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GB/T 43885《碳化硅外延片》标准解读: 1; 作者李素青骆红《世界有色金属》 2024年第10期193-195,共3页; 碳化硅外延片具有宽禁带、高击穿电场、高饱和漂移速率、高热导率等优异的电学性能,特别适用于制作大功率、高频、高温及抗辐射电子器件,在太阳能风能发电、轨道交通、智能电网、电动汽车等领域具有广泛的应用,该标准的制定对规范碳化... 展开更多; 关键词碳化硅碳化硅外延片; 在线阅读下载PDF 职称材料

石墨涂层对控制碳化硅外延掺杂的影响研究: 2; 作者鞠涛李哲 +6 位作者钮应喜王嘉铭张立国范亚明杨霏张泽洪张宝顺《智能电网》 2016年第7期644-648,共5页; 碳化硅同质外延过程中,反应室杂质浓度是外延片背景载流子浓度的决定因素。反应室内石墨部件外层进行碳化钽涂层处理,极大降低了反应室内的杂质浓度。目前对于涂层影响碳化硅外延掺杂浓度具体的定量研究,一直没有具体的数据。采用自主... 展开更多; 关键词碳化硅同质外延涂层石墨载流子浓度碳硅比; 在线阅读下载PDF 职称材料

Al掺杂4H-SiC同质外延的缓冲层被引量：1: 3; 作者贾仁需张义门 +2 位作者张玉明王悦湖栾苏珍《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期306-309,共4页; 利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线双晶衍射谱(XRD)和光致发光谱(PL)对在4H-SiC单晶衬底上采用CVD同质外延的4H-SiC单晶薄膜的特性进行研究,发现外延层有很好的晶格结构和完整性。由于Al原位掺杂引起的晶格失配和衬底和外延的晶向偏离,在... 展开更多; 关键词 4H碳化硅同质外延缓冲层扫描电子显微镜 X射线双晶衍射谱光致发光谱; 在线阅读下载PDF 职称材料

SiC外延炉模块化集成制造技术探索与研究: 4; 作者谢于柳何远湘陈庆广《电子工业专用设备》 2023年第5期11-14,40,共5页; SiC外延炉是半导体行业中的一项重要设备,其主要作用是在衬底上生长出高品质、大面积、无杂质的SiC外延薄膜。简要介绍了SiC外延炉模块化集成制造技术,并通过实施模块化集成制造技术方案,解决了设备生产周期长的问题,有效地降低了制造... 展开更多; 关键词碳化硅外延外延炉模块化集成制造技术; 在线阅读下载PDF 职称材料

