石墨烯/钼基二硫族化合物范德华异质结光电探测器的研究进展

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作者 张鑫华 刘伟迪 +2 位作者 龚佑品 刘庆丰 陈志刚 《新型炭材料（中英文）》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第3期439-457,共19页

石墨烯因其高载流子迁移率和宽光谱吸收范围而广泛应用于光电探测。然而,其低光吸收率导致的高暗电流严重限制了它的光电探测性能。钼基二硫族化合物(MoX_(2),X=S、Se和Te)具有高的吸收系数,能够弥补石墨烯基光电探测器中暗电流较高的劣... 石墨烯因其高载流子迁移率和宽光谱吸收范围而广泛应用于光电探测。然而,其低光吸收率导致的高暗电流严重限制了它的光电探测性能。钼基二硫族化合物(MoX_(2),X=S、Se和Te)具有高的吸收系数,能够弥补石墨烯基光电探测器中暗电流较高的劣势,因此基于石墨烯/MoX_(2)范德华异质结的光电探测器能够表现出优异的光电子特性。本综述首先回顾了光电探测器的工作原理、性能指标和结构。之后,从材料基础的角度突出了石墨烯/MoX_(2)范德华异质结光电探测器的重要性。接着,总结了石墨烯/MoX_(2)范德华异质结光电探测器的制备方法和性能增强策略。最后,强调了这类异质结光电探测器当前面临的挑战及未来的发展方向。本综述将为这类高性能范德华异质结光电探测器的设计提供一定的指导和参考。 展开更多

关键词 石墨烯 钼基二硫族化合物 异质结 光电探测器 范德华

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金属硫族化合物[Ni(en)_3](Hen)SbSe_4,[Sb(en)_3]In_3Te_7的溶剂热生长及晶体结构 被引量：2

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作者 陈震 陈日耀 +4 位作者 郑曦 兰瑞芳 林智虹 黄子祥 吴锵金 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第11期1785-1789,共5页

以溶剂热生长技术 ( Solvothermal technique)在 1 80℃下以氯化物与具有氧化性的 M2 Q( M=K,Rb;Q=Te,Se)反应 ,制备出新的硫族化合物 [Ni( en) 3 ]( Hen) Sb Se4( 1 ) ,[Sb( en) 3 ]In3 Te7( 2 ) .化合物 1的阳离子基团为过渡金属 Ni... 以溶剂热生长技术 ( Solvothermal technique)在 1 80℃下以氯化物与具有氧化性的 M2 Q( M=K,Rb;Q=Te,Se)反应 ,制备出新的硫族化合物 [Ni( en) 3 ]( Hen) Sb Se4( 1 ) ,[Sb( en) 3 ]In3 Te7( 2 ) .化合物 1的阳离子基团为过渡金属 Ni与乙二胺 ( en)的配合物 [Ni( en) 3 ]2 +及质子化的 [Hen]+阳离子 ,阴离子基团为具有分立结构的 [Sb Se4]3 - .化合物 2的阳离子基团为 [Sb( en) 3 ]3 +,阴离子基团为具有二维结构的 2∞ [In3 Te7]3 - .单晶 X射线衍射结果表明 ,晶体 1属三斜晶系 ,P1空间群 ,晶胞数据 a=0 .881 4 3( 1 8) nm,b=0 .96 2 35 ( 1 9)nm,c=1 .4 2 78( 3) nm,α=1 0 4 .74 ( 3)°,β=92 .4 7( 3)°,γ=1 0 9.5 5 ( 3)°,V=1 .0 92 7( 4 ) nm3 ,Z=2 .晶体 2属单斜晶系 ,P2 1 /c空间群 ,晶胞数据 :a=1 .0 6 91 ( 2 ) nm,b=1 .6 932 ( 3) nm,c=1 .5 1 5 2 ( 3) nm,α=90°,β=94 .86 ( 3)°,γ=90°,V=2 .732 8( 9) nm3 。 展开更多

