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一种基于MOV-RC缓冲电路的中压直流固态断路器过电压抑制方法研究
1
作者
黄浪尘
李俊桦
+2 位作者
何东
兰征
曾进辉
《电工电能新技术》
CSCD
北大核心
2024年第9期51-63,共13页
本文针对常通型碳化硅(SiC)结型场效应晶体管(JFET)的中压直流固态断路器(SSCB)缓冲电路进行了优化设计。首先,分析中压SiC SSCB主开关器件内部寄生电感、外部印制电路板电感和功率回路电感等因素对开关过程的影响作用,阐述了电阻电容...
本文针对常通型碳化硅(SiC)结型场效应晶体管(JFET)的中压直流固态断路器(SSCB)缓冲电路进行了优化设计。首先,分析中压SiC SSCB主开关器件内部寄生电感、外部印制电路板电感和功率回路电感等因素对开关过程的影响作用,阐述了电阻电容二极管(RCD)型、金属氧化物变阻器(MOV)型、RCD+MOV混合型三类经典缓冲电路应用于SiC SSCB时的工作原理,并对其性能进行了评估。基于对三类经典缓冲电路特点的全面分析,为SiC SSCB设计了一种基于金属氧化物变阻器-电阻-电容MOV-RC结构的新型缓冲电路拓扑,基于该电路的工作原理提供了适配的参数调制方法。最后,搭建了以三个1200 V/38 A常通型SiC JFET器件串联组成的1.5 kV/38 A SSCB实验样机,验证了本文所提设计方案的有效性。仿真及实验结果表明该缓冲电路不仅有效抑制了SiC SSCB故障隔离期间的过电压,还具有较快的故障清除时间和低成本的优势。
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关键词
碳化硅固态断路器
过电压
结型场效应管
缓冲电路
寄生电感
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职称材料
题名
一种基于MOV-RC缓冲电路的中压直流固态断路器过电压抑制方法研究
1
作者
黄浪尘
李俊桦
何东
兰征
曾进辉
机构
湖南工业大学电气与信息工程学院
出处
《电工电能新技术》
CSCD
北大核心
2024年第9期51-63,共13页
基金
湖南省自然科学基金项目(2021JJ40172)。
文摘
本文针对常通型碳化硅(SiC)结型场效应晶体管(JFET)的中压直流固态断路器(SSCB)缓冲电路进行了优化设计。首先,分析中压SiC SSCB主开关器件内部寄生电感、外部印制电路板电感和功率回路电感等因素对开关过程的影响作用,阐述了电阻电容二极管(RCD)型、金属氧化物变阻器(MOV)型、RCD+MOV混合型三类经典缓冲电路应用于SiC SSCB时的工作原理,并对其性能进行了评估。基于对三类经典缓冲电路特点的全面分析,为SiC SSCB设计了一种基于金属氧化物变阻器-电阻-电容MOV-RC结构的新型缓冲电路拓扑,基于该电路的工作原理提供了适配的参数调制方法。最后,搭建了以三个1200 V/38 A常通型SiC JFET器件串联组成的1.5 kV/38 A SSCB实验样机,验证了本文所提设计方案的有效性。仿真及实验结果表明该缓冲电路不仅有效抑制了SiC SSCB故障隔离期间的过电压,还具有较快的故障清除时间和低成本的优势。
关键词
碳化硅固态断路器
过电压
结型场效应管
缓冲电路
寄生电感
Keywords
SiC SSCB
overvoltage
JFET
snubber
parasitic inductance
分类号
TM561 [电气工程—电器]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
一种基于MOV-RC缓冲电路的中压直流固态断路器过电压抑制方法研究
黄浪尘
李俊桦
何东
兰征
曾进辉
《电工电能新技术》
CSCD
北大核心
2024
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