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硫系化合物随机存储器研究进展
被引量：
16
1
作者
封松林
宋志棠
+1 位作者
刘波
刘卫丽
《微纳电子技术》
CAS
2004年第4期1-7,39,共8页
系统地介绍了硫系化合物随机存储器(C-RAM)的原理、相关材料、研究现状、特点及今后的发展趋势以及中科院上海微系统与信息技术研究所在C-RAM方面的研究进展。C-RAM由于具有高速读取、高可擦写次数、非易失性、元件尺寸小、功耗低和成...
系统地介绍了硫系化合物随机存储器(C-RAM)的原理、相关材料、研究现状、特点及今后的发展趋势以及中科院上海微系统与信息技术研究所在C-RAM方面的研究进展。C-RAM由于具有高速读取、高可擦写次数、非易失性、元件尺寸小、功耗低和成本低等优点,被认为是最有可能取代目前的FLASH、DRAM和SRAM而成为未来半导体存储器的主流产品。
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关键词
硫系化合物随机存储器
Ge2Sb2Te5
纳电子器件
C—RAM
工作原理
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职称材料
相变存储器器件单元测试系统
被引量：
7
2
作者
梁爽
宋志棠
+2 位作者
刘波
陈小刚
封松林
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第8期614-617,共4页
通过计算机控制脉冲信号发生器和数字信号源等硬件设备,实现对硫系化合物随机存储器(C-RAM)器件性能的测试。该系统主要有电流与电压关系测试、电压与电流关系测试、电阻与所加的脉冲信号关系的测试和疲劳特性测试等模块组成。通过这些...
通过计算机控制脉冲信号发生器和数字信号源等硬件设备,实现对硫系化合物随机存储器(C-RAM)器件性能的测试。该系统主要有电流与电压关系测试、电压与电流关系测试、电阻与所加的脉冲信号关系的测试和疲劳特性测试等模块组成。通过这些测试从而找出写脉冲信号与擦脉冲信号的高度和宽度的最佳参数、C-RAM器件的阈值电压、循环寿命等重要参数。此系统不仅为研究C-RAM器件的速度、功耗、可靠性等提供了一个途径,又为C-RAM的工艺和结构参数的研究提供了试验平台。
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关键词
硫系化合物随机存储器
远程控制
测试
系
统
相变
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职称材料
题名
硫系化合物随机存储器研究进展
被引量：
16
1
作者
封松林
宋志棠
刘波
刘卫丽
机构
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
出处
《微纳电子技术》
CAS
2004年第4期1-7,39,共8页
基金
国家863计划资助项目(2003AA32720)
上海市纳米科技与产业发展促进中心资助项目(0352nm016
+4 种基金
0359nm004
0252nm084)
国家973资助项目(001CB610408)
基础研究项目前沿课题(2001CCA02800)
上海市科委资助项目(03dz11009)
文摘
系统地介绍了硫系化合物随机存储器(C-RAM)的原理、相关材料、研究现状、特点及今后的发展趋势以及中科院上海微系统与信息技术研究所在C-RAM方面的研究进展。C-RAM由于具有高速读取、高可擦写次数、非易失性、元件尺寸小、功耗低和成本低等优点,被认为是最有可能取代目前的FLASH、DRAM和SRAM而成为未来半导体存储器的主流产品。
关键词
硫系化合物随机存储器
Ge2Sb2Te5
纳电子器件
C—RAM
工作原理
Keywords
chalcogenide-random access memory
Ge2Sb2Te5
nano-electronics device
分类号
TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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职称材料
题名
相变存储器器件单元测试系统
被引量：
7
2
作者
梁爽
宋志棠
刘波
陈小刚
封松林
机构
中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心纳米技术研究室
中国科学院研究生院
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第8期614-617,共4页
基金
中国科学院资助项目(Y2005027)
上海市科委项目(0452nm012
+7 种基金
04DZ05612
04ZR14154
04JC14080
05JC14076
AM0414
05nm05043
AM0517)
美国SST公司资助
文摘
通过计算机控制脉冲信号发生器和数字信号源等硬件设备,实现对硫系化合物随机存储器(C-RAM)器件性能的测试。该系统主要有电流与电压关系测试、电压与电流关系测试、电阻与所加的脉冲信号关系的测试和疲劳特性测试等模块组成。通过这些测试从而找出写脉冲信号与擦脉冲信号的高度和宽度的最佳参数、C-RAM器件的阈值电压、循环寿命等重要参数。此系统不仅为研究C-RAM器件的速度、功耗、可靠性等提供了一个途径,又为C-RAM的工艺和结构参数的研究提供了试验平台。
关键词
硫系化合物随机存储器
远程控制
测试
系
统
相变
Keywords
C-RAM
remote control
test system
phase change
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
硫系化合物随机存储器研究进展
封松林
宋志棠
刘波
刘卫丽
《微纳电子技术》
CAS
2004
16
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职称材料
2
相变存储器器件单元测试系统
梁爽
宋志棠
刘波
陈小刚
封松林
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2006
7
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职称材料
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