关键词 金属硫族化合物 晶体结构 溶剂热生长 制备 镍 锑 碲 硒 价键理论

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新型硫族化合物在中红外非线性光学晶体方面研究进展 被引量：5

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作者 尹文龙 康彬 邓建国 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第7期42-47,共6页

利用红外非线性光学晶体材料对已有的成熟的激光光源进行频率转换是获得3～5μm和8～12μm＂大气窗口＂红外激光的主要方法。传统的红外非线性光学晶体存在缺陷,不能满足应用要求,需要探索新型的红外材料。综述了以硫族化合物为研究对象... 利用红外非线性光学晶体材料对已有的成熟的激光光源进行频率转换是获得3～5μm和8～12μm＂大气窗口＂红外激光的主要方法。传统的红外非线性光学晶体存在缺陷,不能满足应用要求,需要探索新型的红外材料。综述了以硫族化合物为研究对象,寻找新型中红外非线性光学晶体材料的研究进展。介绍了Li MQ2（M=Ga,In;Q=S,Se,Te）,BaGa4S7,BaGa4Se7,BaGa2MQ6（M=Si,Ge;Q=S,Se）及Li2In2MQ6（M=Si,Ge;Q=S,Se）的研究进展。 展开更多

关键词 红外激光 红外非线性光学晶体 硫族化合物 研究进展

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过渡金属二硫族化合物在FET中的应用研究进展 被引量：3

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作者 张禹 韦习成 +1 位作者 余运龙 张浩 《人工晶体学报》 CSCD 北大核心 2017年第5期867-873,共7页

过渡金属二硫族化合物(Transition-metal dichalcogenides,TMDs)作为一组二维材料具有丰富的物理特性,近几年因其半导特性在半导体器件上具有重要的应用前景而引其了学界的普遍关注。总结了TMDs材料的制备方法及其在场效应管(FET)上的... 过渡金属二硫族化合物(Transition-metal dichalcogenides,TMDs)作为一组二维材料具有丰富的物理特性,近几年因其半导特性在半导体器件上具有重要的应用前景而引其了学界的普遍关注。总结了TMDs材料的制备方法及其在场效应管(FET)上的应用研究进展,并对存在的问题以及潜在的研究方向做了展望。 展开更多

关键词 过渡金属二硫族化合物 FET 器件

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单分散性硫族化合物半导体量子点的制备与表征 被引量：1

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作者 陈良 饶海波 +1 位作者 占红明 陈伟 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第F11期71-73,共3页

硫族半导体化合物大多具有直接能带结构，是良好的光电功能材料，其量子点具有典型的量子效应。介绍了单分散量子点的无机成核／有机包裹的合成方法，通过尺寸选择性沉淀可以得到单分散的量子点；TEM、XRD UV-Vis吸收谱对硫族量子点的... 硫族半导体化合物大多具有直接能带结构，是良好的光电功能材料，其量子点具有典型的量子效应。介绍了单分散量子点的无机成核／有机包裹的合成方法，通过尺寸选择性沉淀可以得到单分散的量子点；TEM、XRD UV-Vis吸收谱对硫族量子点的表征。 展开更多

关键词 制备与表征 量子点 硫族化合物半导体 单分散性

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一些铂族元素的硫族化合物 被引量：4

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作者 赵怀志 《贵金属》 CAS CSCD 2002年第1期39-44,共6页

