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硼掺杂金刚石薄膜电化学氧化处理对硝基苯酚
1
作者 江晶 崔兆伦 +1 位作者 张楚燕 黄楠 《工业水处理》 北大核心 2025年第3期157-164,共8页
对硝基苯酚废水具有高化学需氧量(COD)、生物危害性和难降解性等特点,采用传统方法难以高效处理。利用硼掺杂金刚石(BDD)薄膜电化学氧化法降解对硝基苯酚。考察了电流密度、溶液流量和对硝基苯酚初始质量浓度对对硝基苯酚降解效果的影响... 对硝基苯酚废水具有高化学需氧量(COD)、生物危害性和难降解性等特点,采用传统方法难以高效处理。利用硼掺杂金刚石(BDD)薄膜电化学氧化法降解对硝基苯酚。考察了电流密度、溶液流量和对硝基苯酚初始质量浓度对对硝基苯酚降解效果的影响,发现随着电流密度、溶液流量增大,对硝基苯酚去除率增加;而随着对硝基苯酚初始质量浓度增加,对硝基苯酚去除率反而减小。利用叔丁醇和甲醇作猝灭剂验证羟基自由基(·OH)和硫酸根自由基(SO_(4)·-)的活性作用,发现添加叔丁醇和甲醇猝灭剂后,对硝基苯酚去除率从99.5%下降至76.2%和56.2%。利用液相色谱-质谱联用仪(LC-MS)对不同初始质量浓度对硝基苯酚降解过程的中间产物进行了检测,确定降解路径主要由·OH取代硝基并加成直至不稳定裂环。通过检测对硝基苯酚降解过程中COD的变化,计算电流效率和能耗,分析BDD薄膜电极电化学氧化处理对硝基苯酚的经济性,并提出未来的研究方向。 展开更多
关键词 硼掺杂金刚石 电化学 水处理 对硝基苯酚
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硼掺杂浓度对金刚石薄膜电化学高级氧化性能的影响:基于[Fe(CN)_(6)]^(3-/4-)探针的研究
2
作者 郑子文 翟朝峰 +3 位作者 张楚燕 胡天文 姜辛 黄楠 《中国表面工程》 北大核心 2025年第2期255-267,共13页
硼掺杂金刚石(BDD)薄膜作为电化学高级氧化降解有机污染物的电极材料,在环境保护领域具有重要的应用价值。硼掺杂浓度是影响性能的重要因素,然而直接建立硼掺杂浓度与BDD薄膜电化学高级氧化性能关系极具挑战。以热丝化学气相沉积制备的... 硼掺杂金刚石(BDD)薄膜作为电化学高级氧化降解有机污染物的电极材料,在环境保护领域具有重要的应用价值。硼掺杂浓度是影响性能的重要因素,然而直接建立硼掺杂浓度与BDD薄膜电化学高级氧化性能关系极具挑战。以热丝化学气相沉积制备的不同硼掺杂浓度的10.16 cm(4英寸)BDD薄膜为研究对象,利用[Fe(CN)_(6)]^(3-/4-)氧化还原对研究BDD薄膜电化学性质,并结合电化学高级氧化降解四环素的试验结果,建立BDD薄膜电化学性质和降解性能之间的联系。研究结果表明,BDD薄膜对四环素的降解能力与电化学活性面积(ECSA)、异质电子转移动力学性质(异质电子转移常数k_(0)和电子转移电阻R_(ct))遵从相同的变化规律:BDD_(4000)>BDD_(6800)>BDD_(4700)>BDD_(3000)。在适中的硼掺杂浓度4000 ppm(10-6)条件下,BDD_(4000)薄膜由高电化学活性的金刚石(111)面和良好化学吸附能力的纳米晶金刚石构成,因而具有高k_(0)(1.95×10^(-2)cm·s^(-1))、低R_(ct)(126.6Ω)和高ECSA。这将促进BDD薄膜高效地产生羟基自由基(·OH),从而高效率降解四环素。研究结果表明,开展BDD薄膜在[Fe(CN)_(6)]^(3-/4-)中电化学性质测量,能够为迅速、简便地评估BDD薄膜电化学高级氧化性能提供参考,对选择高性能的电极材料并进一步推动其在环境保护领域的应用具有积极作用。 展开更多
关键词 热丝化学气相沉积 硼掺杂金刚石 电化学性质 异质电子转移动力学性质 电化学高级氧化
