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基于溶液法的金属诱导碟型晶畴多晶硅薄膜和薄膜晶体管的研究(英文)
被引量：
1
1
作者
赵淑云
孟志国
+2 位作者
吴春亚
王文
郭海成
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第6期812-817,共6页
以非晶硅为晶化前驱物,采用镍盐溶液浸沾的方法可以得到超大尺寸碟型晶畴结构的低温多晶硅薄膜。所得多晶硅薄膜的平均晶畴尺寸大约为50μm,空穴的最高霍尔迁移率为30 .8 cm2/V.s ,电子的最高霍尔迁移率为45 .6 cm2/V.s。用这种多晶硅...
以非晶硅为晶化前驱物,采用镍盐溶液浸沾的方法可以得到超大尺寸碟型晶畴结构的低温多晶硅薄膜。所得多晶硅薄膜的平均晶畴尺寸大约为50μm,空穴的最高霍尔迁移率为30 .8 cm2/V.s ,电子的最高霍尔迁移率为45 .6 cm2/V.s。用这种多晶硅薄膜为有源层,所得多晶硅TFT的场效应迁移率典型值为70 ～80 cm2/V.s ,亚阈值斜摆幅为1 .5 V/decade ,开关电流比为1 .01×107,开启电压为-8 .3 V。另外,P型的TFT在高栅偏压和热载流子偏压下具有良好的器件稳定性。
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关键词
碟型晶畴多晶硅薄膜
多晶硅
TFTs
TFT稳定性
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职称材料
题名
基于溶液法的金属诱导碟型晶畴多晶硅薄膜和薄膜晶体管的研究(英文)
被引量：
1
1
作者
赵淑云
孟志国
吴春亚
王文
郭海成
机构
香港科技大学电子及计算机工程系
南开大学光电子所
出处
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第6期812-817,共6页
基金
Supported by Hong Kong SAR Research Grants Council Grants(No.614807)
文摘
以非晶硅为晶化前驱物,采用镍盐溶液浸沾的方法可以得到超大尺寸碟型晶畴结构的低温多晶硅薄膜。所得多晶硅薄膜的平均晶畴尺寸大约为50μm,空穴的最高霍尔迁移率为30 .8 cm2/V.s ,电子的最高霍尔迁移率为45 .6 cm2/V.s。用这种多晶硅薄膜为有源层,所得多晶硅TFT的场效应迁移率典型值为70 ～80 cm2/V.s ,亚阈值斜摆幅为1 .5 V/decade ,开关电流比为1 .01×107,开启电压为-8 .3 V。另外,P型的TFT在高栅偏压和热载流子偏压下具有良好的器件稳定性。
关键词
碟型晶畴多晶硅薄膜
多晶硅
TFTs
TFT稳定性
Keywords
disk-like domain SMIC poly-Si
poly-Si TFTs
TFT reliability
分类号
TN321.5 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于溶液法的金属诱导碟型晶畴多晶硅薄膜和薄膜晶体管的研究(英文)
赵淑云
孟志国
吴春亚
王文
郭海成
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2009
1
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