期刊文献+
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
CdTe/CdS量子点的Ⅰ-Ⅱ型结构转变与荧光性质 被引量:7
1
作者 安利民 曾庆辉 +2 位作者 赵家龙 宋维斯 苏文辉 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第9期1789-1792,共4页
制备了壳层厚度可以精确控制的CdTe/CdS核壳量子点,利用紫外-可见吸收光谱、光致发光光谱、透射电镜和时间分辨光谱等技术,分析了CdS壳层厚度对CdTe量子点的荧光量子产率和光谱结构的影响规律.发现了不同于CdSe/CdS,CdSe/ZnS,CdTe/ZnS... 制备了壳层厚度可以精确控制的CdTe/CdS核壳量子点,利用紫外-可见吸收光谱、光致发光光谱、透射电镜和时间分辨光谱等技术,分析了CdS壳层厚度对CdTe量子点的荧光量子产率和光谱结构的影响规律.发现了不同于CdSe/CdS,CdSe/ZnS,CdTe/ZnS等核壳量子点的荧光峰展宽、大幅度红移以及荧光寿命大幅度增加现象.根据能带的位置关系,随着CdS厚度的增加,CdTe从Ⅰ型结构逐渐过渡到Ⅱ型核壳结构.对于Ⅱ型CdTe/CdS核壳量子点,不仅存在CdTe核区导带电子与价带空穴间的直接复合,还存在CdS壳层导带电子与CdTe核价带空穴界面处的间接复合,发光机制的变化导致荧光峰的展宽、明显红移和荧光寿命的增加.当壳层过厚时,壳层表面新引入的缺陷会阻碍荧光寿命和量子产率的进一步提高. 展开更多
关键词 碲化镉 碲化镉/硫化镉 量子点 荧光寿命
在线阅读 下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部