于1 200V的碳化硅(SiC)MOSFET器件。采用有限元仿真的方法对器件的终端电场分布进行了优化。器件采用12μm厚、掺杂浓度为6e15cm-3的N型低掺杂区。终端保护结构采用保护环结构。栅压20V、漏压2V时,导通电流大于13A,击穿电压达1 900V。 展开更多
关键词 4H型碳化硅 金属氧化物半导体场效应晶体管 终端保护 界面态
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TCE浓度对热氧化制备6H-SiC MOS特性的影响
14
作者 李春霞 徐静平 王虎 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2007年第2期190-193,198,共5页
研究了新型SiCMOS电容的制备工艺。采用干O2+CHCCl3(TCE)热氧化方法生长6H-SiCMOS氧化层。研究了TCE浓度与SiC/SiO2界面态电荷密度和氧化层电荷密度和应力下平带电压漂移的关系,随着TCE浓度的增加,SiC/SiO2界面态电荷密度和氧化层电荷... 研究了新型SiCMOS电容的制备工艺。采用干O2+CHCCl3(TCE)热氧化方法生长6H-SiCMOS氧化层。研究了TCE浓度与SiC/SiO2界面态电荷密度和氧化层电荷密度和应力下平带电压漂移的关系,随着TCE浓度的增加,SiC/SiO2界面态电荷密度和氧化层电荷密度先减小后增大,应力下平带电压漂移减小,得出了最佳TCE:O2浓度比。 展开更多
关键词 三氯乙烯 金属氧化物半导体 6H-碳化硅
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碳化硅超结器件的研究进展
15
作者 张金平 张琨 +2 位作者 陈伟 汪婕 张波 《机车电传动》 北大核心 2023年第5期36-45,共10页
碳化硅(SiC)材料由于其出色的物理和化学特性,非常适用于制造高温和大功率半导体器件。虽然SiC功率二极管和金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)展示了出色的器件性能,并获得广泛的应用,但是其单极型器件的一维理论极限仍限制了传... 碳化硅(SiC)材料由于其出色的物理和化学特性,非常适用于制造高温和大功率半导体器件。虽然SiC功率二极管和金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)展示了出色的器件性能,并获得广泛的应用,但是其单极型器件的一维理论极限仍限制了传统器件性能的进一步提升。超结(SJ)作为一种在硅基器件中广泛应用的技术,能明显改善器件击穿电压和比导通电阻之间的折中关系,提升器件的性能。近年来,SiC SJ器件逐渐成为研究的热点,并取得显著进展。文章从SiC SJ器件的设计与仿真模拟、模型研究和SJ工艺制备技术等方面论述了其最新研究现状及发展方向。 展开更多
关键词 碳化硅 超结 二极管 金属-氧化物-半导体场效应晶体管 研究进展
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碳化硅基MOSFETs器件研究进展 被引量：2
16
作者 李金平 王琨 《西安邮电大学学报》 2016年第4期1-8,共8页
基于近20年的研发,宽禁带半导体材料碳化硅(SiC)的金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFETs)的制备工艺逐步成熟,性能不断提高,已有SiC MOSFETs产品进入市场,故综述双注入MOSFETs(DMOSFETs)和沟槽MOSFETs(UMOSFETs)两种结构的SiC MOSFET... 基于近20年的研发,宽禁带半导体材料碳化硅(SiC)的金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFETs)的制备工艺逐步成熟,性能不断提高,已有SiC MOSFETs产品进入市场,故综述双注入MOSFETs(DMOSFETs)和沟槽MOSFETs(UMOSFETs)两种结构的SiC MOSFETs的研究进展和发展趋势,并介绍SiC MOSFETs器件制备的关键工艺和目前推出SiC MOSFET产品的公司及其产品性能。 展开更多
关键词 碳化硅 功率器件 金属-氧化物-半导体场效应晶体管 阻断电压 通态电阻
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高温氧化对SiC MOS器件栅氧可靠性的影响 被引量：2
17
作者 周钦佩 张静 +3 位作者 夏经华 许恒宇 万彩萍 韩锴 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第10期754-758,共5页
SiC金属氧化物半导体(MOS)器件中SiO_2栅氧化层的可靠性直接影响器件的功能。为了开发高可靠性的栅氧化层,将n型4H-SiC(0001)外延片分别在1 200,1 250,1 350,1 450和1 550℃5种温度下进行高温干氧氧化实验来制备SiO_2栅氧化层。在室温下... SiC金属氧化物半导体(MOS)器件中SiO_2栅氧化层的可靠性直接影响器件的功能。为了开发高可靠性的栅氧化层,将n型4H-SiC(0001)外延片分别在1 200,1 250,1 350,1 450和1 550℃5种温度下进行高温干氧氧化实验来制备SiO_2栅氧化层。在室温下,对SiC MOS电容样品的栅氧化层进行零时击穿(TZDB)和与时间有关的击穿(TDDB)测试,并对不同干氧氧化温度处理下的栅氧化层样品分别进行了可靠性分析。结果发现,在1 250℃下进行高温干氧氧化时所得的击穿场强和击穿电荷最大,分别为11.21 MV/cm和5.5×10-4C/cm^2,势垒高度(2.43 eV)最接近理论值。当温度高于1 250℃时生成的SiO_2栅氧化层的可靠性随之降低。 展开更多