本文简要概括了作者和合作者对Ru -S系、Ru -Se系、Ru -Te系、Os -Te系、Ru -Se -Te系、Ru -Os -Te系中的二元硫族化合物 ,三元硫族化合物及人工合成的复合硫化物和缅甸铂族金属砂矿中的天然多元硫族化合物所作过的研究工作。发现了一... 本文简要概括了作者和合作者对Ru -S系、Ru -Se系、Ru -Te系、Os -Te系、Ru -Se -Te系、Ru -Os -Te系中的二元硫族化合物 ,三元硫族化合物及人工合成的复合硫化物和缅甸铂族金属砂矿中的天然多元硫族化合物所作过的研究工作。发现了一个新的白铁矿型结构的RuTe2 低温异构体 ,人工合成了复合硫化物RuS·RuS2 ·1 0H2 O ,制备出黄铁矿型的RuTe2 (Se)、RuSe2 (Te)、 (Ru ,Os )Te2 三元化合物和白铁矿型的Ru(Os)Te2 、Os(Ru)Te2 三元化合物 ,查明了在缅甸铂族金属砂矿中存在的 1 展开更多

关键词 铂族元素 硫族化合物 白铁矿 英铁矿 低温异构体

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四元硫族化合物A_2MnBX_4的结构类型和磁学性质的模式识别研究 被引量：1

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作者 严六明 陈念贻 《功能材料》 EI CAS CSCD 1994年第6期523-524,550,共3页

本文用模式识别法研究了四元硫族化合物Ａ＿２ＭｎＢＸ＿４的结构类型和磁性类别与Ａ、Ｂ和Ｘ的半径的关系，结果表明ＲＡ越大，Ｒ＿Ｂ和Ｒ＿Ｘ越小越利于生成正交结构，相反则利于生成正方结构。亚稳的立方结构只在Ｒ＿Ｂ和Ｒ＿Ｘ较大... 本文用模式识别法研究了四元硫族化合物Ａ＿２ＭｎＢＸ＿４的结构类型和磁性类别与Ａ、Ｂ和Ｘ的半径的关系，结果表明ＲＡ越大，Ｒ＿Ｂ和Ｒ＿Ｘ越小越利于生成正交结构，相反则利于生成正方结构。亚稳的立方结构只在Ｒ＿Ｂ和Ｒ＿Ｘ较大的体系生成。从模式识别法表明符合０．０５０Ｒ＿Ｂ＋１．３２２Ｒ＿Ｘ＜３７５．３－Ｒ＿Ａ和２．１１８Ｒ＿Ｂ＋１．０８２Ｒ＿Ｘ＜２３９．３＋Ｒ＿Ａ（其中Ｒ＿Ａ、Ｒ＿Ｂ和Ｒ＿Ｘ的单位是ｐｍ）条件的体系具有铁磁性，相反则具反铁磁性。 展开更多

关键词 硫族化合物 模式识别 结构类型 磁性

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化学气相沉积法制备二维过渡金属硫族化合物研究进展

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作者 王栋 魏子健 +5 位作者 张倩 夏月庆 张秀丽 王天汉 袁志华 兰明明 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第1期156-169,共14页

二维过渡金属硫族化合物(TMDs)是继石墨烯之后的新型二维材料,由于其自身的独特物理化学性质在半导体、光电材料、能源储存和催化制氢等方面备受瞩目。化学气相沉积(CVD)是目前适合实现大规模制备二维材料的工艺之一,制备过程中参数的... 二维过渡金属硫族化合物(TMDs)是继石墨烯之后的新型二维材料,由于其自身的独特物理化学性质在半导体、光电材料、能源储存和催化制氢等方面备受瞩目。化学气相沉积(CVD)是目前适合实现大规模制备二维材料的工艺之一,制备过程中参数的高度可控性使其具有很大优势。本文综述了近期通过CVD制备TMDs的研究进展,探讨了在CVD制备工艺中各种参数对产物生长和最终形貌的影响,包括前驱体、温度、衬底、辅助剂、压力和载气流量等。列举了一些改进的CVD制备工艺,并对其特点进行了总结。最后讨论了目前CVD制备TMDs所面临的挑战并对其发展前景进行展望。 展开更多

