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碲镉汞晶体结构性质的电子显微术研究被引量：2: 1; 作者唐家钿宋炳文 +1 位作者董先庆欧明娣《红外技术》 CSCD 1994年第6期22-26,共5页; 采用扫描电子显微术对布里奇曼法、固态再结晶法和碲溶剂法生长的Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ晶体的结构性质进行了研究，结果表明位错和亚晶界是三种方法所得晶体的主要缺陷，而位错和亚晶界的形态与分布则取决于被研究面的结晶学取向。实验... 展开更多; 关键词红外探测器碲镉汞晶体电子显微术; 在线阅读下载PDF 职称材料

单晶炉温场分布对碲镉汞晶体结构的影响被引量：1: 2; 作者郎维和张宝峰 +1 位作者张学仁杜冰《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 1992年第2期46-48,共3页; 本文论述了不同炉温分布,对比研究温场对碲镉汞晶体结构的影响。; 关键词碲镉汞晶体单晶炉温度场结构; 在线阅读下载PDF 职称材料

碲镉汞体材料的显微Raman光谱被引量：3: 3; 作者黄晖唐莹娟 +3 位作者许京军张存洲潘顺臣张光寅《红外技术》 CSCD 北大核心 2002年第5期37-41,共5页; 利用Raman显微镜测量了ACRT Bridgman方法和Te溶剂方法生长的碲镉汞体材料的显微Raman光谱 ,在碲镉汞体材料的显微Raman光谱中识别出了碲镉汞的基本光学振动模 ,由此证明了碲镉汞按晶格振动的分类方法属于二模混晶 ;识别出了一个来源于... 展开更多; 关键词碲镉汞晶体显微Raman光谱光学振动膜 RAMAN散射; 在线阅读下载PDF 职称材料

改进布里奇曼法生长HgCdTe晶体的生长速度对固液界面形态的影响被引量：1: 4; 作者王跃李全保 +4 位作者韩庆林马庆华宋炳文介万奇周尧和《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第1期45-50,共6页; 为选择合理的晶体生长速度 ,在用改进Bridgman法生长直径为19mm的HgCdTe(x =0 .2 1)晶体过程中 ,对正在生长的单晶体及熔体进行淬火 ,以观察其固液界面形态。初步的实验结果表明 :在 2mm/d及 9mm/d的两种生长速度条件下 ,石英安瓶中... 展开更多; 关键词晶体生长速度固液界面形态碲镉汞晶体; 在线阅读下载PDF 职称材料

Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te晶体低温热处理时的热力学平衡常数被引量：1: 5; 作者韩庆林《红外技术》 CSCD 1993年第2期24-26,共3页; 在研究低温热处理对HgCdTe电学性质的影响时,在只考虑Hg间隙、Hg空位影响的情况下,通过对大量的、可靠的Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te晶体低温热处理结果进行分析,确定了热力学平衡常数关系式中的常数,从而获得热力学平衡常数与温度的明确解析表... 展开更多; 关键词 Hg0.8Cd0.2Te晶体低温热处理热力学平衡常数碲镉汞晶体; 在线阅读下载PDF 职称材料

Hg_（1－x）Cd_xTe晶体中的层错研究被引量：1: 6; 作者李全葆《红外技术》 EI CSCD 1995年第2期6-8,共3页; 采用金相显微镜观察到了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ晶体中的层错。层错面是｛１１１｝面，层错蚀坑呈条状，在（１１１）面上观察到的层错条状蚀坑只有三个方向，而且这三个方向互为１２０°。理论分析表明，在（１１０）面上观察层错时... 展开更多; 关键词红外材料碲镉汞晶体晶体缺陷层错; 在线阅读下载PDF 职称材料

外加横向磁场下Bridgman法生长HgCdTe晶体的实验研究: 7; 作者蓝慕杰叶水驰 +3 位作者鲍海飞于杰周士仁王培林《哈尔滨工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第3期8-10,共3页; 介绍自行研制的可以施加横向磁场中的垂直Bridgman法晶体生长装置，该装置磁场强度可在0－0．6T围内连续调节，生长区温度梯度达40－70℃／cm．不同磁场强度下进行了HgCdTe晶体生长实验，通过测量分析，研究了轴向和径向组分分布的变化... 展开更多; 关键词磁场晶体生长 BRIDGMAN法碲镉汞晶体; 在线阅读下载PDF 职称材料

