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基于硫蒸气处理转移的单层二硫化钼的荧光增强
1
作者
王思雨
徐颖
刘玉春
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第3期110-116,共7页
采用化学气相沉积法在SiO2/Si衬底上制备了单层MoS2,再通过300℃硫蒸气处理用聚甲基丙烯酸甲酯(Polymethyl Methacrylate,PMMA)转移下的单层MoS2.使用原子力显微镜、真空荧光检测和拉曼光谱等手段表征了样品的形貌和光致发光性能.结果表...
采用化学气相沉积法在SiO2/Si衬底上制备了单层MoS2,再通过300℃硫蒸气处理用聚甲基丙烯酸甲酯(Polymethyl Methacrylate,PMMA)转移下的单层MoS2.使用原子力显微镜、真空荧光检测和拉曼光谱等手段表征了样品的形貌和光致发光性能.结果表明:经过硫蒸气处理转移后的单层MoS2的光致发光强度比由化学气相沉积法制备的未处理的单层MoS2的光致发光强度增强了约5倍.光致发光强度增强是由于在硫蒸气处理过程中,单层MoS2的部分硫空位被硫原子纳米团簇所填补,从而提高了光致发光效率.此外,分别将单层MoS2转移到SiO2/Si衬底、石英、三氧化铝及氟化镁衬底再经过硫处理后,也观察到了类似的荧光增强现象.
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关键词
二
硫
化钼
化学气相沉积法
硫蒸气处理
硫
空位
荧光增强
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职称材料
题名
基于硫蒸气处理转移的单层二硫化钼的荧光增强
1
作者
王思雨
徐颖
刘玉春
机构
上海理工大学光电与计算机工程学院集成光机电实验室
出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第3期110-116,共7页
基金
国家自然科学基金面上项目(No.11674230)。
文摘
采用化学气相沉积法在SiO2/Si衬底上制备了单层MoS2,再通过300℃硫蒸气处理用聚甲基丙烯酸甲酯(Polymethyl Methacrylate,PMMA)转移下的单层MoS2.使用原子力显微镜、真空荧光检测和拉曼光谱等手段表征了样品的形貌和光致发光性能.结果表明:经过硫蒸气处理转移后的单层MoS2的光致发光强度比由化学气相沉积法制备的未处理的单层MoS2的光致发光强度增强了约5倍.光致发光强度增强是由于在硫蒸气处理过程中,单层MoS2的部分硫空位被硫原子纳米团簇所填补,从而提高了光致发光效率.此外,分别将单层MoS2转移到SiO2/Si衬底、石英、三氧化铝及氟化镁衬底再经过硫处理后,也观察到了类似的荧光增强现象.
关键词
二
硫
化钼
化学气相沉积法
硫蒸气处理
硫
空位
荧光增强
Keywords
Molybdenum disulfide
Chemical vapor deposition
Sulfur vapor treatment
Sulfur vacancies
Enhancement of photoluminescence
分类号
O613 [理学—无机化学]
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1
基于硫蒸气处理转移的单层二硫化钼的荧光增强
王思雨
徐颖
刘玉春
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020
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