关键词 过渡金属硫族化合物 化学气相沉积 盐辅助化学气相沉积 金属有机化学气相沉积 二维材料 前驱体 影响因素

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类石墨烯硫族化合物纳米材料及其在能源领域中的应用

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作者 沈永才 徐菲 吴义恒 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第11期136-142,共7页

2004年以来,以石墨烯为代表的新型二维纳米材料引起了全球范围内的研究热潮,在光电子、生物、能源等领域展现出了巨大的应用潜力。过渡金属硫族化合物因平面内结合力较强、平面外结合力较弱以致可以将其剥离成单个细胞厚度的二维层状纳... 2004年以来,以石墨烯为代表的新型二维纳米材料引起了全球范围内的研究热潮,在光电子、生物、能源等领域展现出了巨大的应用潜力。过渡金属硫族化合物因平面内结合力较强、平面外结合力较弱以致可以将其剥离成单个细胞厚度的二维层状纳米材料,且该材料具备类石墨烯物理化学性质而被誉为"无机石墨烯"。关于二维过渡金属硫族化合物纳米材料的研究已有多年,众多研究表明,因其具有独特的结构和特性,在光电器件、催化及能源存储领域有着广阔的应用前景。基于该领域研究的最新进展,综述了二维过渡金属硫族化合物纳米材料在能源领域中的应用,并对目前相关研究领域的发展趋势进行了总结和展望。 展开更多

关键词 过渡金属硫族化合物 二维层状纳米材料 制备方法 能源存储

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二维过渡金属硫族化合物纳米材料的制备技术及其应用

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作者 沈永才 徐菲 吴义恒 《现代化工》 CAS CSCD 北大核心 2015年第12期30-33,35,共5页

综述近年来二维过渡金属硫族化合物纳米材料的制备技术及其应用,重点介绍了二维过渡金属硫族化合物纳米材料的制备方法,包括微机械剥离法、化学气相沉积法、电化学法、液相剥离法等,并对二维过渡金属硫族化合物纳米材料的制备技术和应... 综述近年来二维过渡金属硫族化合物纳米材料的制备技术及其应用,重点介绍了二维过渡金属硫族化合物纳米材料的制备方法,包括微机械剥离法、化学气相沉积法、电化学法、液相剥离法等,并对二维过渡金属硫族化合物纳米材料的制备技术和应用前景进行了展望。 展开更多

关键词 过渡金属硫族化合物 二维纳米材料 制备方法

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过渡金属硫族化合物二维晶体基复合材料的研究进展 被引量：3

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作者 孙兰 张龙 马飞 《中国材料进展》 CAS CSCD 北大核心 2017年第1期40-47,共8页

石墨烯的发现掀起了人们对二维晶体材料的探索热潮。单层或少数层过渡金属硫族化合物(TMDs)是二维晶体材料的典型代表,此类材料的带隙合适、电子迁移率和热导率高、光吸收强、比表面积大,在新型光电器件、光/电催化、锂离子电池电极、... 石墨烯的发现掀起了人们对二维晶体材料的探索热潮。单层或少数层过渡金属硫族化合物(TMDs)是二维晶体材料的典型代表,此类材料的带隙合适、电子迁移率和热导率高、光吸收强、比表面积大,在新型光电器件、光/电催化、锂离子电池电极、气体传感及生物医学等领域蕴藏着巨大的应用潜能。特别是,对于TMDs二维晶体与其他材料复合而成的纳米结构,强烈的界面耦合作用对材料物理和化学特性的调控至关重要,甚至可能导致新奇特性,预示着新功能和新应用。详细综述了TMDs二维晶体基复合材料的制备方法、结构与性能的界面调控及其潜在应用,并指出了该研究领域仍存在的问题及未来发展方向。 展开更多

关键词 二维材料 过渡金属硫族化合物 复合结构 耦合效应

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二维过渡金属硫族化合物中的缺陷和相关载流子动力学的研究进展 被引量：5

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作者 王云坤 李耀龙 高宇南 《中国光学》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第1期18-42,共25页

