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题名高效背结异质结太阳电池硼掺杂非晶硅发射极研究
被引量：1
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作者
宿世超
赵晓霞
田宏波
王伟
宗军
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机构
国家电投集团新能源科技有限公司
国家电投集团科学技术研究院有限公司
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出处
《人工晶体学报》
北大核心
2024年第1期132-137,共6页
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基金
北京市科技计划课题(Z201100004520003)。
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文摘
晶硅/非晶硅异质结(HJT)太阳电池由于具有高开压、高转换效率和低温度系数等优点而备受关注,其中硼掺杂p型非晶硅(p-a-Si∶H)发射极是高转换效率电池中不可忽视的重要部分,改变其硼掺杂浓度,可以调节p-layer薄膜的电学特性,从而直接影响电池转换效率。本文采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备制备HJT太阳电池,通过改变B_(2)H_(6)的掺杂浓度,对电池中p-a-Si∶H层进行优化,使HJT电池获得0.75%的相对效率提升。进一步地,将发射极设置为梯度掺杂的双层结构,经过优化,少子寿命(@Δn=5×10^(15)cm^(-3))和隐开路电压(@1-Sun)分别提升400μs和3 mV,最终具有梯度掺杂发射极的电池其平均效率相对提升2.03%,主要表现为FF和Voc的明显增加,实现了高效HJT电池p型发射极的工艺优化。
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关键词
HJT太阳电池
硼掺杂非晶硅发射极
暗电导率
掺杂浓度
梯度掺杂
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Keywords
HJT solar cell
boron-doped amorphous silicon emitter
dark conductivity
doping concentration
gradient doping
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分类号
TM914.4
[电气工程—电力电子与电力传动]
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