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Cd_(1-x)Mn_xTe晶体衬底的红外透过性能
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作者 张继军 王林军 +7 位作者 闵嘉华 施凌云 黄健 秦凯丰 施朱斌 唐可 梁小燕 夏义本 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第2期113-117,共5页
研究了生长态和退火后Cd1-xMnxTe晶片的吸收边和红外透过性能.Cd1-xMnxTe晶体采用垂直Bridgman法生长,获得面积为30 mm×40 mm的(111)面Cd1-xMnxTe单晶片;晶片在Cd气氛下退火.近红外光谱表明,吸收边的截止波长反映晶片的Mn含量范围... 研究了生长态和退火后Cd1-xMnxTe晶片的吸收边和红外透过性能.Cd1-xMnxTe晶体采用垂直Bridgman法生长,获得面积为30 mm×40 mm的(111)面Cd1-xMnxTe单晶片;晶片在Cd气氛下退火.近红外光谱表明,吸收边的截止波长反映晶片的Mn含量范围为0.1887≤x≤0.2039,其中轴向成分波动差值约为0.0152,径向成分波动差值约为0.0013;x=0.2的Cd1-xMnxTe晶体吸收边的吸收系数变化范围为2.5~55 cm-1;退火后,晶体的吸收边位置没有变化,表明晶片中Mn含量未受到退火的影响.傅里叶变换红外透射光谱表明,晶片在红外光波数为4000~500 cm-1范围的红外透过率为45%~55%;退火后,晶片的红外透过率提高到61%以上,接近理论值65%. 展开更多
关键词 晶体生长 碲镉汞外延衬底 吸收边 红外透过率 退火
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