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氧化硅/氧化铁复合磨粒用于硬盘基片的抛光研究被引量：3: 1; 作者雷红司马能 +3 位作者屠锡富布乃敬严琼林吴鑫《摩擦学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期268-272,共5页; 本文以HNO3、NaOH、Fe(NO3)3和SiO2浆料为原料,采用沉淀法制备了1种SiO2/Fe2O3复合磨粒,通过X射线衍射仪(XRD)、飞行时间二次离子质谱仪(TOF-SIMS)和扫描电子显微镜(SEM)对其结构进行表征,结果表明Fe2O3包覆到SiO2的表面,复合粒子具有... 展开更多; 关键词化学机械抛光 SiO2/Fe2O3复合磨粒硬盘基片; 在线阅读下载PDF 职称材料

计算机硬盘基片的化学机械清洗技术研究被引量：1: 2; 作者雷红司马能 +3 位作者袁国兴屠锡富布乃敬藏松涛《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第8期757-760,共4页; 目前,CMP技术对计算机硬盘基片(盘片)进行抛光,盘片表面粗糙度达到原子级平整,抛光后表面的清洗质量直接关系到CMP最终技术水平的高低。采用静态浸泡实验以及浸泡、擦洗、超声清洗实验,结合一系列的表面微观分析,研究了盘片CMP后清洗过... 展开更多; 关键词化学机械抛光化学机械清洗硬盘基片原子级平整腐蚀; 在线阅读下载PDF 职称材料

计算机硬盘基片CMP中表面膜特性的分析研究被引量：2: 3; 作者雷红《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2009年第2期206-212,共7页; 目前,普遍采用化学机械抛光(Chemical-mechanical polishing,CMP)技术对计算机硬盘基片(盘片)表面进行原子级平整。CMP加工中,盘片表面膜及其特性对CMP过程及CMP性能具有关键作用。本文分别采用俄歇能谱(AES)、X射线光电子能谱(XPS)、... 展开更多; 关键词硬盘基片化学机械抛光(CMP) 氧化膜; 在线阅读下载PDF 职称材料

颗粒等抛光液组分对硬盘盘基片抛光的影响被引量：4: 4; 作者孙家振潘国顺 +3 位作者朱永华戴媛静雒建斌李维民《润滑与密封》 CAS CSCD 北大核心 2007年第11期1-4,30,共5页; 硬盘盘基片粗抛光必须在较高材料去除率的基础上获得高表面质量。分别用合成法和粉碎法制得的α-A l2O3颗粒做了抛光实验,并分析了抛光液中氧化剂、络合剂含量和抛光液pH值对材料去除率的影响机制。结果表明：用合成法制得的颗粒抛光后... 展开更多; 关键词硬盘基片化学机械抛光材料去除率; 在线阅读下载PDF 职称材料

超细氧化铝抛光液的制备及其抛光特性研究被引量：14: 5; 作者雷红褚于良 +3 位作者屠锡富丘海能方亮罗桂海《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第9期1425-1428,共4页; 化学机械抛光(CMP)技术广泛用于表面的超精加工,抛光液是CMP技术中的关键要素。本文制备了一种超细Al2O3抛光液,采用激光粒度仪、扫描电镜等对其进行了表征。进而研究了其在镍磷敷镀的硬盘基片CMP中的抛光特性。结果表明抛光液中Al2O3... 展开更多; 关键词化学机械抛光(CMP) 硬盘基片超细Al2O3粒子抛光液; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名氧化硅/氧化铁复合磨粒用于硬盘基片的抛光研究被引量：3: 1; 作者雷红司马能屠锡富布乃敬严琼林吴鑫; 机构上海大学纳米科学与技术研究中心深圳开发磁记录股份有限公司; 出处《摩擦学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期268-272,共5页; 基金国家自然科学基金(60773080 90923016) +1 种基金上海市教育委员会重点学科建设项目(J50102)的资助; 文摘本文以HNO3、NaOH、Fe(NO3)3和SiO2浆料为原料,采用沉淀法制备了1种SiO2/Fe2O3复合磨粒,通过X射线衍射仪(XRD)、飞行时间二次离子质谱仪(TOF-SIMS)和扫描电子显微镜(SEM)对其结构进行表征,结果表明Fe2O3包覆到SiO2的表面,复合粒子具有很好的分散性.