SiC MESFET反向截止漏电流的研究被引量：4: 5; 作者崔现锋潘宏菽《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第8期784-786,共3页; 给出了一种减小SiC MESFET栅漏反向截止漏电流的工艺方法,通过采用LPCVD淀积厚SiO2和高温氧化工艺,使器件的性能得到一定的提升。从实验数据看出,器件在S波段工作时,器件的反向截止漏电流大幅度下降,且分散性得到改善,其功率附加效率和... 展开更多; 关键词反向截止漏电流碳化硅金属外延半导体场效应晶体管氧化低压化学气相淀积; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名GB/T 43885《碳化硅外延片》标准解读: 1; 作者李素青骆红; 机构有色金属技术经济研究院有限责任公司南京国盛电子有限公司; 出处《世界有色金属》 2024年第10期193-195,共3页; 文摘碳化硅外延片具有宽禁带、高击穿电场、高饱和漂移速率、高热导率等优异的电学性能,特别适用于制作大功率、高频、高温及抗辐射电子器件,在太阳能风能发电、轨道交通、智能电网、电动汽车等领域具有广泛的应用,该标准的制定对规范碳化硅外延片的各项技术指标,确保国内碳化硅外延片整体的研发和产业化水平紧紧跟随国际发展趋势,保障国产供应链安全,有着举足轻重的意义。; 关键词碳化硅碳化硅外延片; Keywords Silicon carbide Silicon carbide epitaxial wafers; 分类号 F426.63 [经济管理—产业经济]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名石墨涂层对控制碳化硅外延掺杂的影响研究: 2; 作者鞠涛李哲钮应喜王嘉铭张立国范亚明杨霏张泽洪张宝顺; 机构中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所全球能源互联网研究院; 出处《智能电网》 2016年第7期644-648,共5页; 基金国家电网公司科技项目(SGRI-WD-71-14-004)~~; 文摘碳化硅同质外延过程中,反应室杂质浓度是外延片背景载流子浓度的决定因素。反应室内石墨部件外层进行碳化钽涂层处理,极大降低了反应室内的杂质浓度。目前对于涂层影响碳化硅外延掺杂浓度具体的定量研究,一直没有具体的数据。采用自主研发的碳化硅外延设备,在完好和破损的涂层石墨部件条件下进行碳化硅同质外延生长,分析相应的外延片背景载流子浓度,从而得到碳化硅外延掺杂浓度的具体定量数据,并对设备研发和使用过程中的掺杂浓度的变化规律进行分析,从而积累了对于实际科研和生产过程中的问题的具体指导经验。; 关键词碳化硅同质外延涂层石墨载流子浓度碳硅比; Keywords silicon carbide homogeneity epitaxy coated graphite carrier concentration C/Si ratio; 分类号 TN304.24 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Al掺杂4H-SiC同质外延的缓冲层被引量：1: 3; 作者贾仁需张义门张玉明王悦湖栾苏珍; 机构西安电子科技大学微电子学院; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期306-309,共4页; 基金国家重点基础研究发展计划(973)(批准号:51327020202)资助的课题教育部科学技术研究重点项目(编号:106150); 文摘利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线双晶衍射谱(XRD)和光致发光谱(PL)对在4H-SiC单晶衬底上采用CVD同质外延的4H-SiC单晶薄膜的特性进行研究,发现外延层有很好的晶格结构和完整性。由于Al原位掺杂引起的晶格失配和衬底和外延的晶向偏离,在样品的衬底和外延的界面出现了约1μm的缓冲层,使得XRD摇摆曲线距主峰左侧约41arcs出现了强衍射峰。缓冲层中存在大量的堆垛缺陷和位错,引入缺陷能级,使室温PL测试为"绿带"发光。通过PL全片扫描发现缓冲层在整个样品中普遍存在且分布均匀。; 关键词 4H碳化硅同质外延缓冲层扫描电子显微镜 X射线双晶衍射谱光致发光谱; Keywords 4H-SiC homoepitaxial layers buffer layer SEM XRD PL.; 分类号 TN304.24 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名SiC外延炉模块化集成制造技术探索与研究: 4; 作者谢于柳何远湘陈庆广; 机构中国电子科技集团公司第四十八研究所; 出处《电子工业专用设备》 2023年第5期11-14,40,共5页; 文摘 SiC外延炉是半导体行业中的一项重要设备,其主要作用是在衬底上生长出高品质、大面积、无杂质的SiC外延薄膜。简要介绍了SiC外延炉模块化集成制造技术,并通过实施模块化集成制造技术方案,解决了设备生产周期长的问题,有效地降低了制造成本。; 关键词碳化硅外延外延炉模块化集成制造技术; Keywords Silicon carbide epitaxy Epitaxial furnace Modular Integrated manufacturing technology; 分类号 TN304.054 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名SiC MESFET反向截止漏电流的研究被引量：4: 5; 作者崔现锋潘宏菽; 机构河北半导体研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第8期784-786,共3页; 文摘给出了一种减小SiC MESFET栅漏反向截止漏电流的工艺方法,通过采用LPCVD淀积厚SiO2和高温氧化工艺,使器件的性能得到一定的提升。从实验数据看出,器件在S波段工作时,器件的反向截止漏电流大幅度下降,且分散性得到改善,其功率附加效率和功率增益也分别提高了10%和1.5 dB。该方法充分发挥了SiC材料能形成自身氧化层的优势,结合Si工艺的特点,减小了氧化层的缺陷,并在一定程度上减小了器件的寄生电容。; 关键词反向截止漏电流碳化硅金属外延半导体场效应晶体管氧化低压化学气相淀积; Keywords off-set shreshold leakage current SiC MESFET oxide LPCVD; 分类号 TN386.3 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	GB/T 43885《碳化硅外延片》标准解读	李素青骆红	《世界有色金属》	2024	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	石墨涂层对控制碳化硅外延掺杂的影响研究	鞠涛李哲钮应喜王嘉铭张立国范亚明杨霏张泽洪张宝顺	《智能电网》	2016	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	Al掺杂4H-SiC同质外延的缓冲层	贾仁需张义门张玉明王悦湖栾苏珍	《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心	2009	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	SiC外延炉模块化集成制造技术探索与研究	谢于柳何远湘陈庆广	《电子工业专用设备》	2023	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	SiC MESFET反向截止漏电流的研究	崔现锋潘宏菽	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2010	4	在线阅读下载PDF 职称材料