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CuSt_(2)@F_(2314)双层包覆硝酸钾及其对B基点火药性能的协同作用
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作者 李浩 宫正 +1 位作者 任勇 孙杰 《含能材料》 北大核心 2025年第7期793-805,共13页
为解决硝酸钾(KNO_(3))吸湿导致的硼/硝酸钾点火药贮存性能下降问题,研究提出一种基于原位反应与溶剂⁃反溶剂法的双层包覆改性策略。首先,通过硬脂酸与醋酸铜原位反应在KNO_(3)表面构建硬脂酸铜(CuSt_(2))包覆层,其次,采用溶剂⁃反溶剂法... 为解决硝酸钾(KNO_(3))吸湿导致的硼/硝酸钾点火药贮存性能下降问题,研究提出一种基于原位反应与溶剂⁃反溶剂法的双层包覆改性策略。首先,通过硬脂酸与醋酸铜原位反应在KNO_(3)表面构建硬脂酸铜(CuSt_(2))包覆层,其次,采用溶剂⁃反溶剂法在KNO_(3)@xCuSt_(2)表面包覆三氟氯乙烯⁃偏氟乙烯共聚物(F_(2314)),制备CuSt_(2)@F_(2314)双层包覆KNO_(3),最后,将双层包覆KNO_(3)和B按照质量比3∶1均匀混合,获得配方优化改进的B/KNO_(3)@xCuSt_(2)@yF_(2314)点火药,以协同调控点火药的疏水性能及反应活性。采用扫描电子显微镜、傅里叶红外光谱仪(FT⁃IR)、X射线光电子能谱仪(XPS)、电感耦合等离子体光谱仪(ICP)证实了KNO_(3)颗粒表面依次包覆了CuSt_(2)和F_(2314)。利用接触角测量仪研究了样品的疏水性,同时使用热分析仪、激光点火试验评价改性KNO_(3)对点火药热反应和燃烧性能的影响。结果表明:CuSt_(2)@F_(2314)双层包覆KNO_(3)的疏水性能优于CuSt_(2)和F_(2314)单包覆KNO_(3)的疏水性能(未包覆的KNO_(3)水接触角为0°),当CuSt_(2)和F_(2314)双包覆层比例分别为6%和2%时,制备的KNO_(3)@6%CuSt_(2)@2%F_(2314)及其硼基点火药的综合性能最优,KNO_(3)@6%CuSt_(2)@2%F_(2314)的水接触角提高至95.8°,B/KNO_(3)@6%CuSt_(2)@2%F_(2314)的放热量提高至3200.67 J·g-1,与未改性KNO_(3)和B(质量比3∶1)均匀混合获得的B/KNO_(3)点火药(2601.69 J·g-1)相比提高23%,同时热反应的起始温度降低约23℃。激光点火试验结果显示,与B/KNO_(3)点火药相比,B/KNO_(3)@6%CuSt_(2)@2%F_(2314)点火药的点火延迟时间短,火焰稳定,具有良好的激光点火性能。本研究通过KNO_(3)表面双包覆层的构筑,实现了B/KNO_(3)@6%CuSt_(2)@2%F_(2314)点火药疏水性能与反应活性的协同增强。 展开更多
关键词 硼/硝酸钾点火药 双层包覆 硬脂酸铜(CuSt_(2)) 三氟氯乙烯⁃偏氟乙烯共聚物(F_(2314)) 疏水性
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某型延时起爆装置延期时间影响因素的研究 被引量:2
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作者 时家俊 《爆破器材》 CAS 北大核心 2020年第4期33-38,共6页
为实现某型延时起爆装置预定的延期时间,选用点火药硼/硝酸钾作为毫秒级延期药,通过对延期药原材料及装药结构的分析,尽可能地控制延期时间精度。主要针对延期药的原材料、装药密度、壳体材料、装药结构以及装药条件等对延期时间影响的... 为实现某型延时起爆装置预定的延期时间,选用点火药硼/硝酸钾作为毫秒级延期药,通过对延期药原材料及装药结构的分析,尽可能地控制延期时间精度。主要针对延期药的原材料、装药密度、壳体材料、装药结构以及装药条件等对延期时间影响的机理及试验对比进行分析。经研究发现,延期药的延期时间和延期精度受诸多因素影响,一般来说药剂粒度适中且颗粒均匀,或提高装药压力,延期时间精度较高。其他因素(如装药壳体、装药结构、环境条件等)在不同程度上对延期时间精度也有影响,减少这些因素的影响对提高延期时间精度是十分必要的。 展开更多
关键词 硼/硝酸钾点火药 延期药 延期时间 延期精度
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基于MOS控制晶闸管的高压电容放电特性 被引量:9
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作者 覃新 朱朋 +3 位作者 徐聪 杨智 张秋 沈瑞琪 《含能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第5期417-425,I0006,共10页
为了研究国产金属氧化物半导体(MOS)控制晶闸管(Metal?Oxide?Semiconductor controlled thyristor,MCT)与高压陶瓷电容组成的电容放电单元(Capacitor Discharge Unit,CDU)的放电特性,设计制备出体积为40 mm(L)×25 mm(W)×8 mm... 为了研究国产金属氧化物半导体(MOS)控制晶闸管(Metal?Oxide?Semiconductor controlled thyristor,MCT)与高压陶瓷电容组成的电容放电单元(Capacitor Discharge Unit,CDU)的放电特性,设计制备出体积为40 mm(L)×25 mm(W)×8 mm(H)的CDU,其回路电感约10 nH,电阻约100 mΩ。首先分析了CDU回路的R-L-C零输入响应方程,采用CDU负载短路放电实验进行验证,研究发现随着电容值的增大,CDU的峰值电流、峰值电流上升时间、高压电容的放电时间等关键参数均增大;随着放电电压的升高,峰值电流增大,峰值电流上升时间不变。采用微型爆炸箔芯片(Cu桥箔35 mΩ)和硼/硝酸钾(Boron?Potassium Nitrate,BPN)点火药(硼粉/1.50μm,压药密度/1.57 g·cm^(-3))验证了CDU的作用效能,在0.36μF/1.20 kV下,测得回路峰值电流2.032 kA,桥箔两端电压0.9273 kV,峰值电流、电压延迟时间32.4 ns,爆发点时刻168.2 ns,爆发点功率1.490 MW,且CDU能可靠进行BPN的飞片冲击点火。结果表明,基于国产MCT和高压陶瓷电容的CDU基本适用于爆炸箔起爆器等脉冲大电流激发火工品,但其综合性能仍需改进。 展开更多
关键词 金属氧化物半导体(MOS)控制晶闸管 电容放电单元 爆炸箔起爆器 /硝酸钾(BPN)火药
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