外加横向磁场生长优质HgCdTe晶体: 8; 作者叶水驰蓝慕杰 +2 位作者鲍海飞于杰周士仁《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第3期326-326,共1页; 随着红外技术的发展及军事和民用红外探测器（陈列）应用领域的不断扩大，对红外基础材料的需求也日益增长。碲隔汞材料以其工作温度高，适用谱区范围宽而受到重视，并已经发展了多种晶体和薄膜的制备工艺技术。近年来，在从熔体中生长... 展开更多; 关键词碲镉汞晶体磁场晶体生长半导体; 在线阅读下载PDF 职称材料

坩埚旋转的水平移动加热器法生长Hg_（1－x）Cd_xTe: 9; 作者胡世高《红外与激光技术》 CSCD 1994年第2期55-58,共4页; 首次研究了一种水平移动加热器法（ＴＨＭ）从未充满的溶区中生长圆柱形晶体。转动安瓿使晶体的整个截面不断地与溶液接触，强迫对流使溶液得到有效的搅拌。这种方法已被用于从富碲溶区中生长Ｈｇ＿（１－ｘ）Ｃｄ＿ｘＴｅ单晶。其结构... 展开更多; 关键词碲镉汞晶体移动加热器法坩埚旋转; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名碲镉汞晶体结构性质的电子显微术研究被引量：2: 1; 作者唐家钿宋炳文董先庆欧明娣; 机构昆明物理研究所; 出处《红外技术》 CSCD 1994年第6期22-26,共5页; 文摘采用扫描电子显微术对布里奇曼法、固态再结晶法和碲溶剂法生长的Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ晶体的结构性质进行了研究，结果表明位错和亚晶界是三种方法所得晶体的主要缺陷，而位错和亚晶界的形态与分布则取决于被研究面的结晶学取向。实验还观察到经过长期高温退火的晶体中单个位错成规则的点阵分布，或排列成位错墙。此外也观察到孪晶，多晶以及第二相等结构缺陷。; 关键词红外探测器碲镉汞晶体电子显微术; Keywords Hg1-xCdxTe Cryastad defect Eleetron microscopy; 分类号 TN213 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名单晶炉温场分布对碲镉汞晶体结构的影响被引量：1: 2; 作者郎维和张宝峰张学仁杜冰; 机构华北光电所; 出处《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 1992年第2期46-48,共3页; 文摘本文论述了不同炉温分布,对比研究温场对碲镉汞晶体结构的影响。; 关键词碲镉汞晶体单晶炉温度场结构; Keywords tellurium cadmium mercury crystal, double crystal X-ray diffraction; 分类号 TN304.26 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名碲镉汞体材料的显微Raman光谱被引量：3: 3; 作者黄晖唐莹娟许京军张存洲潘顺臣张光寅; 机构昆明物理研究所南开大学物理科学学院光子学中心; 出处《红外技术》 CSCD 北大核心 2002年第5期37-41,共5页; 文摘利用Raman显微镜测量了ACRT Bridgman方法和Te溶剂方法生长的碲镉汞体材料的显微Raman光谱 ,在碲镉汞体材料的显微Raman光谱中识别出了碲镉汞的基本光学振动模 ,由此证明了碲镉汞按晶格振动的分类方法属于二模混晶 ;识别出了一个来源于类HgTe的TO1模 +LO1模的二级Raman散射峰 ;观察到了碲镉汞体材料中两个新的Raman散射峰 ,分别位于 6 6 2cm- 1和 74 9cm- 1;观察到了碲镉汞基本光学振动模的TO1模与LO1模的Raman散射强度比的变化 ,指出该现象是由于Ra; 关键词碲镉汞晶体显微Raman光谱光学振动膜 RAMAN散射; Keywords Hg 1- x Cd x Te crystal, micro Raman spectra; 分类号 TN213 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名改进布里奇曼法生长HgCdTe晶体的生长速度对固液界面形态的影响被引量：1: 4; 作者王跃李全保韩庆林马庆华宋炳文介万奇周尧和; 机构昆明物理研究所西北工业大学凝固技术国家重点实验室西北工业大学凝固技术国家重点实验室; 出处《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第1期45-50,共6页; 基金兵器集团公司研究基金; 文摘为选择合理的晶体生长速度 ,在用改进Bridgman法生长直径为19mm的HgCdTe(x =0 .2 1)晶体过程中 ,对正在生长的单晶体及熔体进行淬火 ,以观察其固液界面形态。