用UNIPOL-1502抛光机研究了所制备复合磨粒在镍磷敷镀的硬盘基片中的抛光性能,抛光后硬盘基片的表面粗糙度Ra由抛光前的8.87nm降至3.73nm;抛光后表面形貌的显微镜观测结果表明新制备的复合磨粒表现出较好的抛光性能.; 关键词化学机械抛光 SiO2/Fe2O3复合磨粒硬盘基片; Keywords chemical-mechanical polishing（CMP） SiO2/Fe2O3 composite abrasive hard disk substrate; 分类号 TH117.3 [机械工程—机械设计及理论]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名计算机硬盘基片的化学机械清洗技术研究被引量：1: 2; 作者雷红司马能袁国兴屠锡富布乃敬藏松涛; 机构上海大学纳米科学与技术研究中心深圳开发磁记录股份有限公司; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第8期757-760,共4页; 基金国家自然科学基金(60773080 90923016) 上海市教委第五期重点学科资助项目(J50102); 文摘目前,CMP技术对计算机硬盘基片(盘片)进行抛光,盘片表面粗糙度达到原子级平整,抛光后表面的清洗质量直接关系到CMP最终技术水平的高低。采用静态浸泡实验以及浸泡、擦洗、超声清洗实验,结合一系列的表面微观分析,研究了盘片CMP后清洗过程中的化学作用、机械作用以及清洗剂、清洗方式等物理化学要素对CMP后清洗效果的影响。结果表明,CMP后清洗是一种机械作用、化学作用等综合作用的过程。采用优化的清洗工艺及清洗剂,得到了低腐蚀、高洁净、平整的硬盘基片表面。; 关键词化学机械抛光化学机械清洗硬盘基片原子级平整腐蚀; Keywords chemical mechanical polishing（CMP） chemical mechanical cleaning hard disk substrate atom-scale planarization corrosion; 分类号 TN305.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名计算机硬盘基片CMP中表面膜特性的分析研究被引量：2: 3; 作者雷红; 机构上海大学纳米科学与技术研究中心; 出处《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2009年第2期206-212,共7页; 基金国家自然科学基金(No.50575131 60773080) +2 种基金上海市教育委员会科研创新项目(No.09ZZ86)资助; 文摘目前,普遍采用化学机械抛光(Chemical-mechanical polishing,CMP)技术对计算机硬盘基片(盘片)表面进行原子级平整。CMP加工中,盘片表面膜及其特性对CMP过程及CMP性能具有关键作用。本文分别采用俄歇能谱(AES)、X射线光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)、纳米硬度计、电化学极化法等分析手段对盘片表面物理、化学及机械特性进行了研究,发现盘片CMP后表面发生了氧化,氧化膜在盘片的表层,厚度在纳米量级,氧化产物为Ni(OH)2;氧化膜为较软的、疏松的、粗糙的多孔结构;氧化膜的存在加快了盘片表面的腐蚀磨损。结合盘片CMP试验结果,推测盘片的CMP机理为盘片表面氧化生成机械强度较低的Ni(OH)2氧化膜及随后氧化膜的机械和化学去除,二者的不断循环实现表面的全局平面化。; 关键词硬盘基片化学机械抛光(CMP) 氧化膜; Keywords hard disk substrate chemical mechanical polishing （CMP） oxidation film; 分类号 O614.813 [理学—无机化学] TG175 [金属学及工艺—金属表面处理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名颗粒等抛光液组分对硬盘盘基片抛光的影响被引量：4: 4; 作者孙家振潘国顺朱永华戴媛静雒建斌李维民; 机构清华大学摩擦学国家重点实验室深圳开发磁记录有限公司; 出处《润滑与密封》 CAS CSCD 北大核心 2007年第11期1-4,30,共5页; 基金国家自然科学基金委员会与广东省政府自然科学联合基金重点项目(U0635002) 国际科技合作计划项目(2006DFA73350) 国家973计划项目(2003CB716201); 文摘硬盘盘基片粗抛光必须在较高材料去除率的基础上获得高表面质量。