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掺硼金刚石电极电化学氧化有机物的研究进展
3
作者 李鹏 孙海铭 +2 位作者 赵劲飞 廖结安 杨丙辉 《现代化工》 北大核心 2025年第8期50-55,61,共7页
详细介绍了BDD电极的结构特征、电化学氧化机理,以及其在处理有机污染物中的应用。最后分析了BDD电极在实际应用中面临的挑战,展望了BDD电极在环境治理中的应用前景,指出了未来研究方向,包括进一步优化电极性能、降低成本,以及探索新型... 详细介绍了BDD电极的结构特征、电化学氧化机理,以及其在处理有机污染物中的应用。最后分析了BDD电极在实际应用中面临的挑战,展望了BDD电极在环境治理中的应用前景,指出了未来研究方向,包括进一步优化电极性能、降低成本,以及探索新型复合系统以提高处理效率。 展开更多
关键词 掺硼金刚石(bdd)电极 阳极材料 电化学高级氧化 有机物氧化 工艺耦合
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直流电弧等离子体喷射CVD硼掺杂金刚石薄膜的制备及电化学性能研究 被引量：4
4
作者 张聪聪 戴玮 +3 位作者 朱宁 尹振超 吴小国 曲长庆 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第5期1205-1210,共6页
采用直流电弧等离子体喷射CVD(Chemical Vapor Deposition)法在硅(100)衬底上制备了(111)占优的掺硼金刚石(BDD)薄膜,研究了压强对薄膜生长的影响,在压强为5500 Pa时得到了(100)占优的金刚石薄膜,并用SEM、XRD及拉曼光谱分析了薄膜的表... 采用直流电弧等离子体喷射CVD(Chemical Vapor Deposition)法在硅(100)衬底上制备了(111)占优的掺硼金刚石(BDD)薄膜,研究了压强对薄膜生长的影响,在压强为5500 Pa时得到了(100)占优的金刚石薄膜,并用SEM、XRD及拉曼光谱分析了薄膜的表面形貌、晶体结构、薄膜品质。测试结果表明,掺硼金刚石膜具有较好的成膜质量。霍尔测试表明BDD的电阻率为0.0095Ω.cm,载流子浓度为1.1×1020cm-3;研究了BDD薄膜电极在硫酸钠空白底液、铁氰化钾/亚铁氰化钾溶液和多巴胺溶液中的循环伏安曲线(CVs),发现该金刚石薄膜电极在硫酸钠中具有较宽的电化学窗口(约为4 V)、接近零的背景电流和良好的可逆性,利用BDD电极检测多巴胺溶液,具有明显的氧化还原峰值和较好的稳定性。结果表明利用该方法制备的BDD电极在电化学检测方面具有明显的优势。 展开更多
关键词 直流电弧等离子喷射CVD 硼掺杂金刚石(bdd) 循环伏安法 多巴胺
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阿昔洛韦在硼掺杂金刚石电极上的电化学行为及其与DNA相互作用的研究 被引量：10
5
作者 周艳丽 申菲菲 +2 位作者 杨志冲 李玲芳 徐茂田 《分析测试学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第10期1148-1152,共5页
利用硼掺杂金刚石(BDD)电极通过循环伏安法和微分脉冲伏安法研究了阿昔洛韦在0.10 mol/L磷酸盐缓冲溶液(pH 7.4)中的电化学行为及其与DNA的相互作用。与玻碳电极相比,阿昔洛韦在BDD电极上的循环伏安曲线在1.17 V处的氧化峰电流更大,背... 利用硼掺杂金刚石(BDD)电极通过循环伏安法和微分脉冲伏安法研究了阿昔洛韦在0.10 mol/L磷酸盐缓冲溶液(pH 7.4)中的电化学行为及其与DNA的相互作用。与玻碳电极相比,阿昔洛韦在BDD电极上的循环伏安曲线在1.17 V处的氧化峰电流更大,背景电流较低。根据峰电位随溶液pH值和扫描速率的变化趋势考察了阿昔洛韦的电化学氧化机理,认为阿昔洛韦在BDD电极上的电化学氧化过程有2个电子和2个质子参与。对不同比例阿昔洛韦和DNA相互作用的研究表明,两者的相互作用模式为插入模式,结合位点数为1.07,结合常数为4.47×106,并通过阿昔洛韦与同浓度单、双链DNA的相互作用得到验证。 展开更多
