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硫酸石墨插层化合物的物性研究
被引量：
7
1
作者
朱继平
《合肥工业大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
2001年第6期1158-1162,共5页
通过在过氧化氢化学氧化法和 K Mn O4 -H2 O2 氧化法制备硫酸石墨插层化合物的基础上 ,详细讨论了其物理性质 ,如物相分析、热分析、红外谱图分析、导电性和低温比热的性质等。其中 XRD研究表明石墨的表面氧化对插层反应是必不可少的。T...
通过在过氧化氢化学氧化法和 K Mn O4 -H2 O2 氧化法制备硫酸石墨插层化合物的基础上 ,详细讨论了其物理性质 ,如物相分析、热分析、红外谱图分析、导电性和低温比热的性质等。其中 XRD研究表明石墨的表面氧化对插层反应是必不可少的。TG和 DTA分析表明过氧化氢氧化法制备产物插层反应完全。IR谱进一步确证热分析的结果。低温比热研究表明在某些温区发生相变 ,十分“类似于”纳米材料的低温比热行为。
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关键词
硫酸石墨插层化合物
物相分析
低温比热
热分析
红外谱图分析
导电性
插
层
反应
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职称材料
题名
硫酸石墨插层化合物的物性研究
被引量：
7
1
作者
朱继平
机构
合肥工业大学材料科学与工程学院
出处
《合肥工业大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
2001年第6期1158-1162,共5页
文摘
通过在过氧化氢化学氧化法和 K Mn O4 -H2 O2 氧化法制备硫酸石墨插层化合物的基础上 ,详细讨论了其物理性质 ,如物相分析、热分析、红外谱图分析、导电性和低温比热的性质等。其中 XRD研究表明石墨的表面氧化对插层反应是必不可少的。TG和 DTA分析表明过氧化氢氧化法制备产物插层反应完全。IR谱进一步确证热分析的结果。低温比热研究表明在某些温区发生相变 ,十分“类似于”纳米材料的低温比热行为。
关键词
硫酸石墨插层化合物
物相分析
低温比热
热分析
红外谱图分析
导电性
插
层
反应
Keywords
graphite hydrogen sulfate intercalation compound
XRD
low temperature specific heat
分类号
O613.71 [理学—无机化学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
硫酸石墨插层化合物的物性研究
朱继平
《合肥工业大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
2001
7
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