分别用合成法和粉碎法制得的α-A l2O3颗粒做了抛光实验,并分析了抛光液中氧化剂、络合剂含量和抛光液pH值对材料去除率的影响机制。结果表明：用合成法制得的颗粒抛光后基片表面凹坑严重,降低抛光液配方中氧化剂的含量,虽可使表面粗糙度（Ra）和表面波纹度（Wa）大幅降低,但材料去除率也大幅下降,该颗粒不适合基片粗抛光;用粉碎法制得的颗粒抛光后基片表面划痕密集,加入一定量的减阻剂后基片Ra和Wa大幅降低,材料去除率有所降低但仍维持在较高的水平,因此减阻剂可平衡该颗粒的材料去除率和抛光表面质量;粉碎法制得的颗粒抛光液中,随氧化剂和络合剂的增加,材料去除率均呈先升后降趋势;pH值的升高会使材料去除率下降,但酸性太强会引起过腐蚀,适宜的pH在2.0-3.0之间。; 关键词硬盘基片化学机械抛光材料去除率; Keywords hard disk substrate chemical mechanical polishing material removal rate; 分类号 TH117 [机械工程—机械设计及理论]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名超细氧化铝抛光液的制备及其抛光特性研究被引量：14: 5; 作者雷红褚于良屠锡富丘海能方亮罗桂海; 机构上海大学纳米科学与技术研究中心深圳开发磁记录有限公司; 出处《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第9期1425-1428,共4页; 基金上海市纳米专项资助项目(0452nm013); 文摘化学机械抛光(CMP)技术广泛用于表面的超精加工,抛光液是CMP技术中的关键要素。本文制备了一种超细Al2O3抛光液,采用激光粒度仪、扫描电镜等对其进行了表征。进而研究了其在镍磷敷镀的硬盘基片CMP中的抛光特性。结果表明抛光液中Al2O3粒子用量、氧化剂用量均直接影响抛光后的表面质量及材料去除速率。借助对抛光后表面的原子力显微镜(AFM)、俄歇能谱以及X射线光电子能谱分析,对其CMP机理进行了推断。; 关键词化学机械抛光(CMP) 硬盘基片超细Al2O3粒子抛光液; Keywords chemical-mechanical polishing （CMP） hard disk substrate ultra-fined Al2O3 particle slurry; 分类号 TH117 [机械工程—机械设计及理论]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	氧化硅/氧化铁复合磨粒用于硬盘基片的抛光研究	雷红司马能屠锡富布乃敬严琼林吴鑫	《摩擦学学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2010	3	在线阅读下载PDF 职称材料
2	计算机硬盘基片的化学机械清洗技术研究	雷红司马能袁国兴屠锡富布乃敬藏松涛	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2010	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	计算机硬盘基片CMP中表面膜特性的分析研究	雷红	《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心	2009	2	在线阅读下载PDF 职称材料
4	颗粒等抛光液组分对硬盘盘基片抛光的影响	孙家振潘国顺朱永华戴媛静雒建斌李维民	《润滑与密封》 CAS CSCD 北大核心	2007	4	在线阅读下载PDF 职称材料
5	超细氧化铝抛光液的制备及其抛光特性研究	雷红褚于良屠锡富丘海能方亮罗桂海	《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心	2005	14	在线阅读下载PDF 职称材料