关键词 sic金属氧化物半导体(MOS)器件 零时击穿(TZDB) 与时间有关的击穿(TDDB) 干氧氧化 可靠性
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环境温度对SiC MOSFET的总剂量辐射效应影响
18
作者 蒲晓娟 冯皓楠 +3 位作者 梁晓雯 魏莹 余学峰 郭旗 《太赫兹科学与电子信息学报》 2022年第9期908-914,共7页
开展不同温度下碳化硅(SiC)金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)总剂量效应研究。采用^(60)Coγ射线对三款国内外生产的SiCMOSFET器件进行总剂量辐照试验,获得器件阈值电压、击穿电压、导通电阻、漏电流等参数分别在25℃,100℃,175... 开展不同温度下碳化硅(SiC)金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)总剂量效应研究。采用^(60)Coγ射线对三款国内外生产的SiCMOSFET器件进行总剂量辐照试验,获得器件阈值电压、击穿电压、导通电阻、漏电流等参数分别在25℃,100℃,175℃下的辐射损伤特性,比较器件在不同温度下辐照后器件的退化程度。仿真实验结果表明,不同器件的阈值电压、静态漏电流以及亚阈特性等辐射损伤变化都表现出对环境温度的敏感性,而导通电阻、击穿电压等则相对不敏感。此外SiCMOSFET总剂量辐射响应特性对环境温度的敏感性,还随生产厂家的不同而呈现明显差异性。分析认为,在其他条件相同情况下,器件的阈值电压、静态漏电等参数的退化程度随着辐照温度的升高而降低,主要是由于高温辐照时器件发生隧穿退火效应引起。 展开更多
关键词 sic金属氧化物半导体 总剂量效应 温度 静态参数
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碳化硅MOSFET电路模型及其应用 被引量：5
19
作者 周郁明 刘航志 +1 位作者 杨婷婷 王兵 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第3期97-101,129,共6页
建立了新颖的碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管等效电路模型.在常规碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管等效电路模型的基础上,引入了栅极氧化层泄漏电流模型和PN结的泄漏电流模型,并用能够反映碳化硅/氧化层界面特性的迁移率模型替... 建立了新颖的碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管等效电路模型.在常规碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管等效电路模型的基础上,引入了栅极氧化层泄漏电流模型和PN结的泄漏电流模型,并用能够反映碳化硅/氧化层界面特性的迁移率模型替换常规碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管电路模型中的常数迁移率.有关文献的实验数据验证了所建立的碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管电路模型的准确性.与常规碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管电路模型相比,文中的电路模型能较为准确地模拟出碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管的氧化层泄漏电流和短路失效现象.另外,该模型还可以用于讨论碳化硅/氧化层界面陷阱对工作在短路状态下的碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管特性的影响. 展开更多
关键词 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 界面陷阱 迁移率 泄漏电流 短路
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基于第一性原理的碳化硅界面态机制研究进展 被引量：1
20
作者 王方方 李玲 +5 位作者 徐向前 郑柳 杨霏 温家良 陈新 潘艳 《智能电网》 2016年第5期488-492,共5页
碳化硅(SiC)金属–氧化物–半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET)具有低导通电阻及高击穿临界场强等特点,在高压开关器件领域有着较为广阔的应用及发展前景。但由于SiC/SiO_2具有较高的界面... 碳化硅(SiC)金属–氧化物–半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET)具有低导通电阻及高击穿临界场强等特点,在高压开关器件领域有着较为广阔的应用及发展前景。但由于SiC/SiO_2具有较高的界面态密度,使得器件反型沟道电子迁移率过低,从而严重阻碍SiC器件的广泛应用。为有效地控制界面态,回顾了国内外对SiC/SiO_2界面态的第一性原理研究进展,分析界面态的形成机制,讨论近导带边界中高界面态的根本原因,为SiC器件工艺制备提供理论指导。 展开更多
关键词 金属–氧化物–半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor FIELD-EFFECT transistor MOSFET) sic/SiO2界面 缺陷态密度
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