初步的实验结果表明 :在 2mm/d及 9mm/d的两种生长速度条件下 ,石英安瓶中的固液界面形态均为凹形抛物面 ,但其凹陷深度分别为 10mm和 14mm。较低的晶体生长速度条件下 ,凹陷深度较小 ,固液界面形态较平。由实验和讨论得知 ,宜选择较低的晶体生长速度用改进Bridgman法生长HgCdTe晶体。; 关键词晶体生长速度固液界面形态碲镉汞晶体; Keywords modified bridgman technique HgCdTe crystal growth speed shape of solid liquid interface deepness of concave; 分类号 TN213 [电子电信—物理电子学] O782.9 [理学—晶体学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te晶体低温热处理时的热力学平衡常数被引量：1: 5; 作者韩庆林; 机构昆明物理研究所; 出处《红外技术》 CSCD 1993年第2期24-26,共3页; 文摘在研究低温热处理对HgCdTe电学性质的影响时,在只考虑Hg间隙、Hg空位影响的情况下,通过对大量的、可靠的Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te晶体低温热处理结果进行分析,确定了热力学平衡常数关系式中的常数,从而获得热力学平衡常数与温度的明确解析表达式。实验结果与所得表达式的计算结果能够很好地相符。; 关键词 Hg0.8Cd0.2Te晶体低温热处理热力学平衡常数碲镉汞晶体; Keywords Annealing Thermodynamic equilibrium constants HgCdTecrystal; 分类号 O51 [理学—低温物理] TN304 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Hg_（1－x）Cd_xTe晶体中的层错研究被引量：1: 6; 作者李全葆; 机构昆明物理研究所; 出处《红外技术》 EI CSCD 1995年第2期6-8,共3页; 文摘采用金相显微镜观察到了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ晶体中的层错。层错面是｛１１１｝面，层错蚀坑呈条状，在（１１１）面上观察到的层错条状蚀坑只有三个方向，而且这三个方向互为１２０°。理论分析表明，在（１１０）面上观察层错时，层错条状蚀坑有四个方向，其夹角为５４７°或７０．５°；在（１００）面上观察层错时，层错条状蚀坑有三个方向，其夹角为０°或９０°。层错边界的不全位错是弗兰克位错。; 关键词红外材料碲镉汞晶体晶体缺陷层错; Keywords HgCdTe Stacking fault Crystal defect; 分类号 TN213 [电子电信—物理电子学] O77 [理学—晶体学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名外加横向磁场下Bridgman法生长HgCdTe晶体的实验研究: 7; 作者蓝慕杰叶水驰鲍海飞于杰周士仁王培林; 机构哈尔滨工业大学航天电子与光电工程系; 出处《哈尔滨工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第3期8-10,共3页; 文摘介绍自行研制的可以施加横向磁场中的垂直Bridgman法晶体生长装置，该装置磁场强度可在0－0．6T围内连续调节，生长区温度梯度达40－70℃／cm．不同磁场强度下进行了HgCdTe晶体生长实验，通过测量分析，研究了轴向和径向组分分布的变化与磁场的关系．实验结果表明，由于磁场对熔体中热对流的作用，尤其是横向磁场与流胞的相互作用，在一定程度上改变生长界面的形状。; 关键词磁场晶体生长 BRIDGMAN法碲镉汞晶体; Keywords Magnetic field HgCdTe crystal growth; 分类号 O782.9 [理学—晶体学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名外加横向磁场生长优质HgCdTe晶体: 8; 作者叶水驰蓝慕杰鲍海飞于杰周士仁; 机构哈尔滨工业大学航天电子与光电工程系; 出处《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第3期326-326,共1页; 文摘随着红外技术的发展及军事和民用红外探测器（陈列）应用领域的不断扩大，对红外基础材料的需求也日益增长。