期刊文献+
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
基于神经网络的SiC功率管导通电阻估测技术研究 被引量:2
1
作者 崔江 陈一凡 +4 位作者 范士颖 林华 沈勇 王友仁 陈则王 《航空科学技术》 2021年第9期81-86,共6页
SiC功率管器件广泛应用在航空领域的电能变换、配电等场合,其健康状况十分重要。在SiC器件的健康监测应用中,导通电阻的检测是一项十分重要的技术。为了能够简单准确地得到碳化硅(SiC)MOSFET功率器件的导通电阻,本文提出了一种基于神经... SiC功率管器件广泛应用在航空领域的电能变换、配电等场合,其健康状况十分重要。在SiC器件的健康监测应用中,导通电阻的检测是一项十分重要的技术。为了能够简单准确地得到碳化硅(SiC)MOSFET功率器件的导通电阻,本文提出了一种基于神经网络的SiC MOSFET器件导通电阻估测方法。本文搭建SiC MOSFET导通电阻测试电路仿真和物理试验平台,并使用BP神经网络(BP neural networks,BPNN)对不同温度、不同栅极电压以及不同漏极电流下SiC MOSFET器件的导通电阻数据进行详细描述。最后,对基于BPNN的SiC MOSFET导通电阻估测方法进行效果验证。结果表明,该方法具有精度高和泛化能力强的优点,能够实现SiC MOSFET器件导通电阻的有效估测。 展开更多
关键词 碳化硅功率管 导通电阻 神经网络 误差分析 温度特性
在线阅读 下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部