关键词 硼掺杂金刚石电极 阿昔洛韦 DNA 相互作用
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硼掺杂金刚石薄膜电极降解青霉素G钠废水机制 被引量：8
6
作者 曲有鹏 吕江维 +1 位作者 冯玉杰 张杰 《哈尔滨工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第6期119-125,共7页
针对抗生素废水中青霉素类物质难于生化降解的问题,采用直流等离子体化学气相沉积方法制备硼掺杂金刚石(boron-doped diamond, BDD)薄膜电极,以典型的青霉素G钠为目标污染物,对BDD电极降解青霉素的规律及降解历程进行研究.结果表明,不... 针对抗生素废水中青霉素类物质难于生化降解的问题,采用直流等离子体化学气相沉积方法制备硼掺杂金刚石(boron-doped diamond, BDD)薄膜电极,以典型的青霉素G钠为目标污染物,对BDD电极降解青霉素的规律及降解历程进行研究.结果表明,不同质量浓度的青霉素G钠在电极上均能够被完全降解,发生电化学燃烧.青霉素G钠和化学需氧量(chemical oxygen demand, COD)的降解符合一级反应动力学,电流密度从10 mA/cm^2提高到20 mA/cm^2时,青霉素G钠和COD的反应速率常数分别增加了51.3%和29.1%.BDD电极上青霉素G钠的降解主要受液相传质过程控制,电流效率(current efficiency,EC)与青霉素G钠的质量浓度和电流密度有关.得到了青霉素G钠在BDD电极上的降解历程,主要的中间产物有青霉酸、异构青霉酸、青霉烯酸和青霉噻唑酸. 展开更多
关键词 硼掺杂金刚石 电催化电极 电化学降解 抗生素废水 青霉素
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硼掺杂金刚石膜电极电氧化降解对氯苯酚废水 被引量：8
7
作者 高云芳 李建伟 +1 位作者 陈新国 赵锋 《高校化学工程学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期1052-1058,共7页
采用循环伏安法研究了中性介质中对氯苯酚在硼掺杂金刚石(BDD)膜电极上的电氧化行为。提出了一种以BDD膜电极为阳极的电化学氧化降解对氯苯酚废水的新工艺,考察了阳极电流密度、对氯苯酚初始浓度、电解液初始pH、支持电解质浓度等工艺... 采用循环伏安法研究了中性介质中对氯苯酚在硼掺杂金刚石(BDD)膜电极上的电氧化行为。提出了一种以BDD膜电极为阳极的电化学氧化降解对氯苯酚废水的新工艺,考察了阳极电流密度、对氯苯酚初始浓度、电解液初始pH、支持电解质浓度等工艺因素对电氧化降解效果的影响。结果表明:在阳极极化电位为1.4～1.6V(vs.SCE)时,对氯苯酚在BDD膜电极表面发生直接电氧化反应,生成易吸附的中间产物,导致电极活性降低;在阳极极化电位高于2.0V(vs.SCE)时,BDD膜电极能够良好地电氧化降解对氯苯酚溶液,该过程是通过直接电氧化过程与间接电氧化过程联合作用实现的。通过考察若干工艺因素对对氯苯酚电氧化降解效果的影响发现,较为理想的工艺参数组合为,阳极电流密度60mA·cm-2、支持电解质浓度10g·L-1、对氯苯酚初始浓度10mmol·L-1、电解液初始pH7。在该工艺条件下,COD去除率达到96.1%,平均电流效率为50.2%。高效液相色谱证实了BDD膜电极能有效地电氧化降解对氯苯酚。 展开更多
关键词 硼掺杂金刚石薄膜电极 对氯苯酚 电氧化 降解 废水