原子级厚度的单层或者少层二维过渡金属硫族化合物因其独特的物理特性而被寄希望成为下一代光电子器件的重要组成部分。然而,二维材料的缺陷在很大程度上影响着材料的性质。一方面,缺陷的存在降低了材料的荧光量子效率、载流子迁移率等... 原子级厚度的单层或者少层二维过渡金属硫族化合物因其独特的物理特性而被寄希望成为下一代光电子器件的重要组成部分。然而,二维材料的缺陷在很大程度上影响着材料的性质。一方面,缺陷的存在降低了材料的荧光量子效率、载流子迁移率等重要参数,影响了器件的性能。另一方面,合理地调控和利用缺陷催生了单光子源等新的应用,因此,表征、理解、处理和调控二维材料中的缺陷至关重要。本文综述了二维过渡金属硫族化合物中的缺陷以及缺陷相关的载流子动力学研究进展,旨在梳理二维材料中的缺陷及其超快动力学与材料性能之间的关系,为二维过渡金属硫族化合物材料特性和高性能光电子器件的相关研究提供支持。 展开更多

关键词 二维材料 过渡金属硫族化合物 缺陷 载流子动力学

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过渡金属硫族化合物激子研究进展 被引量：1

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作者 冯亦彪 张天天 +1 位作者 周军 窦瑞芬 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2023年第6期979-991,共13页

分别介绍了激子的基本概念及过渡金属硫族化合物(transition metal dichalcogenides,TMD)材料中不同类型的激子态,并对TMD材料中激子的调控方法和手段进行了系统综述;总结了TMD材料中激子问题的潜在研究方向及应用.

关键词 过渡金属硫族化合物(TMD) 光与物质相互作用 激子

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单层过渡金属硫族化合物中弱耦合极化子的磁场效应

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作者 裴志成 丁朝华(导师) +1 位作者 耿艳波 肖景林 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2021年第4期539-544,共6页

利用LLP幺正变换与线性组合算符相结合的方法研究了磁场作用下单层过渡金属硫族化合物(TMDs)中弱耦合极化子基态能量的性质,获得了单层过渡金属硫族化合物中弱耦合极化子的基态能量与磁场、声子的德拜截止波数(DW)、内部距离和本征极化... 利用LLP幺正变换与线性组合算符相结合的方法研究了磁场作用下单层过渡金属硫族化合物(TMDs)中弱耦合极化子基态能量的性质,获得了单层过渡金属硫族化合物中弱耦合极化子的基态能量与磁场、声子的德拜截止波数(DW)、内部距离和本征极化率参数之间的依赖关系。计算结果表明:单层过渡金属硫族化合物弱耦合极化子的基态能量为外加磁场和本征极化率参数的增函数、声子的德拜截止波数和内部距离的减函数。 展开更多

关键词 光电子学 单层过渡金属硫族化合物 弱耦合 极化子 基态能量 磁场

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新型二维铜族硫族化合物的研究进展

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作者 刘涵 高蕾 +2 位作者 薛宇飞 叶宇娇 曾春华 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第8期1493-1510,共18页

二维材料因其纳米级尺寸、超凡的电子特性、出色的机械性能等,被视为下一代信息器件的理想材料。随着外延生长等自下而上制备方法以及材料计算方法的发展和提高,越来越多的体相非层状的二维材料被制备和发现。近年来在信息器件等领域具... 二维材料因其纳米级尺寸、超凡的电子特性、出色的机械性能等,被视为下一代信息器件的理想材料。随着外延生长等自下而上制备方法以及材料计算方法的发展和提高,越来越多的体相非层状的二维材料被制备和发现。近年来在信息器件等领域具有应用潜力的体相非层状的二维铜族(11族)硫族化合物得到广泛关注,铜族元素位于化学元素周期表中的11族,主要包括铜、银和金等元素。本文综述了二维铜族硫族化合物的研究进展,以化学计量比为主线,将二维铜族硫族化合物分为MX单层(M=Cu,Ag,Au;X=O,S,Se,Te)、M_(2)X单层以及其他化学计量比的铜族硫族化合物单层。从实验合成和理论模拟两个角度出发,对二维铜族硫族化合物原子结构、能带结构、电学特性等进行介绍。从现有的报道来看,体相非层状的新型二维铜族硫族化合物不仅包含半导体、金属等电子性质,还表现出拓扑、磁性等丰富的新奇物性,是一类值得关注的新型二维功能材料。 展开更多

