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基于正交试验的碲锌镉晶片CMP参数优化及抛光机制分析
被引量：
1
1
作者
张乐振
张振宇
+4 位作者
王冬
徐光宏
郜培丽
孟凡宁
赵子锋
《润滑与密封》
CAS
CSCD
北大核心
2022年第4期92-101,共10页
碲锌镉(CZT)晶片是目前制造室温下高能射线探测器最理想的半导体材料,获得高质量的CZT晶片对探测性能的提高具有十分重要的意义。基于化学机械抛光(CMP)工艺,采用绿色环保的抛光液配方,设计并进行磨粒粒径、磨粒质量分数、抛光液pH值和...
碲锌镉(CZT)晶片是目前制造室温下高能射线探测器最理想的半导体材料,获得高质量的CZT晶片对探测性能的提高具有十分重要的意义。基于化学机械抛光(CMP)工艺,采用绿色环保的抛光液配方,设计并进行磨粒粒径、磨粒质量分数、抛光液pH值和抛光压力的4因素3水平正交CMP试验,实现200μm×200μm范围内平均粗糙度最低为0.289 nm的CMP加工。对试验结果进行均值和极差分析,探究各因素在CMP加工中的作用规律,得出pH值和磨粒质量分数对CZT晶体的CMP加工精度和去除速率影响较大,且较强的酸性条件和较大的磨粒质量分数分别有利于提高CZT晶体的化学溶解作用和机械磨削作用的结论,提出针对CZT晶片的CMP优化加工方案。通过X射线光电子能谱(XPS)表征,探究对抛光性能影响作用最大的酸度在CMP加工中所起到的化学腐蚀作用,揭示CZT晶体在CMP过程中“氧化剂氧化-酸根离子刻蚀-络合物螯合-磨粒磨削”的材料去除机制。
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关键词
化学机械抛光
碲锌镉晶片
正交试验
抛光液
材料去除机制
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职称材料
CdZnTe探测器晶片的表面处理工艺
被引量：
4
2
作者
张冬敏
朱世富
+5 位作者
赵北君
高德友
陈俊
唐世红
方军
程曦
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第4期715-718,共4页
报道了CdZnTe探测器晶片表面钝化工艺对其性能的影响。先采用金相砂纸和化学腐蚀剂对CdZnTe晶片进行机械和化学抛光，然后分别用H2O2溶液和NH4F／H2O2溶液对晶片进行湿法钝化；再用ZC36微电流测试仪和扫描电镜测试研究了不同钝化时间对C...
报道了CdZnTe探测器晶片表面钝化工艺对其性能的影响。先采用金相砂纸和化学腐蚀剂对CdZnTe晶片进行机械和化学抛光，然后分别用H2O2溶液和NH4F／H2O2溶液对晶片进行湿法钝化；再用ZC36微电流测试仪和扫描电镜测试研究了不同钝化时间对CdZnTe晶片电学性质和表面形态的影响。结果发现：用NH4F／H2O2溶液对CdZnTe探测器晶片进行钝化30min，晶片表面形成一层完整的高阻氧化层，表面漏电流最小、晶体电阻率提高1-2个数量级，达到10^9-10 Ω·cm，适合探测器的制备。
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关键词
碲锌镉晶片
表面处理
漏电流
电阻率
形貌
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职称材料
EPG 535光刻胶氧离子刻蚀工艺的研究
被引量：
1
3
作者
任洁
傅莉
+1 位作者
孙玉宝
査钢强
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2011年第4期523-526,共4页
采用反应离子刻蚀(RIE)技术,对EPG 535光刻胶和碲锌镉(CZT)基体刻蚀工艺进行研究,采用原子力显微镜(AFM)法测试CZT基体刻蚀前后的表面质量,探讨了EPG 535光刻胶刻蚀速率和CZT基体表面粗糙度的影响因素。结果表明,当RF功率为60 W、氧气...