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硼掺杂对直流热阴极CVD金刚石薄膜生长特性的影响 被引量：4
8
作者 吕江维 冯玉杰 +1 位作者 彭鸿雁 陈玉强 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期607-611,共5页
采用直流热阴极CVD法以B(OCH3)3为掺杂剂制备了硼掺杂金刚石薄膜,利用等离子体发射光谱、SEM、Ram an和XRD研究了硼掺杂对金刚石薄膜生长特性的影响,通过与未掺杂金刚石薄膜的对比发现:在直流热阴极CVD系统中,低浓度硼掺杂条件下能够长... 采用直流热阴极CVD法以B(OCH3)3为掺杂剂制备了硼掺杂金刚石薄膜,利用等离子体发射光谱、SEM、Ram an和XRD研究了硼掺杂对金刚石薄膜生长特性的影响,通过与未掺杂金刚石薄膜的对比发现:在直流热阴极CVD系统中,低浓度硼掺杂条件下能够长时间维持稳定的辉光放电.掺硼后辉光等离子体活性基团(Hα、Hβ、C2、CH)的种类没有改变,但C2基团的浓度升高,而CH基团的浓度下降,薄膜的生长速率提高到0.65mg.cm-2.h-1.硼掺杂金刚石薄膜为多晶薄膜,晶体生长良好,取向以(111)晶面为主,质量较未掺杂薄膜有所提高.硼原子以取代或填隙的方式掺杂进入金刚石晶格,没有破坏金刚石晶体结构. 展开更多
关键词 金刚石 直流热阴极 化学气相沉积 硼掺杂
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硼硫共掺杂金刚石薄膜的研究 被引量：2
9
作者 李荣斌 胡晓君 +1 位作者 沈荷生 何贤昶 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期49-51,54,共4页
　利用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术,以丙酮为碳源,用二甲基二硫和三氧化二硼作掺杂源,在硅衬底上制备了硼与硫共掺杂的金刚石薄膜。用俄歇谱分析金刚石薄膜中硫的含量,用傅里叶红外光谱(FTIR)分析了薄膜表面键结构,用扫描电子... 　利用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术,以丙酮为碳源,用二甲基二硫和三氧化二硼作掺杂源,在硅衬底上制备了硼与硫共掺杂的金刚石薄膜。用俄歇谱分析金刚石薄膜中硫的含量,用傅里叶红外光谱(FTIR)分析了薄膜表面键结构,用扫描电子显微镜(SEM)观测薄膜的表面形貌,X射线衍射(XRD)和喇曼(Raman)光谱表征膜层的结构。结果表明:微量硼的加入促进硫在金刚石中的固溶度,使硫在金刚石中的掺杂率提高了近50%;随着薄膜中硫含量的增加,薄膜的导电性增加,当薄膜中硫含量达到0.15%(原子分数)时其导电激活能为0.39eV。 展开更多
关键词 金刚石薄膜 硼 硫 掺杂 MPCVD
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硼掺杂金刚石薄膜电极上二氯酚的电化学阻抗谱研究 被引量：3
10
作者 吕江维 曲有鹏 +1 位作者 冯玉杰 刘峻峰 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第1期142-148,共7页
以2,4-二氯酚(2,4-DCP)和2,6-二氯酚(2,6-DCP)为模型污染物,采用循环伏安法和电化学阻抗谱研究了硼掺杂金刚石(BDD)电极上2种氯酚的电催化氧化过程.结果表明,2,4-DCP和2,6-DCP的氧化电位分别为1.55和1.62 V.等效电路拟合结果表明,当极... 以2,4-二氯酚(2,4-DCP)和2,6-二氯酚(2,6-DCP)为模型污染物,采用循环伏安法和电化学阻抗谱研究了硼掺杂金刚石(BDD)电极上2种氯酚的电催化氧化过程.结果表明,2,4-DCP和2,6-DCP的氧化电位分别为1.55和1.62 V.等效电路拟合结果表明,当极化电位由开路电位提高至1.5 V时,2种氯酚的电荷转移电阻均有明显下降,反应控制步骤为扩散控制步骤.与2,6-DCP相比,2,4-DCP在BDD电极上更容易发生直接电化学氧化. 展开更多
