以鳞片石墨和硅粉为混合原料,采用真空热压烧结工艺制备碳化硅增强石墨基复合材料。考察原料中硅粉含量对复合材料性能和结构的影响。XRD与SEM分析表明,经1900℃热压烧结后,硅粉与石墨发生原位反应生成碳化硅强化相,形成的碳化硅均匀分...以鳞片石墨和硅粉为混合原料,采用真空热压烧结工艺制备碳化硅增强石墨基复合材料。考察原料中硅粉含量对复合材料性能和结构的影响。XRD与SEM分析表明,经1900℃热压烧结后,硅粉与石墨发生原位反应生成碳化硅强化相,形成的碳化硅均匀分散在石墨片层间。随着硅质量分数从28.06%提高到37.94%,复合材料的弯曲强度从112 MPa提高至206 M Pa。此外,当硅含量低于31.46%时,复合材料的摩擦系数恒定为0.1,与纯石墨的摩擦系数相当。展开更多
碳化硅纳米线具有优异的电磁吸收性能,三维网络结构可以更好地使电磁波在空间内被多次反射和吸收。通过抽滤的方法制备得到体积分数20%交错排列的碳化硅纳米线网络预制体。然后采用化学气相渗透工艺制备热解炭界面和碳化硅基体,并通过...碳化硅纳米线具有优异的电磁吸收性能,三维网络结构可以更好地使电磁波在空间内被多次反射和吸收。通过抽滤的方法制备得到体积分数20%交错排列的碳化硅纳米线网络预制体。然后采用化学气相渗透工艺制备热解炭界面和碳化硅基体,并通过化学气相渗透和前驱体浸渍热解工艺得到致密的SiCNWs/SiC陶瓷基复合材料。甲烷和三氯甲基硅烷分别是热解炭和碳化硅的前驱体,随着热解碳质量分数从21.3%增加到29.5%,多孔SiCNWs预制体电磁屏蔽效率均值在8~12GHz(X)波段从9.2d B增加到64.1d B。质量增重13%的热解碳界面修饰的SiCNWs/SiC陶瓷基复合材料在X波段平均电磁屏蔽效率达到37.8 d B电磁屏蔽性能。结果显示,SiCNWs/SiC陶瓷基复合材料在新一代军事电磁屏蔽材料中具有潜在应用前景。展开更多
尝试采用自蔓延高温合成 (SHS)、具有近球形特征且表面粗糙的新型 Si C颗粒 ,以替代传统的角状磨料级 Si C颗粒 ,作为光学 /仪表级的高体分 Si Cp/Al复合材料的增强体。研究结果表明 :与传统角状 Si C颗粒相比 ,SHS- Si C颗粒的无棱角...尝试采用自蔓延高温合成 (SHS)、具有近球形特征且表面粗糙的新型 Si C颗粒 ,以替代传统的角状磨料级 Si C颗粒 ,作为光学 /仪表级的高体分 Si Cp/Al复合材料的增强体。研究结果表明 :与传统角状 Si C颗粒相比 ,SHS- Si C颗粒的无棱角、近球形几何特征 ,使其附近铝基体中的应力集中程度显著降低 ,进而使材料的强度包括表征尺寸稳定性的微屈服强度明显提高 ;SHS- Si C颗粒所特有的粗糙表面形貌 ,使 Si C- Al之间的界面结合通过机械镶嵌机制得到了进一步的增强 ,跨越界面的载荷传递效率进一步提高 。展开更多
文摘以鳞片石墨和硅粉为混合原料,采用真空热压烧结工艺制备碳化硅增强石墨基复合材料。考察原料中硅粉含量对复合材料性能和结构的影响。XRD与SEM分析表明,经1900℃热压烧结后,硅粉与石墨发生原位反应生成碳化硅强化相,形成的碳化硅均匀分散在石墨片层间。随着硅质量分数从28.06%提高到37.94%,复合材料的弯曲强度从112 MPa提高至206 M Pa。此外,当硅含量低于31.46%时,复合材料的摩擦系数恒定为0.1,与纯石墨的摩擦系数相当。
基金National Natural Science Foundation of China(51772310)Chinese Academy of Sciences Key Research Program of Frontier Sciences(QYZDY-SSWJSC031)Innovation Academy for Light-duty Gas Turbine,Chinese Academy of Sciences(CXYJJ20-MS-02)。
文摘碳化硅纳米线具有优异的电磁吸收性能,三维网络结构可以更好地使电磁波在空间内被多次反射和吸收。通过抽滤的方法制备得到体积分数20%交错排列的碳化硅纳米线网络预制体。然后采用化学气相渗透工艺制备热解炭界面和碳化硅基体,并通过化学气相渗透和前驱体浸渍热解工艺得到致密的SiCNWs/SiC陶瓷基复合材料。甲烷和三氯甲基硅烷分别是热解炭和碳化硅的前驱体,随着热解碳质量分数从21.3%增加到29.5%,多孔SiCNWs预制体电磁屏蔽效率均值在8~12GHz(X)波段从9.2d B增加到64.1d B。质量增重13%的热解碳界面修饰的SiCNWs/SiC陶瓷基复合材料在X波段平均电磁屏蔽效率达到37.8 d B电磁屏蔽性能。结果显示,SiCNWs/SiC陶瓷基复合材料在新一代军事电磁屏蔽材料中具有潜在应用前景。
基金National Natural Science Foundation of China (51772310)Chinese Academy of Sciences Key Research Program of Frontier Sciences (QYZDY-SSWJSC031)+1 种基金Innovation Academy for Light-duty Gas TurbineChinese Academy of Sciences (CXYJJ20-MS-02)。
文摘尝试采用自蔓延高温合成 (SHS)、具有近球形特征且表面粗糙的新型 Si C颗粒 ,以替代传统的角状磨料级 Si C颗粒 ,作为光学 /仪表级的高体分 Si Cp/Al复合材料的增强体。研究结果表明 :与传统角状 Si C颗粒相比 ,SHS- Si C颗粒的无棱角、近球形几何特征 ,使其附近铝基体中的应力集中程度显著降低 ,进而使材料的强度包括表征尺寸稳定性的微屈服强度明显提高 ;SHS- Si C颗粒所特有的粗糙表面形貌 ,使 Si C- Al之间的界面结合通过机械镶嵌机制得到了进一步的增强 ,跨越界面的载荷传递效率进一步提高 。
