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1
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高迁移率金属氧化物半导体薄膜晶体管的研究进展 |
李强
葛春桥
陈露
钟威平
梁齐莹
柳春锡
丁金铎
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《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
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2024 |
3
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2
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金属氧化物半导体场效应晶体管中总剂量效应导致的阈值电压漂移研究现状 |
刘一宁
王任泽
杨亚鹏
王宁
冯宗洋
贾林胜
张建岗
李国强
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《辐射防护》
CAS
CSCD
北大核心
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2020 |
0 |
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3
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窄禁带源漏区金属氧化物半导体场效应晶体管 |
文争
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《电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2003 |
0 |
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4
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GaAs－InP复合材料的外延生长方法及金属半导体场效应晶体管器件制备 |
陈松岩
李玉东
王本忠
张玉贤
刘式墉
刘悦
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《高技术通讯》
CAS
CSCD
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1995 |
0 |
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5
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高功率微波作用下金属氧化物半导体场效应管响应 |
李勇
谢海燕
杨志强
宣春
夏洪富
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《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2015 |
0 |
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6
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基于金属氧化物半导体场效应管的Marx发生器 |
刁文豪
江伟华
王新新
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《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2010 |
2
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7
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电子束光刻制造亚微米栅长GaAs金属半导体场效应管(英文) |
张炬
尼尔森本
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《北京理工大学学报》
EI
CAS
CSCD
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1990 |
0 |
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8
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溶液法制备金属氧化物薄膜晶体管的研究进展 |
吴宝仔
廖荣
刘玉荣
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
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2018 |
3
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9
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部分耗尽异质环栅场效应晶体管阈值电压模型 |
李尊朝
罗诚
王闯
苗治聪
张莉丽
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《西安交通大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2013 |
1
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10
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高性能金属铟镓锌氧化物TFT的研究 |
刘翔
张盛东
薛建设
宁策
杨静
王刚
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《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2014 |
10
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11
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大功率射频Si-VDMOS功率晶体管研制 |
刘洪军
王琪
赵杨杨
王佃利
杨勇
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《现代雷达》
CSCD
北大核心
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2024 |
0 |
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12
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超宽禁带半导体Ga2O3微电子学研究进展 |
赵正平
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《半导体技术》
CAS
北大核心
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2019 |
4
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13
|
200 V全碳化硅集成技术 |
顾勇
马杰
刘奥
黄润华
刘斯扬
柏松
张龙
孙伟锋
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《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2024 |
0 |
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14
|
基于二维半导体的模拟电路最新进展 |
卢文栋
杨冠华
卢年端
李泠
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《真空科学与技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
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2021 |
1
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15
|
超宽禁带半导体金刚石功率电子学研究的新进展(续) |
赵正平
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《半导体技术》
CAS
北大核心
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2021 |
1
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16
|
赢创开发显示器用半导体涂覆新技术 |
贾磊
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《无机盐工业》
CAS
北大核心
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2016 |
0 |
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17
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英飞凌和博世签订功率半导体合作协议 |
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《现代电子技术》
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2009 |
0 |
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18
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一种用于ADC模拟集成电路设计和分析的MOS晶体管模型 |
殷湛
郭立
杨吉庆
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《计算机工程与科学》
CSCD
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2006 |
1
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19
|
场效应管放大气体传感器信号的优化与应用研究 |
边毓智
谢政
王展
姜风
韩宁
陈运法
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《传感器与微系统》
CSCD
北大核心
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2021 |
1
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20
|
碳化硅MOSFET电路模型及其应用 |
周郁明
刘航志
杨婷婷
王兵
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《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2018 |
5
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