关键词 二维材料 铜族硫族化合物 体相非层状 电子结构 第一性原理计算 密度泛函理论

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二维过渡金属硫族化合物在超级电容器中的研究进展

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作者 陈明华 李宏武 +4 位作者 范鹤 李誉 刘威铎 夏新辉 陈庆国 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2021年第2期539-555,共17页

近年来,过渡金属硫族化合物(TMDs)作为一种新兴的二维材料,因其独特的层状结构及电学特性成为超级电容器电极材料的理想候选者之一.本文介绍了二维TMDs的常用合成方法,阐述了钼基、钨基和钒基等TMDs在超级电容器中的研究进展,分析了形... 近年来,过渡金属硫族化合物(TMDs)作为一种新兴的二维材料,因其独特的层状结构及电学特性成为超级电容器电极材料的理想候选者之一.本文介绍了二维TMDs的常用合成方法,阐述了钼基、钨基和钒基等TMDs在超级电容器中的研究进展,分析了形貌、尺寸和改性方法等因素对TMDs材料电化学性能的影响,并对TMDs在超级电容器领域的工业化应用和挑战进行了总结与展望. 展开更多

关键词 二维材料 过渡金属硫族化合物 超级电容器

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二维过渡金属硫族化合物缺陷工程 被引量：1

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作者 李景涛 马洋 +2 位作者 李绍先 何业鸣 张永哲 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2022年第6期993-1015,共23页

二维过渡金属硫族化合物(two-dimensional transition metal dichalcogenides,TMDs)具有厚度在原子级别、禁带宽度随层数在1~2 eV内变化、高载流子迁移率(如MoS_(2)载流子迁移率达到了200 cm^(2)·V^(-1)·s^(-1))等特点,在光... 二维过渡金属硫族化合物(two-dimensional transition metal dichalcogenides,TMDs)具有厚度在原子级别、禁带宽度随层数在1~2 eV内变化、高载流子迁移率(如MoS_(2)载流子迁移率达到了200 cm^(2)·V^(-1)·s^(-1))等特点,在光学、电学等领域具有广泛应用。TMDs的超薄特性使此类材料与块体材料相比,更容易受到缺陷调控的影响,改变材料原有性能。在本综述中,首先介绍了TMDs的晶体结构和相结构,并根据维度特征对缺陷的类型进行了分类;接着从缺陷的抑制和修复,以及缺陷的制造两方面出发,总结了缺陷调控TMDs材料性能的最新研究进展;在此基础上,介绍了缺陷工程在电学、光学、磁学、电催化等领域的具体应用;最后,本综述讨论了缺陷工程在应用过程中面临的实际问题,并对其未来的研究及发展方向进行了展望。 展开更多

关键词 二维过渡金属硫族化合物 缺陷工程 缺陷调控

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铜基硫族化合物电催化二氧化碳还原制甲酸盐的研究进展

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作者 陈婧娟 吕琳 +1 位作者 万厚钊 王浩 《无机盐工业》 CAS CSCD 北大核心 2021年第12期14-20,共7页