碲隔汞材料以其工作温度高，适用谱区范围宽而受到重视，并已经发展了多种晶体和薄膜的制备工艺技术。近年来，在从熔体中生长半导体材料时，为了抑制熔体中对流所引起的溶质或掺杂剂浓度的波动而采用了磁场中生长晶体技术。这种抑制作用起因于磁场所引起的洛仑兹力，它减小了那些与温度梯度或组分梯度有关的浮力所驱动的胞状对流的强度。在用Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｒｉ法生长Ｓｉ及ＧａＡｓ晶体时，采用横向的或垂直的磁场成功地抑制了不稳定的热对流，从而获得了高质量的晶体。本文介绍了我们自行研制的磁场中Ｂｒｉｄｇｍａｎ法生长碲镉汞晶体。ＨｇＣｄＴｅ晶体的生长：用所研制的装置进行了碲镉汞晶体生长实验，实验条件与布里奇曼法相同，即用内径１２～１４ｍｍ的石英安瓶，按ｘ＝０．２装料１０～１２ｃｍ，以０．２５ｍｍ／ｈ的速度通过生长区。开管后，沿垂直于生长轴方向切片，分别用Ｘ荧光法和Ｘ能谱法测量其轴向和径向的组分分布，在不加磁场和分别施加２ｋＧｓ，３ｋＧｓ，及４ｋＧｓ，５ｋＧｓ的磁场条件下，先后生长了１０余只样品。利用自制的磁场Ｂｒｉｄｇｍａｎ法晶体生长装置?; 关键词碲镉汞晶体磁场晶体生长半导体; Keywords HgCdTe crystal,Bradgman method,crystal growth from magnetic field; 分类号 TN304.26 [电子电信—物理电子学] O782.9 [理学—晶体学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名坩埚旋转的水平移动加热器法生长Hg_（1－x）Cd_xTe: 9; 作者胡世高; 出处《红外与激光技术》 CSCD 1994年第2期55-58,共4页; 文摘首次研究了一种水平移动加热器法（ＴＨＭ）从未充满的溶区中生长圆柱形晶体。转动安瓿使晶体的整个截面不断地与溶液接触，强迫对流使溶液得到有效的搅拌。这种方法已被用于从富碲溶区中生长Ｈｇ＿（１－ｘ）Ｃｄ＿ｘＴｅ单晶。其结构完整性和冶金学均匀性都与垂直生长的ＴＨＭ材料相当。; 关键词碲镉汞晶体移动加热器法坩埚旋转; 分类号 TN304.26 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	碲镉汞晶体结构性质的电子显微术研究	唐家钿宋炳文董先庆欧明娣	《红外技术》 CSCD	1994	2	在线阅读下载PDF 职称材料
2	单晶炉温场分布对碲镉汞晶体结构的影响	郎维和张宝峰张学仁杜冰	《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心	1992	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	碲镉汞体材料的显微Raman光谱	黄晖唐莹娟许京军张存洲潘顺臣张光寅	《红外技术》 CSCD 北大核心	2002	3	在线阅读下载PDF 职称材料
4	改进布里奇曼法生长HgCdTe晶体的生长速度对固液界面形态的影响	王跃李全保韩庆林马庆华宋炳文介万奇周尧和	《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2000	1	在线阅读下载PDF 职称材料
5	Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te晶体低温热处理时的热力学平衡常数	韩庆林	《红外技术》 CSCD	1993	1	在线阅读下载PDF 职称材料
6	Hg_（1－x）Cd_xTe晶体中的层错研究	李全葆	《红外技术》 EI CSCD	1995	1	在线阅读下载PDF 职称材料
7	外加横向磁场下Bridgman法生长HgCdTe晶体的实验研究	蓝慕杰叶水驰鲍海飞于杰周士仁王培林	《哈尔滨工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心	1999	0	在线阅读下载PDF 职称材料
8	外加横向磁场生长优质HgCdTe晶体	叶水驰蓝慕杰鲍海飞于杰周士仁	《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心	1997	0	在线阅读下载PDF 职称材料
9	坩埚旋转的水平移动加热器法生长Hg_（1－x）Cd_xTe	胡世高	《红外与激光技术》 CSCD	1994	0	在线阅读下载PDF 职称材料