关键词 硼掺杂金刚石 循环伏安 电化学阻抗谱 二氯酚 电催化
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硼掺杂金刚石薄膜电极电催化降解双酚A 被引量：2
11
作者 吕江维 冯玉杰 +2 位作者 曲有鹏 刘峻峰 崔福义 《哈尔滨工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第12期32-37,共6页
针对水环境中环境激素双酚A(bisphenol A,BPA)的污染,采用直流等离子体化学气相沉积方法制备了硼掺杂金刚石(boron-doped diamond,BDD)薄膜电极,利用高效液相色谱法和液相色谱质谱联用的方法,对BPA在BDD电极上的降解规律及降解历程进行... 针对水环境中环境激素双酚A(bisphenol A,BPA)的污染,采用直流等离子体化学气相沉积方法制备了硼掺杂金刚石(boron-doped diamond,BDD)薄膜电极,利用高效液相色谱法和液相色谱质谱联用的方法,对BPA在BDD电极上的降解规律及降解历程进行研究.结果表明:不同初始质量浓度的BPA在电极上均能被完全降解,降解规律符合准一级反应动力学,初始质量浓度100和10 mg·L-1时的表观反应速率常数分别为0.494和0.700 h-1;电流密度从10 mA·cm-2提高到40 mA·cm-2时,表观反应速率常数增大50.61%,去除率提高11.26%.BPA的降解过程检测到7种中间产物,降解主要分为两个途径:一是BPA的一侧苯环先开环降解,最后完全矿化;二是BPA的两个苯环同时开环,然后逐级降解直至矿化. 展开更多
关键词 硼掺杂金刚石 电催化 电极 双酚A 电化学降解
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硼掺杂金刚石薄膜电极的制备及电化学行为研究 被引量：4
12
作者 吕江维 贾文婷 +5 位作者 魏亚青 王鑫 赵有成 华萌茁 陆勤怡 崔闻宇 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2018年第8期158-161,共4页
硼掺杂金刚石薄膜(BDD)电极具有良好的电化学性能,是一种理想的电极材料。采用扫描电子显微镜、X射线衍射、拉曼光谱对制得的BDD电极的结构进行了表征。电极表面薄膜生长致密,晶体生长取向以(111)晶面为主,生长速率为2.8μm/h,晶格常数... 硼掺杂金刚石薄膜(BDD)电极具有良好的电化学性能,是一种理想的电极材料。采用扫描电子显微镜、X射线衍射、拉曼光谱对制得的BDD电极的结构进行了表征。电极表面薄膜生长致密,晶体生长取向以(111)晶面为主,生长速率为2.8μm/h,晶格常数为3.5738。利用循环伏安法(CV)研究了BDD电极在铁氰化钾/亚铁氰化钾体系中氧化还原反应的可逆性和动力学特征。研究结果表明,在铁氰化钾/亚铁氰化钾的浓度为20mmol/L条件下,BDD电极的氧化还原峰电势差达到205.75mV,在溶液中电极的氧化还原反应属于准可逆反应,氧化峰电流与反应物浓度成正比,电极过程动力学是受扩散控制为主。 展开更多
关键词 硼掺杂金刚石 循环伏安 铁氰化钾/亚铁氰化钾 电化学 氧化还原反应
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硼掺杂金刚石膜电极电催化降解环己酮废水 被引量：2
13
作者 高云芳 陈钟全 +1 位作者 马淳安 李美超 《化工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期1534-1539,共6页