采用反应离子刻蚀(RIE)技术,对EPG 535光刻胶和碲锌镉(CZT)基体刻蚀工艺进行研究,采用原子力显微镜(AFM)法测试CZT基体刻蚀前后的表面质量,探讨了EPG 535光刻胶刻蚀速率和CZT基体表面粗糙度的影响因素。结果表明,当RF功率为60 W、氧气气压为1.30 Pa、氧气流量为40 cm3/min,光刻胶达到最大刻蚀速率;随着RF功率降低,刻蚀后CZT基体的表面粗糙度降低。实验优化的刻蚀参数为:RF功率40 W、氧气气压1.30 Pa、氧气流量40 cm3/min。
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关键词
氧气反应离子刻蚀(RIE)
EPG
535光刻胶
碲锌镉晶片
表面粗糙度
刻蚀速率
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职称材料
题名
基于正交试验的碲锌镉晶片CMP参数优化及抛光机制分析
被引量：
1
1
作者
张乐振
张振宇
王冬
徐光宏
郜培丽
孟凡宁
赵子锋
机构
潍柴动力股份有限公司
大连理工大学高性能制造研究所
中国空间技术研究院
出处
《润滑与密封》
CAS
CSCD
北大核心
2022年第4期92-101,共10页
基金
国家重点研发计划(2018YFA0703400)。
文摘
碲锌镉(CZT)晶片是目前制造室温下高能射线探测器最理想的半导体材料,获得高质量的CZT晶片对探测性能的提高具有十分重要的意义。基于化学机械抛光(CMP)工艺,采用绿色环保的抛光液配方,设计并进行磨粒粒径、磨粒质量分数、抛光液pH值和抛光压力的4因素3水平正交CMP试验,实现200μm×200μm范围内平均粗糙度最低为0.289 nm的CMP加工。对试验结果进行均值和极差分析,探究各因素在CMP加工中的作用规律,得出pH值和磨粒质量分数对CZT晶体的CMP加工精度和去除速率影响较大,且较强的酸性条件和较大的磨粒质量分数分别有利于提高CZT晶体的化学溶解作用和机械磨削作用的结论,提出针对CZT晶片的CMP优化加工方案。通过X射线光电子能谱(XPS)表征,探究对抛光性能影响作用最大的酸度在CMP加工中所起到的化学腐蚀作用,揭示CZT晶体在CMP过程中“氧化剂氧化-酸根离子刻蚀-络合物螯合-磨粒磨削”的材料去除机制。
关键词
化学机械抛光
碲锌镉晶片
正交试验
抛光液
材料去除机制
Keywords
chemical mechanical polishing
cadmium zinc telluride wafer
orthogonal experiment
polishing slurry
materials removal mechanism
分类号
TN305.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
CdZnTe探测器晶片的表面处理工艺
被引量：
4
2
作者
张冬敏
朱世富
赵北君
高德友
陈俊
唐世红
方军
程曦
机构
四川大学材料科学系
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第4期715-718,共4页
基金
国家自然科学基金(No.60276030)资助项目
文摘
报道了CdZnTe探测器晶片表面钝化工艺对其性能的影响。先采用金相砂纸和化学腐蚀剂对CdZnTe晶片进行机械和化学抛光，然后分别用H2O2溶液和NH4F／H2O2溶液对晶片进行湿法钝化；再用ZC36微电流测试仪和扫描电镜测试研究了不同钝化时间对CdZnTe晶片电学性质和表面形态的影响。结果发现：用NH4F／H2O2溶液对CdZnTe探测器晶片进行钝化30min，晶片表面形成一层完整的高阻氧化层，表面漏电流最小、晶体电阻率提高1-2个数量级，达到10^9-10 Ω·cm，适合探测器的制备。
关键词
碲锌镉晶片
表面处理
漏电流
电阻率
形貌
Keywords
CdZnTe wafer
surface treatment
leakage current
resistivity
morphology
分类号
O799 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
EPG 535光刻胶氧离子刻蚀工艺的研究
被引量：
1
3
作者
任洁
傅莉
孙玉宝
査钢强
机构
西北工业大学凝固技术国家重点实验室
出处
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2011年第4期523-526,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(50772091)
教育部"新世纪人才支持计划"基金资助项目(NCET-07-0689)
文摘
采用反应离子刻蚀(RIE)技术,对EPG 535光刻胶和碲锌镉(CZT)基体刻蚀工艺进行研究,采用原子力显微镜(AFM)法测试CZT基体刻蚀前后的表面质量,探讨了EPG 535光刻胶刻蚀速率和CZT基体表面粗糙度的影响因素。结果表明,当RF功率为60 W、氧气气压为1.30 Pa、氧气流量为40 cm3/min,光刻胶达到最大刻蚀速率;随着RF功率降低,刻蚀后CZT基体的表面粗糙度降低。实验优化的刻蚀参数为:RF功率40 W、氧气气压1.30 Pa、氧气流量40 cm3/min。
关键词
氧气反应离子刻蚀(RIE)
EPG
535光刻胶
碲锌镉晶片
表面粗糙度
刻蚀速率
Keywords
O2 reactive Ion etching （RIE）
EPG 535 photoresist
CdZnTe substrate
surface roughness
etchingrate
分类号
TN304.07 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于正交试验的碲锌镉晶片CMP参数优化及抛光机制分析
张乐振
张振宇
王冬
徐光宏
郜培丽
孟凡宁
赵子锋
《润滑与密封》
CAS
CSCD
北大核心
2022
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
CdZnTe探测器晶片的表面处理工艺
张冬敏
朱世富
赵北君
高德友
陈俊
唐世红
方军
程曦
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006
4
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
EPG 535光刻胶氧离子刻蚀工艺的研究
任洁
傅莉
孙玉宝
査钢强
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2011
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
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