因电催化二氧化碳还原反应(CO_(2) reduction reaction,CO_(2)RR)助于降低大气二氧化碳浓度缓解环境问题,还可以生产高附加值化学品,引起了广泛关注。甲酸盐作为二氧化碳电还原的重要产物之一,在化工、燃料电池等领域广泛应用。铜基硫... 因电催化二氧化碳还原反应(CO_(2) reduction reaction,CO_(2)RR)助于降低大气二氧化碳浓度缓解环境问题,还可以生产高附加值化学品,引起了广泛关注。甲酸盐作为二氧化碳电还原的重要产物之一,在化工、燃料电池等领域广泛应用。铜基硫族化合物(CuxS)由于价格便宜、催化性能优异等优点有着广阔的应用前景,基于此研究者们在纳米结构调控、电解液优化和反应气组分控制等方面展开了大量研究以提升其在电催化CO_(2)RR中的催化活性和甲酸盐产物选择性。主要从催化剂结构设计、催化影响要素、催化反应机理等多角度综述了近期CuxS在电催化CO_(2)RR领域的研究进展,提出了CuxS在CO_(2)RR领域中主要面临的挑战;展望了CuxS族催化剂作为高活性、高稳定性二氧化碳电还原催化剂的发展前景。 展开更多

关键词 电催化 二氧化碳电还原 铜基硫族化合物 甲酸盐

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二维过渡金属硫族化合物中激子-极化激元的研究进展(特邀) 被引量：1

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作者 徐哲元 蒋英 潘安练 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第5期122-139,共18页

二维过渡金属硫族化合物的直接带隙、大跃迁偶极矩、强激子结合能、可范德华集成和谷极化特性,使其在激子-极化激元研究与应用中显示出巨大潜力。当激发粒子密度达到一定程度时,激子-极化激元可通过受激散射凝聚成单个宏观量子态(玻色-... 二维过渡金属硫族化合物的直接带隙、大跃迁偶极矩、强激子结合能、可范德华集成和谷极化特性,使其在激子-极化激元研究与应用中显示出巨大潜力。当激发粒子密度达到一定程度时,激子-极化激元可通过受激散射凝聚成单个宏观量子态(玻色-爱因斯坦凝聚态),它们不受粒子数反转的限制,可实现超低阈值激光。同时结合其谷极化特性,可为强耦合状态的谷电子学应用如光自旋开关和谷极化双稳态器件等提供潜在应用。分别对二维过渡金属硫族化合物中的激子-极化激元、谷极化激子-极化激元和激子-极化激元的玻色爱因斯坦凝聚的研究进展进行了系统综述,最后总结分析了未来实现二维激子-极化激元激光需解决的关键科学问题并对其发展进行了展望。 展开更多

关键词 低维半导体光与物质相互作用 激子-极化激元 二维过渡金属硫族化合物 谷电子学 玻色-爱因斯坦凝聚

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过渡金属硫族化合物二阶非线性光学效应的调控及应用

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作者 吴慧 秦春博 张春峰 《物理学进展》 北大核心 2023年第3期84-95,共12页

二阶非线性光学效应源于电子势函数的非谐性,可实现激光的频率转换,被广泛应用于基础科学研究和现代激光技术。单层过渡金属硫族化合物具有极大的二阶非线性系数,作为基础单元实现高效的非线性光学响应潜力巨大。如何保持单层材料的极... 二阶非线性光学效应源于电子势函数的非谐性,可实现激光的频率转换,被广泛应用于基础科学研究和现代激光技术。单层过渡金属硫族化合物具有极大的二阶非线性系数,作为基础单元实现高效的非线性光学响应潜力巨大。如何保持单层材料的极大非线性系数,扩展材料厚度及响应频段,提升非线性响应,是重要挑战。本文主要介绍了基于单层过渡金属硫族化合物的二阶非线性光学效应的调控,包括单层过渡金属硫族化合物的频率依赖及不同对称性相的多层堆叠等,并总结了过渡金属硫族化合物非线性光学效应的应用前景。 展开更多

关键词 过渡金属硫族化合物 二阶非线性光学效应 中心反演对称性 层间耦合 层间转角

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