采用循环伏安法、稳态极化法等对硼掺杂金刚石薄膜电极的电化学性能及电氧化降解含环己酮模拟废水的电极过程进行了研究,考察了电流密度、支持电解质浓度、起始环己酮浓度和pH值等因素对硼掺杂金刚石薄膜电极电氧化降解含环己酮模拟废... 采用循环伏安法、稳态极化法等对硼掺杂金刚石薄膜电极的电化学性能及电氧化降解含环己酮模拟废水的电极过程进行了研究,考察了电流密度、支持电解质浓度、起始环己酮浓度和pH值等因素对硼掺杂金刚石薄膜电极电氧化降解含环己酮模拟废水效果的影响。实验结果表明,硼掺杂金刚石薄膜电极能够对环己酮进行有效且稳定的降解,通过正交优化实验,得到较优工艺条件为阳极电流密度为5 mA.cm-2,pH值为7,Na2SO4浓度为10 g.L-1,起始环己酮浓度为20 mmol.L-1,在该条件下COD去除率达92.95%,电流效率达80.81%,降解效果显著。 展开更多
关键词 硼掺杂金刚石薄膜电极 环己酮 电催化 氧化降解
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硼掺杂金刚石薄膜电极上水杨酸的电化学行为 被引量：2
14
作者 吕江维 曲有鹏 +2 位作者 田家宇 高珊珊 刘峻峰 《应用化工》 CAS CSCD 北大核心 2016年第11期2034-2038,共5页
硼掺杂金刚石(BDD)薄膜电极是用于电化学分析中的理想电极材料。以水杨酸(SA)为目标物,利用循环伏安法(CV)和电化学阻抗谱(EIS)对BDD电极上SA的电化学行为进行了研究。结果发现,SA的电化学过程有两个氧化峰,没有还原峰,氧化还原反应为... 硼掺杂金刚石(BDD)薄膜电极是用于电化学分析中的理想电极材料。以水杨酸(SA)为目标物,利用循环伏安法(CV)和电化学阻抗谱(EIS)对BDD电极上SA的电化学行为进行了研究。结果发现,SA的电化学过程有两个氧化峰,没有还原峰,氧化还原反应为不可逆反应。在低电势下出现的氧化峰电流正比于扫描速率的平方根,具有良好的线性关系,表明不可逆的氧化反应过程中扩散步骤为反应的控制步骤。电极/溶液界面的结构可以用R(QR)的等效电路拟合,当电极电位从开路电位(OCP)提高到2.5 V时,电荷转移电阻Rct从5.137×105Ω·cm2降低到4.171×102Ω·cm2,说明电极电位的增加能够加快氧化反应的进行,可以提高电催化反应速率大小。 展开更多
关键词 硼掺杂金刚石 循环伏安 电化学阻抗谱 水杨酸 电化学行为
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高质量硼掺杂单晶金刚石同质外延及电学性质研究 被引量：1
15
作者 王若铮 闫秀良 +3 位作者 彭博 林芳 魏强 王宏兴 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第5期893-900,共8页
突破高质量、高效金刚石掺杂技术是实现高性能金刚石功率电子器件的前提。本文利用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法,以三甲基硼为掺杂源,制备出表面粗糙度0.35 nm,XRD(004)摇摆曲线半峰全宽28.4 arcsec,拉曼光谱半峰全宽3.05 cm^(-1... 突破高质量、高效金刚石掺杂技术是实现高性能金刚石功率电子器件的前提。本文利用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法,以三甲基硼为掺杂源,制备出表面粗糙度0.35 nm,XRD(004)摇摆曲线半峰全宽28.4 arcsec,拉曼光谱半峰全宽3.05 cm^(-1)的高质量硼掺杂单晶金刚石。通过改变气体组分中硼元素的含量,实现了10^(16)~10^(20) cm^(-3)的p型金刚石可控掺杂工艺。随后,研究了硼碳比、生长温度、甲烷浓度等工艺条件对p型金刚石电学特性的影响,结果表明:在硼碳比20×10^(-6)、生长温度1100℃、甲烷浓度8%、腔压160 mbar(1 mbar=100 Pa)时p型金刚石迁移率达到207 cm^(2)/(V·s)。通过加氧生长可以提升硼掺杂金刚石结晶质量,降低杂质散射。当氧气浓度为0.8%时,样品空穴迁移率提升至614 cm^(2)/(V·s)。 展开更多
