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题名碘化铅多晶合成与单晶体生长研究
被引量：2
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作者
赵欣
朱兴华
杨晓龙
金应荣
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机构
西华大学材料科学与工程学院
西华大学计算机与数理学院
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出处
《西华大学学报（自然科学版）》
CAS
2004年第S1期253-255,共3页
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文摘
碘化铅 (PbI2 )的平均原子序数较大 ,碘化铅晶体有较宽的禁带宽度 ,作为一种新型的室温核辐射探测器材料有广泛的前景。本文对碘化铅原料的合成与晶体生长工艺进行了初步研究 ,用垂直布里奇曼法生长出了直径达 2 0mm、长约 3
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关键词
碘化铅单晶体
垂直布里奇曼法
晶体生长
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Keywords
lead Iodide single crystal
vertical bridgman method
crystal growth
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分类号
O782
[理学—晶体学]
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题名U型坩埚内碘化铅熔体中的气泡分析
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作者
李丽霞
金应荣
贺毅
赵欣
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机构
西华大学材料科学与工程学院
四川大学材料科学与工程学院
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出处
《西华大学学报（自然科学版）》
CAS
2008年第3期56-57,68,共3页
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基金
四川省教育厅重点资助科研项目(No.2006A082)
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文摘
U型坩埚上升法是生长碘化铅单晶体的一种新方法,它不能自动排除熔体中可能产生的气泡。本文结合已有的实验数据,分析了熔体温度、熔体富碘量对气泡形核临界半径的影响。结果表明:随着熔体温度升高或熔体富碘量增加,气泡长大的临界半径减小。熔体温度低于773K时,气泡长大的临界半径在0.11μm以上,且晶锭中没有气泡。这为优化晶体生长工艺奠定了理论基础。
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关键词
碘化铅单晶体
上升法
U型坩埚
气泡
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Keywords
lead iodide crystal
ascending method
U-type ampoule
bubble
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分类号
O642.4
[理学—物理化学]
O782
[理学—晶体学]
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