关键词 单晶金刚石 P型掺杂 硼掺杂 MPCVD 同质外延 硼碳比 甲烷浓度 硼氧共掺 空穴迁移率
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以新型硼源制备硼掺杂金刚石膜的性能研究 被引量：1
16
作者 王梁 江彩义 +5 位作者 郭胜惠 高冀芸 胡途 杨黎 彭金辉 张利波 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 2017年第1期7-12,共6页
采用微波等离子体化学气相沉积技术,以氧化硼-乙醇溶液作为硼源,制备不同掺硼浓度的金刚石膜。利用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、激光拉曼光谱仪、电化学工作站等研究其表面形貌、晶体结构、薄膜质量和电化学性能。结果表明:随硼元素... 采用微波等离子体化学气相沉积技术,以氧化硼-乙醇溶液作为硼源,制备不同掺硼浓度的金刚石膜。利用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、激光拉曼光谱仪、电化学工作站等研究其表面形貌、晶体结构、薄膜质量和电化学性能。结果表明:随硼元素含量升高,金刚石膜的晶体颗粒尺寸先减小后增大,电势窗口由3.1V降至2.6V,阳极电流密度由0.022 7mA·cm^(-2)降至0.011 9mA·cm^(-2),但对背景电流及电化学可逆性几乎不影响。 展开更多
关键词 硼掺杂 金刚石膜 电化学性能
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对乙酰氨基酚在硼掺杂金刚石薄膜电极上的电化学行为及测定 被引量：1
17
作者 吕江维 孙晗 +2 位作者 崔闻宇 贾文婷 梁爽 《应用化工》 CAS CSCD 北大核心 2017年第11期2271-2274,2286,共5页
硼掺杂金刚石(BDD)薄膜电极是用于电化学分析的理想电极材料。采用循环伏安法研究了BDD电极上对乙酰氨基酚的电化学行为。研究发现,对乙酰氨基酚的氧化反应为不可逆电氧化反应,氧化峰电流与扫描速率的平方根成正比,受扩散控制。通过优... 硼掺杂金刚石(BDD)薄膜电极是用于电化学分析的理想电极材料。采用循环伏安法研究了BDD电极上对乙酰氨基酚的电化学行为。研究发现,对乙酰氨基酚的氧化反应为不可逆电氧化反应,氧化峰电流与扫描速率的平方根成正比,受扩散控制。通过优化循环伏安测试参数建立了BDD电极上对乙酰氨基酚的测定方法,优化后测试参数为扫描速率10 mV/s,电压扫描范围为-1.0~2.0 V(vs.Ag/AgCl),扫描1次,扫描步长2.44 mV,得到氧化峰电流值与对乙酰氨基酚浓度在10.0~500.0 mg/L范围内呈线性关系,线性回归曲线为Y=1.279 34×10~6X+5.696 73,r=0.999 79。对本测定方法进行了精密度、稳定性和回收率的方法学考察,测定结果令人满意。 展开更多
关键词 硼掺杂金刚石薄膜 循环伏安 对乙酰氨基酚 电化学行为 电化学氧化
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HFCVD硼掺杂复合金刚石薄膜的机械性能研究 被引量：1
18
作者 王新昶 申笑天 +1 位作者 孙方宏 沈彬 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 2015年第6期8-13,18,共7页
综合不同种类单层金刚石薄膜的典型优点制备的复合金刚石薄膜具有优异的综合性能,本研究对比了UMCD、BDMCD、UFGD和两类新型硼掺杂复合金刚石薄膜的机械性能。研究结果表明:硼掺杂技术可有效改善金刚石薄膜的附着性能,因此BDM-UMCD和BDM... 综合不同种类单层金刚石薄膜的典型优点制备的复合金刚石薄膜具有优异的综合性能,本研究对比了UMCD、BDMCD、UFGD和两类新型硼掺杂复合金刚石薄膜的机械性能。研究结果表明:硼掺杂技术可有效改善金刚石薄膜的附着性能,因此BDM-UMCD和BDM-UM-UFGCD薄膜均具有较好的附着性能;表层为UMCD薄膜的BDM-UMCD薄膜(84.354GPa)具有UMCD薄膜(82.058GPa)表面硬度极高的优点,但是表面粗糙度较高(Ra304.41nm)、表面可抛光性较差;相比之下,表层为UFGD薄膜的BDM-UM-UFGCD薄膜则具有UFGD薄膜优异的表面光洁度(Ra104.71nm)和表面可抛光性,此外由于硬度极高的中间层UMCD对于表层硬度的补充作用,该复合薄膜还具有相比于单层UFGD薄膜(67.925GPa)而言较高的表面硬度(72.657GPa)。 展开更多
关键词 HFCVD 硼掺杂 金刚石薄膜 机械性能
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酪氨酸酶在硼掺杂金刚石薄膜电极上的固定及酚类化合物的检测 被引量：2
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作者 周艳丽 只金芳 《电化学》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期214-217,共4页
以硼掺杂金刚石(boron-doped d iamond,BDD)薄膜作基底,利用光化学反应将含有碳碳双键的烯丙胺化合物修饰在BDD表面,形成氨基单分子层,再经过酰胺键的连接使酪氨酸酶固定在氨基化的金刚石表面,从而制得酪氨酸酶修饰的电极.应用循环伏安... 以硼掺杂金刚石(boron-doped d iamond,BDD)薄膜作基底,利用光化学反应将含有碳碳双键的烯丙胺化合物修饰在BDD表面,形成氨基单分子层,再经过酰胺键的连接使酪氨酸酶固定在氨基化的金刚石表面,从而制得酪氨酸酶修饰的电极.应用循环伏安法研究该电极用于酚类化合物(包括苯酚、对甲基苯酚和对苯二酚等)检测的灵敏度、线性范围及其稳定性. 展开更多
关键词 硼掺杂金刚石薄膜 烯丙胺 酪氨酸酶 酚类化合物
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硼掺杂金刚石纳米棒电极对比阿培南的电化学检测研究
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作者 钟萍 罗代兵 +1 位作者 任雁 只金芳 《化学研究与应用》 CAS CSCD 北大核心 2011年第9期1246-1249,共4页
在自制的硅纳米线上采用热丝化学气相沉积方法制备了硼掺杂金刚石纳米棒电极。采用循环伏安及计时电流方法测定了在磷酸缓冲溶液中的药物比阿培南的浓度,灵敏度达到0.038μAμM-1较相同条件下制备得到的普通硼掺杂金刚石电极(0.028μAμ... 在自制的硅纳米线上采用热丝化学气相沉积方法制备了硼掺杂金刚石纳米棒电极。采用循环伏安及计时电流方法测定了在磷酸缓冲溶液中的药物比阿培南的浓度,灵敏度达到0.038μAμM-1较相同条件下制备得到的普通硼掺杂金刚石电极(0.028μAμM-1)相比有所提高。该纳米棒电极由于特殊的表面形貌,较普通硼掺杂金刚石电极表现出更优异的电化学检测性能。 展开更多
关键词 电化学 硼掺杂金刚石纳米棒 比阿培南
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